Zeitschriftenartikel zum Thema „III-V technology“
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Lile, D. L. „Advanced III–V semiconductor materials technology assessment“. Thin Solid Films 141, Nr. 2 (August 1986): L93—L94. http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(86)90363-9.
Der volle Inhalt der QuellePEARTON, S. J. „ION IMPLANTATION IN III–V SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY“. International Journal of Modern Physics B 07, Nr. 28 (30.12.1993): 4687–761. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979293003814.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, John H., Stan Tsai, Charan Surisetty, Jody Fronheiser, Shariq Siddiqui, Steven Bentley, Raghuveer Patlolla, Donald F. Canaperi, Walter Kleemeier und Cathy Labelle. „CMP Challenges for Advanced Technology Nodes beyond Si“. MRS Advances 2, Nr. 51 (2017): 2891–902. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.339.
Der volle Inhalt der QuelleHuber, A. M., und C. Grattepain. „Crystal Defect Study in III-V Compound Technology“. Materials Science Forum 38-41 (Januar 1991): 1345–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.1345.
Der volle Inhalt der QuelleBeneking, Heinz. „III–V Technology: The Key for Advanced Devices“. Journal of The Electrochemical Society 136, Nr. 9 (01.09.1989): 2680–86. http://dx.doi.org/10.1149/1.2097549.
Der volle Inhalt der QuelleHasegawa, Hideki, und Masamichi Akazawa. „Surface passivation technology for III–V semiconductor nanoelectronics“. Applied Surface Science 255, Nr. 3 (November 2008): 628–32. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.002.
Der volle Inhalt der QuelleLiliental-Weber, Z., M. Li, G. S. Li, C. Chang-Hasnain und E. R. Weber. „Structure of III-V oxides“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 54 (11.08.1996): 942–43. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100167172.
Der volle Inhalt der QuelleThakur, R. P. S., R. Singh, A. J. Nelson und A. B. Swartzlander. „Role ofinsiturapid isothermal processing in advanced III‐V technology“. Journal of Applied Physics 70, Nr. 7 (Oktober 1991): 3857–61. http://dx.doi.org/10.1063/1.349191.
Der volle Inhalt der QuellePearton, S. J., F. Ren, S. N. G. Chu, W. S. Hobson, C. R. Abernathy, T. R. Fullowan, J. R. Lothian, R. G. Elliman, D. C. Jacobson und J. M. Poate. „Applications of ion implantation in III–V device technology“. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 79, Nr. 1-4 (Juni 1993): 648–50. http://dx.doi.org/10.1016/0168-583x(93)95434-7.
Der volle Inhalt der QuelleDutta, P. S. „III–V Ternary bulk substrate growth technology: a review“. Journal of Crystal Growth 275, Nr. 1-2 (Februar 2005): 106–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.10.073.
Der volle Inhalt der QuelleMiyauchi, Eizo, und Hisao Hashimoto. „Maskless ion implantation technology for III–V compound semiconductors“. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 7-8 (März 1985): 851–57. http://dx.doi.org/10.1016/0168-583x(85)90482-3.
Der volle Inhalt der QuelleHirano, Koki. „AWPP 2011 Report Injection Molding & Mold Technology III~V“. Seikei-Kakou 24, Nr. 3 (20.02.2012): 148. http://dx.doi.org/10.4325/seikeikakou.24.148.
Der volle Inhalt der QuelleShahrjerdi, D., S. W. Bedell, B. Hekmatshoar, C. Bayram und D. Sadana. „(Invited) New Paradigms for Cost-Effective III-V Photovoltaic Technology“. ECS Transactions 50, Nr. 40 (01.04.2013): 15–22. http://dx.doi.org/10.1149/05040.0015ecst.
Der volle Inhalt der QuelleVitanov, P., M. Milanova, E. Goranova, Ch Dikov, Pl Ivanov und V. Bakardjieva. „Solar cell technology on the base of III–V heterostructures“. Journal of Physics: Conference Series 253 (01.11.2010): 012044. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/253/1/012044.
Der volle Inhalt der QuelleHashimoto, H., und E. Miyauchi. „Finely focused ion beam technology in III-V compound semiconductors“. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 19-20 (Januar 1987): 381–87. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-583x(87)80075-7.
Der volle Inhalt der QuelleAlles, David S., und Kevin J. Brady. „Packaging Technology for III-V Photonic Devices and Integrated Circuits“. AT&T Technical Journal 68, Nr. 1 (02.01.1989): 83–92. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00648.x.
Der volle Inhalt der QuelleThadathil, George. „Editorial: Technology and Evolving Social Spaces“. SALESIAN JOURNAL OF HUMANITIES & SOCIAL SCIENCES 4, Nr. 1 (01.05.2013): v—iii. http://dx.doi.org/10.51818/sjhss.04.2013.v-iii.
Der volle Inhalt der QuellePacella, Nan Y., Kunal Mukherjee, Mayank T. Bulsara und Eugene A. Fitzgerald. „Silicon CMOS Ohmic Contact Technology for Contacting III-V Compound Materials“. ECS Journal of Solid State Science and Technology 2, Nr. 7 (2013): P324—P331. http://dx.doi.org/10.1149/2.015307jss.
Der volle Inhalt der QuelleNISHIYAMA, Nobuhiko. „Low-Temperature Direct Bonding Technology for III-V/Si Heterogeneous Integration“. Review of Laser Engineering 48, Nr. 10 (2020): 520. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.48.10_520.
Der volle Inhalt der QuelleCross, T. A., und C. R. Huggins. „Advanced single crystal III-V solar cell technology and its applications“. Renewable Energy 6, Nr. 3 (April 1995): 283–90. http://dx.doi.org/10.1016/0960-1481(95)00021-b.
