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Auswahl der wissenschaftlichen Literatur zum Thema „Mémoire à stockage de charges“
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Zeitschriftenartikel zum Thema "Mémoire à stockage de charges"
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Chillet, Daniel, Raphaël DAvid, Erwan Grâce und Olivier Sentieys. „Structure mémoire reconfigurable. Vers une structure de stockage faible consommation“. Techniques et sciences informatiques 27, Nr. 1-2 (19.03.2008): 181–202. http://dx.doi.org/10.3166/tsi.27.181-202.
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Piarristeguy, Andrea, Pierre Noé und Françoise Hippert. „Verres de chalcogénures pour le stockage de l’information“. Reflets de la physique, Nr. 74 (Dezember 2022): 58–63. http://dx.doi.org/10.1051/refdp/202274058.
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Certains verres de chalcogénures, alliages contenant au moins un des éléments chalcogènes (soufre, sélénium, tellure), ont suscité une attention croissante au fil des ans en raison de leur large éventail d’applications, allant de l’optique infrarouge aux mémoires non volatiles optiques et résistives. Ces dernières utilisent la capacité de certains chalcogénures à commuter rapidement et de manière réversible entre une phase amorphe fortement résistive et une phase cristalline métallique, lorsqu’on leur applique des impulsions électriques qui chauffent localement le matériau. À partir de l’analyse du fonctionnement d’une mémoire résistive à changement de phase utilisant deux types de verres de chalcogénures, nous présentons les propriétés physiques de ces derniers ainsi que des recherches menées actuellement pour poursuivre leur optimisation.
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Aimé, X. „L’intelligence artificielle au service de la santé mentale“. European Psychiatry 30, S2 (November 2015): S21. http://dx.doi.org/10.1016/j.eurpsy.2015.09.065.
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L’intelligence artificielle est l’objet de nombreuses recherches, mais aussi de nombreux fantasmes. Elle vise à reproduire l’intelligence humaine dans ses capacités d’apprentissage, de stockage de connaissances et de calculs. Dans le domaine de l’ingénierie des connaissances, les premières représentations se sont largement inspirées des essais de modélisation de la mémoire sémantique. Cette dernière, composante de la mémoire à long terme, est la mémoire des mots, des idées, des concepts. C’est également le seul système de mémoire déclarative qui résiste de façon remarquable aux effets de l’âge. Des modifications cognitives non spécifiques peuvent diminuer les performances des sujets‚ âgés dans différentes épreuves et signalent plutôt des difficultés d’accès à des représentations sémantiques qu’une atteinte du stock sémantique lui-même. Certaines démences, avec au premier rang d’entre elle la démence sémantique, et dans un moindre mesure la maladie d’Alzheimer, se traduisent entre autre par une atteinte de la mémoire sémantique. Nous proposons dans cet article d’utiliser le modèle des ontologies computationnelles, modélisation formelle et relativement fine, au service de la neuropsychologie : pour le praticien dans des systèmes d’aide à la décision, pour le patient à titre de prothèse cognitive externalisée, et pour le chercheur afin d’étudier la mémoire sémantique.
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Martin, Pierre, Mario Speranza und Fabienne Colombela. „Mémoire épisodique d’enfants présentant un trouble déficit de l’attention avec ou sans hyperactivité“. Enfance N° 3, Nr. 3 (10.08.2023): 243–63. http://dx.doi.org/10.3917/enf2.233.0243.
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L’objectif de cette recherche est d’étudier les performances épisodiques d’enfants avec TDA/H à la fois sur le versant quantitatif et sur le versant qualitatif. Trente enfants avec TDA/H et 29 enfants au développement typique, âgés entre 8 et 12 ans, ont été évalués à l’aide de deux épreuves mnésiques : une liste de mots et une liste de figures. L’échelle d’intelligence de Wechsler (5 e éd.), des épreuves attentionnelles, exécutives et d’apprentissage ont également été proposées afin de procéder à des études corrélationnelles. Les enfants du groupe TDA/H présentent de moins bonnes capacités d’encodage, de stockage et de récupération, surtout de l’information auditivo-verbale. Ces enfants semblent plus enclins à produire des intrusions (c’est-à-dire des informations non présentées durant l’encodage). Leurs rappels sont également de moins bonne qualité. Les difficultés d’attention, d’inhibition et d’apprentissages sont corrélées à leurs moins bonnes performances en mémoire épisodique.
