Zeitschriftenartikel zum Thema „InGaAs photodiodes“
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Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Vasyl’ev A. P., Blokhin S. A., Troshkov S.I., Nashchekin A.V. et al. „Mushroom mesa structure for InAlAs-InGaAs avalanche photodiodes“. Technical Physics Letters 48, Nr. 14 (2022): 28. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939.
Der volle Inhalt der QuelleBAPTISTA, B. J., und S. L. MUFSON. „RADIATION HARDNESS STUDIES OF InGaAs AND Si PHOTODIODES AT 30, 52, & 98 MeV AND FLUENCES TO 5 × 1011 PROTONS/CM2“. Journal of Astronomical Instrumentation 02, Nr. 01 (September 2013): 1250008. http://dx.doi.org/10.1142/s2251171712500080.
Der volle Inhalt der QuelleZhuravlev, K. S., A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, A. M. Gilinsky, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov und M. S. Aksenov. „High-power InAlAs/InGaAs Schottky barrier photodiodes for analog microwave signal transmission“. Journal of Semiconductors 43, Nr. 1 (01.01.2022): 012302. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/1/012302.
Der volle Inhalt der QuelleSun, H., X. Huang, C. P. Chao, S. W. Chen, B. Deng, D. Gong, S. Hou et al. „QTIA, a 2.5 or 10 Gbps 4-channel array optical receiver ASIC in a 65 nm CMOS technology“. Journal of Instrumentation 17, Nr. 05 (01.05.2022): C05017. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/05/c05017.
Der volle Inhalt der QuelleCampbell, J. C., B. C. Johnson, G. J. Qua und W. T. Tsang. „Frequency response of InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes“. Journal of Lightwave Technology 7, Nr. 5 (Mai 1989): 778–84. http://dx.doi.org/10.1109/50.19113.
Der volle Inhalt der QuelleMartinelli, Ramon U., Thomas J. Zamerowski und Paul A. Longeway. „2.6 μm InGaAs photodiodes“. Applied Physics Letters 53, Nr. 11 (12.09.1988): 989–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.100050.
Der volle Inhalt der QuelleYoon, H. W., J. J. Butler, T. C. Larason und G. P. Eppeldauer. „Linearity of InGaAs photodiodes“. Metrologia 40, Nr. 1 (Februar 2003): S154—S158. http://dx.doi.org/10.1088/0026-1394/40/1/335.
Der volle Inhalt der QuelleZhukov A. E., Kryzhanovskaya N. V., Makhov I. S., Moiseev E. I., Nadtochiy A. M., Fominykh N. A., Mintairov S. A., Kalyuzhyy N. A., Zubov F. I. und Maximov M. V. „Model for speed performance of quantum-dot waveguide photodiode“. Semiconductors 57, Nr. 3 (2023): 211. http://dx.doi.org/10.21883/sc.2023.03.56238.4783.
Der volle Inhalt der QuelleWon-Tien Tsang, J. C. Campbell und G. J. Qua. „InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical beam epitaxy“. IEEE Electron Device Letters 8, Nr. 7 (Juli 1987): 294–96. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1987.26636.
Der volle Inhalt der QuelleCampbell, J. C., S. Chandrasekhar, W. T. Tsang, G. J. Qua und B. C. Johnson. „Multiplication noise of wide-bandwidth InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes“. Journal of Lightwave Technology 7, Nr. 3 (März 1989): 473–78. http://dx.doi.org/10.1109/50.16883.
Der volle Inhalt der QuelleKhomiakova, K. I., A. P. Kokhanenko und A. V. Losev. „Investigation of the parameters of a single photon detector for quantum communication“. Journal of Physics: Conference Series 2140, Nr. 1 (01.12.2021): 012030. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2140/1/012030.
Der volle Inhalt der QuelleЖуков, А. Е., Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, Е. И. Моисеев, А. М. Надточий, Н. А. Фоминых, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов und М. В. Максимов. „Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками“. Физика и техника полупроводников 57, Nr. 3 (2023): 215. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2023.03.55632.4783.
Der volle Inhalt der QuelleFedorenko, A. V. „Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods“. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, Nr. 3-4 (2020): 17–23. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2020.3-4.17.