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Bloyer, Paul. „Sémiologie du son pour une mémoire des sites de stockage de déchets nucléaires. Outils pour une conception signalétique.“ Communication & langages N° 193, Nr. 3 (25.12.2017): 101–16. http://dx.doi.org/10.3917/comla.193.0101.
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Bloyer, Paul. „Sémiologie du son pour une mémoire des sites de stockage de déchets nucléaires. Outils pour une conception signalétique.“ Communication & langages 2017, Nr. 193 (September 2017): 101–16. http://dx.doi.org/10.4074/s0336150017013084.
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van der Heijden, Tim. „Technologies de la mémoire. Supports de stockage amateurs et pratiques du film de famille sur « la longue durée »“. Le Temps des médias 39, Nr. 2 (24.11.2022): 141–59. http://dx.doi.org/10.3917/tdm.039.0141.
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Eustache, Francis, Mickael Laisney, Catherine Lalevée, Alice Pèlerin, Audrey Perrotin, Stéphanie Egret, Gaël Chételat und Béatrice Desgranges. „Une nouvelle épreuve de mémoire épisodique : l’épreuve ESR-forme réduite (ESR-r), adaptée du paradigme ESR (encodage, stockage, récupération)“. Revue de neuropsychologie 7, Nr. 3 (2015): 217. http://dx.doi.org/10.3917/rne.073.0217.
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Eustache, Francis, Mickael Laisney, Catherine Lalevée, Alice Pèlerin, Audrey Perrotin, Stéphanie Egret, Gaël Chételat und Béatrice Desgranges. „Une nouvelle épreuve de mémoire épisodique : l’épreuve ESR-forme réduite (ESR-r), adaptée du paradigme ESR (encodage, stockage, récupération)“. Revue de neuropsychologie Volume 7, Nr. 3 (01.10.2015): 217–25. http://dx.doi.org/10.1684/nrp.2015.0351.
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Beigneux, Katia, Thierry Plaie und Michel Isingrini. „Effet du vieillissement sur les capacités de stockage de la mémoire de travail spatiale : comparaison d'une épreuve de rappel libre et de rappel indicé“. Bulletin de psychologie Numéro 495, Nr. 3 (2008): 237. http://dx.doi.org/10.3917/bupsy.495.0237.
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Habhab, Radouane. „Optimisation d'architectures mémoires non-volatiles à piégeage de charges pour les applications microcontrôleur et mémoire autonome“. Electronic Thesis or Diss., Université Côte d'Azur, 2023. http://www.theses.fr/2023COAZ4102.
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L'objectif de ces travaux de thèse est d'évaluer les performances en programmation/cyclage/rétention d'une cellule mémoire SONOS basée sur une architecture split gate très innovante développée par STMicroelectronics, l'eSTM (embedded Select in Trench Memory). Dans un premier temps, nous expliquons la réalisation de cette mémoire SONOS qui est basée sur une modification de la mémoire eSTM à grille flottante, cette modification se faisant sans coût supplémentaire. Dans un second temps, nous étudions les mécanismes de programmation et d'effacement les plus performants pour cette mémoire ce qui nous amène aussi à proposer une nouvelle architecture de mémoire SONOS. Dans un troisième temps, nous caractérisons électriquement les phases de programmation de la cellule SONOS eSTM pour les deux architectures disponibles : dual gate et overlap. Pour la mémoire dual gate, les deux cellules mémoires de part et d'autre du transistor de sélection ont chacune leur propre empilement de grille « ONO/grille de contrôle ». Pour la mémoire overlap, la couche ONO est commune aux deux cellules mémoires. Même si cette couche est partagée, la mémorisation de l'information dans l'ONO est localisée uniquement sous la grille de contrôle concernée grâce à la nature discrète du piégeage des charges. Le mécanisme mis en œuvre pour les opérations d'écriture et d'effacement est d'injection de porteurs chauds et nous détaillons l'optimisation des polarisations (différentes pour les deux architectures disponibles) de drain et de grille de sélection qui permettent de définir les tensions de seuil écrite et effacée. Nous effectuons alors des tests d'endurance jusqu'à un million de cycles pour les deux architectures. Finalement, nous menons une étude en rétention et en de pompage de charge pour connaitre la qualité d'oxyde à l'interface de nos cellules. Dans un quatrième temps, nous cherchons à mieux comprendre le fonctionnement du transistor mémoire et la variabilité de l'eSTM à l'aide simulations TCAD et de mesures électriques sur des structures de géométries variéesThe aim of this thesis work is to evaluate the performance in programming/cycling/retention of a SONOS memory cell based on a highly innovative split-gate architecture developed by STMicroelectronics, the eSTM™ (embedded Select in Trench Memory). Firstly, we explain the realization of this SONOS memory, which is based on a process step modification of the floating gate eSTM™ memory, with this modification carried out without additional cost.Secondly, we investigate the most efficient program and erase mechanisms for this memory, which also leads us to propose a new SONOS memory architecture. Thirdly, we electrically characterize the P/E activations of the SONOS eSTM™ cell for the two available architectures: dual gate and overlap. For dual gate memory, both memory cells on either side of the selection transistor have their own "ONO/control gate" stack. For overlap memory, the ONO layer is common to both memory cells. Even though this layer is shared, the information storage in ONO is localized only under the relevant control gate due to the discrete nature of charge trapping. The mechanism implemented for write and erase operations is carrier hot injection, and we detail the optimization of biases (different for the two available architectures) of the drain and select gate, which define the written and erased threshold voltages. We then perform endurance tests up to one million cycles for both architectures. Finally, we conduct a study on retention and charge pumping to assess the oxide quality at the interface of our cells. In a fourth phase, we seek to better understand the operation of the memory transistor and the variability of eSTM™ using TCAD simulations and electrical measurements on structures with various geometries
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Duguay, Sébastien. „Propriétés de stockage de charges de nanocristaux de germanium incorporés dans des couches de silice par implantation ionique“. Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2006. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2006/DUGUAY_Sebastien_2006.pdf.
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Une évolution possible des mémoires Flash actuelles passe par le remplacement de la grille flottante continue par une rangée de nanocristaux pour un stockage discret. Dans cette optique, des couches de SiO2 sur substrat Si contenant des nanocristaux de germanium ont été fabriquées par implantation ionique d’ions Ge+ suivi d’un recuit thermique haute température. La microscopie électronique à transmission (MET) associée à la spectrométrie par rétrodiffusion Rutherford a été utilisée pour étudier la redistribution du germanium dans les couches de SiO2 en fonction de la température de recuit et des paramètres d’implantation (dose, énergie). Une monocouche de nanocristaux de germanium, située le long de l’interface Si/SiO2 et clairement séparée de celle-ci a été réalisée après recuit de couches implantée à énergie moyenne (13-17 keV) et à une dose de 1x1016at/cm2. Des mesures en MET ont permis de mesurer des densités de nanocristaux importantes de l’ordre de 1x1012 /cm2 avec un diamètre moyen de 4,5nm et à une distance de l’interface de 4 nm. L’augmentation de la dose d’implantation peut également amener à la formation d’une deuxième couche de nanocristaux au centre du film de SiO2. Des capacités métal-oxyde-semiconducteur (MOS) contenant de telles couches de SiO2 implantées ont ensuite été réalisées pour étudier leurs propriétés électriques. Les résultats indiquent un chargement des nanocristaux situés proche de l’interface Si/SiO2. Les faibles tensions de chargement appliquées sont attribuées à la faible épaisseur tunnel les séparant de l’interface. Les propriétés de rétention et les temps de chargements sont cependant incompatibles avec les attentes des industrielsOne way to improve current Flash memories is to replace the actual continuous floating gate by an array of nanocrystals discrete charge storage. In this work, silicon dioxide (SiO2) on Si layers with embedded germanium nanocrystals (Ge-ncs) were fabricated using Ge+-implantation and subsequent annealing. Transmission Electron Microscopy (TEM) and Rutherford Backscattering Spectrometry have been used to study the Ge redistribution in the SiO2 films as a function of annealing temperature and implantation conditions (dose, energy). A monolayer of Ge-ncs near and clearly separated of the Si/SiO2 interface was formed under specific annealing and implantation conditions. This layer, with a nc density and mean-size measured to be respectively of the order of 1x1012 /cm2 and 4,5 nm, is located at approximately 4 nm from the Si/SiO2 interface. Increasing the implantation dose leads to the formation of a second monolayer situated in the middle of the SiO2 film. Capacitance-voltage measurements were performed on metal-oxide-semiconductor (MOS) structures containing such implanted SiO2 layers in order to study their electrical properties. The results indicate a strong memory effect at relatively low programming voltages (< 5V), due to the presence of Ge-ncs near the Si/SiO2 interface. Retention and charging times are however found to be incompatible with industrial requirements
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Gacem, Karim. „Contribution à l’étude du transport et du stockage de charges dans des structures contenant des nanocristaux de germanium“. Reims, 2008. http://theses.univ-reims.fr/exl-doc/GED00000978.pdf.