Der volle Inhalt der QuelleCampbell, J. C., W. T. Tsang, G. J. Qua und J. E. Bowers. „InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes with 70 GHz gain‐bandwidth product“. Applied Physics Letters 51, Nr. 18 (02.11.1987): 1454–56. http://dx.doi.org/10.1063/1.98655.
Der volle Inhalt der QuelleЧиж, А. Л., К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, A. M. Гилинский und И. Б. Чистохин. „Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов“. Письма в журнал технической физики 45, Nr. 14 (2019): 52. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.14.48026.17764.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Hewei, Yang Tian, Qian Li, Wenqiang Ding, Xuzhen Yu, Zebiao Lin, Xuyang Feng und Yanli Zhao. „Photon-Trapping Microstructure for InGaAs/Si Avalanche Photodiodes Operating at 1.31 μm“. Sensors 22, Nr. 20 (12.10.2022): 7724. http://dx.doi.org/10.3390/s22207724.
Der volle Inhalt der QuelleAndryushkin, V. V., A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, I. I. Novikov, L. Ya Karachinsky, N. A. Maleev et al. „Zn diffusion technology for InP-InGaAs avalanche photodiodes“. Journal of Physics: Conference Series 2103, Nr. 1 (01.11.2021): 012184. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2103/1/012184.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Hezhuang, Jingyi Wang, Daqian Guo, Kai Shen, Baile Chen und Jiang Wu. „Design and Fabrication of High Performance InGaAs near Infrared Photodetector“. Nanomaterials 13, Nr. 21 (01.11.2023): 2895. http://dx.doi.org/10.3390/nano13212895.
Der volle Inhalt der QuelleCAMPBELL, J. C., H. NIE, C. LENOX, G. KINSEY, P. YUAN, A. L. HOLMES und B. G. STREETMAN. „HIGH SPEED RESONANT-CAVITY InGaAs/InAlAs AVALANCHE PHOTODIODES“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 10, Nr. 01 (März 2000): 327–37. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156400000350.
Der volle Inhalt der QuelleZhou, Qiugui, Allen S. Cross, Andreas Beling, Yang Fu, Zhiwen Lu und Joe C. Campbell. „High-Power V-Band InGaAs/InP Photodiodes“. IEEE Photonics Technology Letters 25, Nr. 10 (Mai 2013): 907–9. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2013.2253766.
Der volle Inhalt der QuelleOlantera, Lauri, Freya Bottom, Andrea Kraxner, Stephane Detraz, Mohsine Menouni, Paulo Moreira, Carmelo Scarcella et al. „Radiation Effects on High-Speed InGaAs Photodiodes“. IEEE Transactions on Nuclear Science 66, Nr. 7 (Juli 2019): 1663–70. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2019.2902624.
Der volle Inhalt der QuelleBeling, Andreas, Huapu Pan und Joe C. Campbell. „High-Power High-Linearity InGaAs/InP Photodiodes“. ECS Transactions 16, Nr. 41 (18.12.2019): 39–48. http://dx.doi.org/10.1149/1.3104708.
Der volle Inhalt der QuelleEkholm, D. T., J. M. Geary, J. N. Hollenhorst, V. D. Mattera und R. Pawelek. „High bandwidth planar InP/InGaAs avalanche photodiodes“. IEEE Transactions on Electron Devices 35, Nr. 12 (1988): 2434. http://dx.doi.org/10.1109/16.8843.
Der volle Inhalt der QuelleChiba, Kohei, Akinobu Yoshida, Katsuhiro Tomioka und Junichi Motohisa. „Vertical InGaAs Nanowire Array Photodiodes on Si“. ACS Photonics 6, Nr. 2 (Februar 2019): 260–64. http://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.8b01089.
Der volle Inhalt der QuelleBudtolaev, A. K., P. E. Khakuashev, I. V. Chinareva, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmaluk, Yu L. Ryaboshtan und I. V. Yarotskaya. „Epitaxial structures for InGaAs/InP avalanche photodiodes“. Journal of Communications Technology and Electronics 62, Nr. 3 (März 2017): 304–8. http://dx.doi.org/10.1134/s1064226917030056.
Der volle Inhalt der QuellePoulain, P., M. Razeghi, K. Kazmierski, R. Blondeau und P. Philippe. „InGaAs photodiodes prepared by low-pressure MOCVD“. Electronics Letters 21, Nr. 10 (09.05.1985): 441–42. http://dx.doi.org/10.1049/el:19850314.