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Le travail rapporté dans ce mémoire concerne la caractérisation électrique de nanocristaux de germanium (nc-Ge) élaborés par démouillage sur une couche de dioxyde de silicium. L’étude est réalisée sous deux formes : En premier lieu, des mesures courant – tension (I-V) et capacité (haute fréquence ; 1 MHz) – tension (C-V) ont été effectuées pour caractériser des nanocristaux recouverts par du silicium amorphe. Les résultats ont montré l’apparition du blocage de Coulomb à température ambiante dans des nc-Ge ayant le plus petit diamètre (~3. 5 nm). Les mesures I-V et C-V ont révélé le phénomène de piégeage dans les nanocristaux. Ce dernier est conditionné par leur taille et densité moyennes, dont les effets ont été séparés grâce aux mesures en température. En conséquence, la variation en température du nombre moyen d'électrons piégés par nanocristal a permis d'accéder à une énergie d’activation thermique qui s'est révélée être dépendante de la taille moyenne (ou du gap) du nanocristal. En deuxième lieu, des caractérisations par microscopie à force atomique en mode conducteur ont été effectuées sur des échantillons contenant des nc-Ge non recouverts. Là aussi, le transport et le piégeage ont été abordés en mettant en évidence l’effet de la taille et la densité moyennes des nc-Ge. Des mesures EBIC (courant induit par faisceau d'électrons) en champ proche (NF-) ont aussi été menées pour cartographier l’activité électrique en surface des échantillons. Elles ont été suivies par des mesures de la longueur effective de diffusion des porteurs minoritaires en excès. Les résultats ont montré que ce paramètre est réduit par la présence de nc-Ge et par l'augmentation de leur densitéThe work reported in this thesis is devoted to electrical characterization of germanium nanocrystals (Ge-ncs) elaborated by dewetting on a silicon dioxide layer which is thermally grown on a silicon substrate. The study is divided in two parts: First, current - voltage (I-V) and capacitance (high frequency; 1 MHz) - voltage (C-V) measurements were performed to characterize nanocrystals capped with amorphous silicon. Hence, Coulomb blockade effect at room temperature has been evidenced for nanocrystals with the smallest (~ 3. 5 nm) mean diameter. Both I-V and C-V measurements revealed the charge trapping phenomenon in the nanocrystals. The latter is affected by Ge-ncs average size and density and the effects of these two parameters have been separated thanks to measurements at different temperatures. Accordingly, a thermal activation energy of the charge detrapping was calculated and shown to be dependent on the average size (or gap) of nanocrystal. Secondly, characterization with conductive atomic force microscopy was performed on samples containing uncapped nanocrystals. The effects of Ge-ncs size and density on charge trapping and transport have been studied. NF-EBIC (Near Field - Electron Beam Induced Current) measurements showed the electrical activity of sample surface with uncapped Ge-ncs. Finally, minority carrier diffusion lengths measurements have been made. The results showed that this key parameter is reduced by the presence of Ge-ncs and the enhancement of their density
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Gacem, Karim. „Contribution à l'étude du transport et du stockage de charges dans des structures contenant des nanocristaux de germanium“. Phd thesis, Université de Reims - Champagne Ardenne, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00354362.
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Le travail rapporté dans ce mémoire concerne la caractérisation électrique de nanocristaux de germanium (nc-Ge) élaborés par démouillage sur une couche de dioxyde de silicium. L'étude est réalisée sous deux formes : En premier lieu, des mesures courant – tension (I-V) et capacité (haute fréquence ; 1 MHz) – tension (C-V) ont été effectuées pour caractériser des nanocristaux recouverts par du silicium amorphe. Les résultats ont montré l'apparition du blocage de Coulomb à température ambiante dans des nc-Ge ayant le plus petit (~3.5 nm) diamètre. Les mesures I-V et C-V ont révélé le phénomène de piégeage dans les nanocristaux. Ce dernier est conditionné par leur taille et densité moyennes, dont les effets ont été séparés grâce aux mesures en température. En conséquence, la variation en température du nombre moyen d'électrons piégés par nanocristal a permis d'accéder à une énergie d'activation thermique qui s'est révélée être dépendante de la taille moyenne (ou du gap) du nanocristal.
En deuxième lieu, des caractérisations par microscopie à force atomique en mode conducteur ont été effectuées sur des échantillons contenant des nc-Ge non recouverts. Là aussi, le transport et le piégeage ont été abordés en mettant en évidence l'effet de la taille et la densité moyennes des nc-Ge. Des mesures EBIC (courant induit par faisceau d'électrons) en champ proche (NF-) ont aussi été menées pour cartographier l'activité électrique en surface des échantillons. Elles ont été suivies par des mesures de la longueur effective de diffusion des porteurs minoritaires en excès. Les résultats ont montré que ce paramètre est réduit par la présence de nc-Ge et par l'augmentation de leur densité
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Melul, Franck. „Développement d'une nouvelle génération de point mémoire de type EEPROM pour les applications à forte densité d'intégration“. Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0266.
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L’objectif de ces travaux de thèse a été de développer une nouvelle génération de point mémoire de type EEPROM pour les applications à haute fiabilité et à haute densité d’intégration. Dans un premier temps, une cellule mémoire très innovante développée par STMicroelectronics – eSTM (mémoire à stockage de charges de type Splitgate avec transistor de sélection vertical enterré) – a été étudiée comme cellule de référence. Dans une deuxième partie, dans un souci d’améliorer la fiabilité de la cellule eSTM et de permettre une miniaturisation plus agressive de la cellule EEPROM, une nouvelle architecture mémoire a été proposée : la cellule BitErasable. Elle a montré une excellente fiabilité et a permis d’apporter des éléments de compréhension sur les mécanismes de dégradation présents dans ces dispositifs mémoires à transistor de sélection enterré. Cette nouvelle architecture offre de plus la possibilité d’effacer les cellules d’un plan mémoire de façon individuelle : bit à bit. Conscient du grand intérêt que présente l’effacement bit à bit, un nouveau mécanisme d’effacement pour injection de trous chauds a été proposé pour la cellule eSTM. Il a montré des performances et un niveau de fiabilité parfaitement compatible avec les exigences industrielles des applications Flash-NORThe objective of this thesis was to develop a new generation of EEPROM memory for high reliability and high density applications. First, an innovative memory cell developed by STMicroelectronics - eSTM (Split-gate charge storage memory with buried vertical selection transistor) - was studied as a reference cell. In a second part, to improve the reliability of the eSTM cell and to allow a more aggressive miniaturization of the EEPROM cell, a new memory architecture has been proposed: the BitErasable cell. It showed an excellent reliability and allowed to bring elements of under-standing on the degradation mechanisms present in these memory devices with buried selection transistor. This new architecture also offers the possibility to individually erase cells in a memory array: bit by bit. Aware of the great interest of bit-by-bit erasing, a new erasing mechanism by hot hole injection has been proposed for the eSTM cell. It has shown performances and a level of reliability perfectly compatible with the industrial requirements of Flash-NOR applications
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Armeanu, Dumitru Constantin. „Modélisation physique du stockage dans les nanocristaux de mémoires flash quantiques“. Strasbourg, 2011. http://www.theses.fr/2011STRA6144.