Der volle Inhalt der QuelleJin, Chuan, Fangfang Wang, Qingqing Xu, Chengzhang Yu, Jianxin Chen und Li He. „Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes“. Journal of Crystal Growth 477 (November 2017): 100–103. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.01.050.
Der volle Inhalt der QuelleSaul, R. H., F. S. Chen und P. W. Shumate. „Reliability of InGaAs Photodiodes for SL Applications“. AT&T Technical Journal 64, Nr. 3 (März 1985): 861–82. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1985.tb00450.x.
Der volle Inhalt der QuelleCampbell, J. C., W. T. Tsang, G. J. Qua und B. C. Johnson. „VB-7 InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical-beam epitaxy“. IEEE Transactions on Electron Devices 34, Nr. 11 (November 1987): 2380. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1987.23305.
Der volle Inhalt der QuelleCampbell, J. C., W. T. Tsang, G. J. Qua und B. C. Johnson. „High-speed InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical beam epitaxy“. IEEE Journal of Quantum Electronics 24, Nr. 3 (März 1988): 496–500. http://dx.doi.org/10.1109/3.151.
Der volle Inhalt der QuelleABEDIN, M. NURUL, TAMER F. REFAAT und UPENDRA N. SINGH. „NOISE MEASUREMENT OF III-V COMPOUND DETECTORS FOR 2 μm LIDAR/DIAL REMOTE SENSING APPLICATIONS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, Nr. 02 (Juni 2002): 531–40. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001447.
Der volle Inhalt der QuelleCao, Ye, Tarick Blain, Jonathan D. Taylor-Mew, Longyan Li, Jo Shien Ng und Chee Hing Tan. „Extremely low excess noise avalanche photodiode with GaAsSb absorption region and AlGaAsSb avalanche region“. Applied Physics Letters 122, Nr. 5 (30.01.2023): 051103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0139495.
Der volle Inhalt der QuelleDas, Utpal, Yousef Zebda, Pallab Bhattacharya und Albert Chin. „Performance characteristics of InGaAs/GaAs and GaAs/InGaAlAs coherently strained superlattice photodiodes“. Applied Physics Letters 51, Nr. 15 (12.10.1987): 1164–66. http://dx.doi.org/10.1063/1.98720.
Der volle Inhalt der QuelleŻak, Dariusz, Jarosław Jureńczyk und Janusz Kaniewski. „Zener Phenomena in InGaAs/InAlAs/InP Avalanche Photodiodes“. Detection 02, Nr. 02 (2014): 10–15. http://dx.doi.org/10.4236/detection.2014.22003.
Der volle Inhalt der QuelleOhyama, H., K. Takakura, K. Hayama, Toshio Hirao, Shinobu Onoda, Eddy Simoen und Cor Claeys. „High Temperature Electron Irradiation Effects in InGaAs Photodiodes“. Solid State Phenomena 95-96 (September 2003): 381–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.95-96.381.
Der volle Inhalt der QuelleZappa, F., P. Webb, A. Lacaita und S. Cova. „Nanosecond single-photon timing with InGaAs/InP photodiodes“. Optics Letters 19, Nr. 11 (01.06.1994): 846. http://dx.doi.org/10.1364/ol.19.000846.
Der volle Inhalt der QuelleTulchinsky, D. A., K. J. Williams, A. Pauchard, M. Bitter, Z. Pan, L. Hodge, S. G. Hummel und Y. H. Lo. „High-power InGaAs-on-Si pin RF photodiodes“. Electronics Letters 39, Nr. 14 (2003): 1084. http://dx.doi.org/10.1049/el:20030693.
Der volle Inhalt der QuelleKimukin, I., N. Biyikli, B. Butun, O. Aytur, S. M. Unlu und E. Ozbay. „InGaAs-based high-performance p-i-n photodiodes“. IEEE Photonics Technology Letters 14, Nr. 3 (März 2002): 366–68. http://dx.doi.org/10.1109/68.986815.