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L’objectif principal est d’affiner la compréhension des phénomènes de charge / décharge d’une mémoire flash à nanocristaux à partir de la modélisation d’un seul nanocristal. Ce travail est basé sur un modèle de nanocristal unique isolé existant. Tout d’abord, une amélioration de ce modèle a été réalisée, avec une nouvelle modélisation de la grille métallique et du canal semiconducteur dopé p en régime d’accumulation. Le continuum d’énergie 3D est représenté par une succession de sous-bandes 2D choisies pour conserver la densité d’états. Ensuite, le but a été d’inclure le couplage électrostatique existant entre les nanocristaux. Une méthode a été développée pour caractériser le voisinage d’un nanocristal particulier au sein d’une couche désordonnée : les premiers voisins d’un nanocristal sont alors générés de manière réaliste. Puis une étude sur le couplage électrostatique à partir des simulations tridimensionnelles entre un nanocristal d’intérêt et les nanocristaux premiers voisins a été effectuée : on peut dissocier l’influence du voisinage diélectrique (nanocristaux vides) de celle du voisinage de charge (nanocristaux chargés). Pour chacune des influences, une méthode de prise en compte des nanocristaux premiers voisins a été développée, en veillant à être compatible avec le modèle du nanocristal unique isolé. Apres validation de ces deux approches, un modèle de nanocristal unique tenant compte de l’influence électrostatique des premiers voisins a pu être élaboréThe main objective is to refine the understanding of the phenomena of charge / discharge of a nanocrystal flash memory from the modeling of a single nanocrystal. This work is based on a previous model of a single isolated nanocrystal. First, an improvement of this model was carried out with a new modeling of the metal gate and the p-doped semiconducting channel in accumulation regime. The 3D continuum of energy is represented by a succession of 2D subbands selected to keep the density of states. Then, the goal was to include the electrostatic coupling between the nanocrystals. A method was developed to characterize the neighborhood of a particular nanocrystal in a disordered layer: the first neighbors of a nanocrystal are then generated in a realistic way. Next, a study of the electrostatic coupling from three-dimensional simulations between a nanocrystal of interest and the first neighbor nanocrystals was made: we can separate the influence of the dielectric neighborhood (nanocrystal empty) from the charged neighborhood (charged nanocrystals). For each influence, a method taking into account the first neighbor nanocrystals has been proposed, ensuring compatibility with the model of a single isolated nanocrystal. After validation of these two approaches, a model of a single nanocrystal taking into account the electrostatic influence of nearest neighbors has been developed
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Richard, Jimmy. „Cyclophanes de viologènes adressables pour stockage de charges“. Thesis, Strasbourg, 2019. http://www.theses.fr/2019STRAF021.
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Le stockage de données sur une molécule est un défi fondamental dans l’élaboration de systèmes pouvant stocker une grande quantité de données dans un minimum d’espace. Le projet de cette thèse s’inscrit dans cette thématique, à savoir la conception d’interrupteurs moléculaire oscillant par des stimuli redox et étant lisibles sans altérer les différents états pour permettre la création de mémoire moléculaire. Les cyclophanes bis-viologènes sont donc des candidats potentiels pour la création de dispositifs de stockage d’informations qui pourraient être écrites de façon réversible et lues de nombreuses manières grâce aux propriétés magnétiques, optiques et conductrices des π-dimères. Le premier chapitre de cette thèse est consacré à une introduction sur la chimie des cyclophanes et sur l’utilisation des surfaces dans la chimie des cyclophanes et des interrupteurs moléculaires. Le second chapitre porte sur la synthèse de viologènes et de cyclophanes bis-viologènes. Le troisième chapitre est ensuite consacré à la synthèse de cyclophanes diazapyrénium-viologènes, alternatives possibles des cyclophanes bis-viologènesStoring data on a molecule is a fundamental challenge in developing a system that can store a large amount of data in a minimum of space. The project of this thesis is part of this theme, namely the design of molecular switches oscillating by redox stimuli and being readable without altering the different states to allow the creation of molecular memory. The bis-viologen cyclophanes are therefore potential candidates for the creation of information storage devices that could be reversibly written and read in many ways thanks to the magnetic, optical and conductive properties of the π-dimer. The first chapter of this thesis is devoted to an introduction to the chemistry of cyclophanes and the use of surfaces in the chemistry of cyclophanes and molecular switches. The second chapter deals with the synthesis of viologenes and bis-viologen cyclophanes. The third chapter is devoted to the synthesis of diazapyrenium-viologenes cyclophanes, possible alternatives for bis-viologen cyclophanes
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Ferraton, Stéphane. „Caractérisation et modélisation du stockage de charge dans des nanocristaux de silicium de nouvelles mémoires non volatiles“. Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0011.