Der volle Inhalt der QuelleSkrimshire, C. P., J. R. Farr, D. F. Sloan, M. J. Robertson, P. A. Putland, J. C. D. Stokoe und R. R. Sutherland. „Reliability of mesa and planar InGaAs PIN photodiodes“. IEE Proceedings J Optoelectronics 137, Nr. 1 (1990): 74. http://dx.doi.org/10.1049/ip-j.1990.0015.
Der volle Inhalt der QuelleDuan, Ning, Xin Wang, Ning Li, Han-Din Liu und Joe C. Campbell. „Thermal Analysis of High-Power InGaAs–InP Photodiodes“. IEEE Journal of Quantum Electronics 42, Nr. 12 (Dezember 2006): 1255–58. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2006.883498.
Der volle Inhalt der QuelleYuan, Z. L., A. R. Dixon, J. F. Dynes, A. W. Sharpe und A. J. Shields. „Gigahertz quantum key distribution with InGaAs avalanche photodiodes“. Applied Physics Letters 92, Nr. 20 (19.05.2008): 201104. http://dx.doi.org/10.1063/1.2931070.
Der volle Inhalt der QuelleOhyama, H., J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, T. Kudou, S. Kohiki, H. Sunaga und T. Hakata. „Degradation of InGaAs pin photodiodes by neutron irradiation“. Semiconductor Science and Technology 11, Nr. 10 (01.10.1996): 1461–63. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/11/10/001.
Der volle Inhalt der QuelleWada, Morio, Shoujiro Araki, Takahiro Kudou, Toshimasa Umezawa, Shinichi Nakajima und Toshitsugu Ueda. „Development of InGaAs photodiodes for near-infrared spectroscopy“. IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 122, Nr. 1 (2002): 29–34. http://dx.doi.org/10.1541/ieejsmas.122.29.
Der volle Inhalt der QuellePatel, K. A., J. F. Dynes, A. W. Sharpe, Z. L. Yuan, R. V. Penty und A. J. Shields. „Gigacount/second photon detection with InGaAs avalanche photodiodes“. Electronics Letters 48, Nr. 2 (2012): 111. http://dx.doi.org/10.1049/el.2011.3265.
Der volle Inhalt der QuelleFinkelstein, Hod, Sanja Zlatanovic, Yu-Hwa Lo, Sadik C. Esener und Kai Zhao. „External electroluminescence measurements of InGaAs∕InAlAs avalanche photodiodes“. Applied Physics Letters 91, Nr. 24 (10.12.2007): 243510. http://dx.doi.org/10.1063/1.2824463.
Der volle Inhalt der QuelleMaleev, N. A., A. G. Kuzmenkov, M. M. Kulagina, A. P. Vasyl’ev, S. A. Blokhin, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin et al. „Mushroom Mesa Structure for InAlAs–InGaAs Avalanche Photodiodes“. Technical Physics Letters 49, S3 (Dezember 2023): S215—S218. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785023900819.
Der volle Inhalt der QuelleREFAAT, TAMER F., M. NURUL ABEDIN und UPENDRA N. SINGH. „SPECTRAL RESPONSE MEASUREMENTS OF SHORT WAVE INFRARED DETECTORS (SWIR)“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, Nr. 02 (Juni 2002): 541–50. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001459.
Der volle Inhalt der QuelleAkano, U. G., I. V. Mitchell, F. R. Shepherd, C. J. Miner, A. Margittai und M. Svilans. „Electrical isolation of pin photodiode devices by oxygen ion bombardment“. Canadian Journal of Physics 74, S1 (01.12.1996): 59–63. http://dx.doi.org/10.1139/p96-833.
Der volle Inhalt der QuelleParks, Joseph W., Kevin F. Brennan und Larry E. Tarof. „Macroscopic Device Simulation of InGaAs/InP Based Avalanche Photodiodes“. VLSI Design 6, Nr. 1-4 (01.01.1998): 79–82. http://dx.doi.org/10.1155/1998/73839.
Der volle Inhalt der QuelleJae-Hyung Jang, G. Cueva, W. E. Hoke, P. J. Lemonias, P. Fay und I. Adesida. „Metamorphic graded bandgap InGaAs-InGaAlAs-InAlAs double heterojunction p-i-I-n photodiodes“. Journal of Lightwave Technology 20, Nr. 3 (März 2002): 507–14. http://dx.doi.org/10.1109/50.989001.
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