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La réduction de l'épaisseur de l'empilement de grille pose la problématique de la fiabilité des mémoires non volatiles à grille flottante. Parmi les solutions envisagées, l'une des plus prometteuses consiste à utiliser une couche discrète de nanocristaux de silicium (nc-Si) comme grille flottante. Ce travail de thèse propose une étude du chargement et du comportement dynamique des nc-Si au moyen de caractérisations électriques complémentaires (quasi-statique C,I-V, bruit BF, impédance dynamique, DLTS). Le chargement des nc-Si ainsi que la dynamique de chargement sont étudiés par des mesures simultanées de capacité et de courant en régime quasi-statique. Les caractéristiques sont simulées à l'aide de modèles autorisant jusqu'à trois états de charge pour les nc-Si et incorporant une distribution de taille pour ceux-ci en accord avec les relevés morphologiques. De plus, la constante d'effet tunnel et la répartition spatiale de la densité volumique de piéges (nc-Si, pièges HTO/Si02. . . ) dans l'oxyde sont déterminées par des mesures de bruit BF. La DSP de bruit obtenue par les mesures de conductance de grille s'est avérée montrer une très bonne concordance avec les mesures directes de bruit BF. Enfin une étude spectroscopique par FT-DLTS permet de dissocier la réponse des nc-Si de celle de pièges lents situés à l'interface oxyde tunnel/oxyde de contrôle. Cette étude met en evidence une dispersion en diamètre des nc-Si et l'emmagasinement de plusieurs charges par les nc-Si de grandes tailles. Différentes techniques de caractérisations électriques complémentaires et l'appui de modèles physiques spécifiques viennent renforcer la compréhension des mécanismes de chargement des nc-SiThe reliability of the gate stack of conventional non volatile floating gate memory device is a major issue to pursue the downscaling of the memories. A solution consists in introducing new materials such as a discrete layer of silicon nanocrystals (Si-nc) acting as a floating gate. A study of the charging/discharging mechanisms of Si-nc using complementary electrical techniques (quasi-static C,I-V, LF noise, impedance, DLTS) is presented in this manuscript. The charging and the charge dynamics of the Si-nc is clearly evidenced using simultaneous quasi-static capacitance and current measurements based on the feedback charge method. The characteristics are simulated using models involving three states of charge and a size distribution of Si-nc in agreement with SEMITEM micrographs. Furthermore, the tunneling constant and the space charge density (Si-nc, traps HTO/Si02. . . ) in the gate oxide are determined by low frequency noise technique. Ln addition, the noise PSD obtained from the gate conductance measurements shows a good agreement with those obtained by the low frequency noise measurements. Finally, using a spectroscopy technique (FT-DLTS), the response of the Si-nc is distinguished from the slow traps response located at the interface between the tunnel oxide and the control oxide. The size dispersion and the accommodation of multiple charges in the biggest Si-nc are revealed. Different complementary electrical techniques and specifie physical models are used to highlight the charging mechanisms of the Si-nc
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Patton, Gaël. „Étude des effets mémoire dans les matériaux scintillateurs“. Thesis, Lyon 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LYO10125/document.
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L'intérêt des matériaux scintillateurs est la conversion de rayonnements de hautes énergies (particule γ, particules α, électrons,...) en photons de basse énergie détectables par les photo-détecteurs habituels. Ils sont utilisés dans de nombreuses applications : recherche en physique des hautes énergies, spectrométrie gamma pour la recherche ou la radio-protection, imagerie médicale ou technique, ainsi que pour la sécurité intérieure. Les propriétés de scintillation de ce type de matériau sont dépendantes de l'historique d'irradiation. Ce comportement, appelé effets mémoire, influe directement sur les performances des instruments utilisant ces matériaux. Trois effets mémoire différents peuvent être distingués : le vieillissement qui est une diminution du rendement de scintillation après une absorption de rayonnements ionisants, la rémanence qui est la persistance de l'émission lumineuse après la fin de l'excitation, et enfin la radio-sensibilisation qui est une augmentation, temporaire ou non, du rendement de scintillation en fonction de la dose absorbée par le scintillateur. Ce travail s'attache principalement à la compréhension du phénomène de radio-sensibilisation et à la rémanence dans les scintillateurs. Un matériau modèle, YP O4 : Ce, N d, a été utilisé afin de mettre en évidence la corrélation entre les pièges électroniques présents dans le matériau et les effets mémoire. Une fois ce lien mis en évidence, une étude sur un matériau commercial largement utilisé dans de nombreuses applications, l'iodure de césium dopé thallium, a été menéee. Sur la base de mesures de thermoluminescence, un modèle numérique a été développé afin de simuler les effets mémoire dans ces matériaux, puis de prédire leurs comportements en cas de modification des pièges électroniques. Par ailleurs, des méthodes de réduction des effets mémoire ont été étudiées via l'introduction de nouveaux pièges aux caractéristiques précises ou via la stimulation optique du matériau en parallèle de son irradiationThe interest of scintillating materials is the conversion of high energy radiations (γ or α particles, electrons, ...) in low energy photons detectable by usual photo-detectors. They are used in many applications : research in high energy physics, gamma spectrometry for research or radiation protection, medical and technical X-ray imaging, as well as for homeland security. The scintillation properties of this materials is dependent on the history of irradiation. This behavior, called memory effect, directly affects the performance of instruments using these materials. Three different memory effects can be distinguished : aging is a decrease in the scintillation yield after an absorption of ionizing radiation, the afterglow is the persistence of light emission after excitation, and finally radio-sensitization which is an increase of scintillation yield depending on the dose absorbed by the scintillator. This work mainly focus on the understanding of radio-sensitization phenomenon and afterglow in the scintillators. A model material, Y PO4 : Ce,Nd, was used to highlight the correlation between charges carrier traps present in the material and memory effects. Once this link is highlighted, a study of a commercial material widely used in many applications, thallium doped cesium iodide, was lead. Based on thermoluminescence measures, a numerical model was developed to simulate the memory effects in these materials and to predict their behavior in case of modification of charge carrier traps. Furthermore, several methods to reduce memory effects were investigated through the introduction of new traps with specific characteristics or through optical stimulation of the material in parallel to its irradiation. Finally, the role of radiosensitization in the scintillation efficiency under gamma excitation was highlighted on BaAl4O7 : Eu2+ ceramics. These results suggest a way to improve performance of some scintillating performance by the exaltation via prior irradiation
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Beigneux, Katia. „Vieillissement cognitif et capacités de stockage de la mémoire de travail visuo-spatiale“. Tours, 2006. http://www.theses.fr/2006TOUR2007.
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L'objectif de ce travail était d'évaluer les effets du vieillissement sur le calepin visuo-spatial. Cinq experiences ont été réalisées comparant les empans visuel et spatial de sujets jeunes et âgés. Les résultats indiquent que les deux capacités de stockage de la mémoire de travail visuo-spatiale diminuent avec l'âge et que le vieillissement est plus prononcé dans le domaine visuel. De plus, le vieillissement du calepin visuo-spatial semble lié au ralentissement de la vitesse de traitement ainsi qu'à la réduction des ressources attentionnelles des sujets âgés. Enfin, le mode de présentation simultané et la nature visuelle de l'information à encoder du Visual Patterns Test peuvent rendre compte de l'effet de l'âge plus prononcé sur les capacités de stockage visuel dans la mesure où ces caractéristiques semblent requerir plus de processus auto-initiés que celles de la tâche des blocs de CorsiThe aim of this work was to evaluate the aging of the visuospatial sketchpad with the Visual Patterns Test and the Corsi blocks tapping test and to try to explain this age-related effect. Five experiments have compared young and older adults' visual and spatial spans. Results show an age-related effect is more pronounced on the visual storage capacities. Moreover, the age-related effect on the visuospatial sketchpad is mediated by the processing speed slowing and the reduction of the attentional resources. Lastly, the simultaneous presentation and the visual nature of information of the Visual Patterns Test can account for the more pronounced age-related effect on the visual storage capacities of the working memory insofar as these characteristics seem to require more self-initiated process than those of the Corsi blocks tapping test
Bücher zum Thema "Mémoire à stockage de charges"
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When We Are No More: How Digital Memory is Shaping Our Future. Bloomsbury Press, 2016.
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CHESTERFIELD, Julian, und Michail FLOURIS. „Accélération matérielle du stockage NVMe distribué et virtualisé“. In Systèmes multiprocesseurs sur puce 2, 95–123. ISTE Group, 2023. http://dx.doi.org/10.51926/iste.9022.ch4.
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Actuellement le temps consacré à la virtualisation du stockage et à sa gestion par des opérations d’E/S est devenu plus important que la latence matérielle de la Flash NVMe. Ce chapitre présente un chemin d’E/S assisté par des FPGA permettant de réduire les surcoûts de gestion et de piloter l’accès à la mémoire à des vitesses de 100 Gbps.