Der volle Inhalt der QuelleLong, A. P., und I. G. Eddison. „Advanced III–V HEMT technology for microwave and millimetre-wave applications“. Microelectronic Engineering 19, Nr. 1-4 (September 1992): 389–95. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(92)90460-9.
Der volle Inhalt der QuelleQuay, Ruediger, Arnulf Leuther, Sebastien Chartier, Laurenz John und Axel Tessmann. „(Invited) III-V Integration on Silicon for Resource-Efficient Sensor-Technology“. ECS Meeting Abstracts MA2023-01, Nr. 33 (28.08.2023): 1853. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01331853mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleQuay, Ruediger, Arnulf Leuther, Sebastien Chartier, Laurenz John und Axel Tessmann. „(Invited) III-V Integration on Silicon for Resource-Efficient Sensor-Technology“. ECS Transactions 111, Nr. 1 (19.05.2023): 117–22. http://dx.doi.org/10.1149/11101.0117ecst.
Der volle Inhalt der QuellePEARTON, S. J. „REACTIVE ION ETCHING OF III–V SEMICONDUCTORS“. International Journal of Modern Physics B 08, Nr. 14 (30.06.1994): 1781–876. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979294000762.
Der volle Inhalt der QuelleMcMORROW, DALE, JOSEPH S. MELINGER und ALVIN R. KNUDSON. „SINGLE-EVENT EFFECTS IN III-V SEMICONDUCTOR ELECTRONICS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, Nr. 02 (Juni 2004): 311–25. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002375.
Der volle Inhalt der QuelleJi, Chunnuan, Rongjun Qu, Qinghua Tang, Xiguang Liu, Hou Chen, Changmei Sun und Peng Yin. „Removal of trace As(V) from aqueous solution by Fe(III)-loaded porous amidoximated polyacrylonitrile“. Water Supply 16, Nr. 6 (18.05.2016): 1603–13. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2016.085.
Der volle Inhalt der QuelleXi, Jianhong, und Mengchang He. „Removal of Sb(III) and Sb(V) from aqueous media by goethite“. Water Quality Research Journal 48, Nr. 3 (01.08.2013): 223–31. http://dx.doi.org/10.2166/wqrjc.2013.030.
Der volle Inhalt der QuelleNayak, Bishwajit, Md Amir Hossain, Mrinal Kumar Sengupta, Saad Ahamed, Bhaskar Das, Arup Pal und Amitava Mukherjee. „Adsorption Studies with Arsenic onto Ferric Hydroxide Gel in a Non-oxidizing Environment: the Effect of Co-occurring Solutes and Speciation“. Water Quality Research Journal 41, Nr. 3 (01.08.2006): 333–40. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.037.
Der volle Inhalt der QuelleWEAVER, B. D., DALE McMORROW und L. M. COHN. „RADIATION EFFECTS IN III-V SEMICONDUCTOR ELECTRONICS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 13, Nr. 01 (März 2003): 293–326. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156403001624.
Der volle Inhalt der QuelleBarnett, Joel, Richard Hill und Prashant Majhi. „Achieving Ultra-Shallow Junctions in Future CMOS Devices by a Wet Processing Technique“. Solid State Phenomena 187 (April 2012): 33–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.187.33.
Der volle Inhalt der QuelleSingh, Jay, C. L. Maurya, Rishabh Gupta, Sunil Kumar, Shivam Chaturvedi, Ajay Pratap Singh und Dhruvendra Singh Sachan. „Genetic Divergence Analysis of Wheat (Triticum aestivum L.) Genotypes“. Journal of Experimental Agriculture International 46, Nr. 5 (21.03.2024): 287–92. http://dx.doi.org/10.9734/jeai/2024/v46i52377.
Der volle Inhalt der QuelleYan, Zhao, und Qiang Li. „Recent progress in epitaxial growth of dislocation tolerant and dislocation free III–V lasers on silicon“. Journal of Physics D: Applied Physics 57, Nr. 21 (29.02.2024): 213001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ad26cd.
Der volle Inhalt der QuelleJi, Chunnuan, Suwen Sun, Shenghua Chi, Rongjun Qu, Changmei Sun und Peng Yin. „Arsenic adsorption using Fe(III)-loaded porous amidoximated acrylonitrile/itaconic copolymers“. Water Supply 17, Nr. 3 (11.10.2016): 698–706. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2016.148.
Der volle Inhalt der QuelleGao, Luyao, Mengna Hao, Fanling Bu, Chunnuan Ji, Rongjun Qu, Changmei Sun und Ying Zhang. „As(III) removal by Fe(III)-amidoximated PAN in the presence of H2O2 through simultaneous oxidation and adsorption“. Water Supply 20, Nr. 2 (30.12.2019): 565–73. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2019.201.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, G. J., X. R. Zhang, J. Jain, J. W. Talley und C. R. Neal. „Stability of inorganic arsenic species in simulated raw waters with the presence of NOM“. Water Supply 6, Nr. 6 (01.12.2006): 175–82. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2006.954.
Der volle Inhalt der QuelleGhosh, Uday Chand, Durjoy Bandyopadhyay, Biswaranjan Manna und Manik Mandal. „Hydrous Iron(III)-Tin(IV) Binary Mixed Oxide: Arsenic Adsorption Behaviour from Aqueous Solution“. Water Quality Research Journal 41, Nr. 2 (01.05.2006): 198–209. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.023.
Der volle Inhalt der QuelleHiraki, Tatsurou, Takuma Aihara, Koji Takeda, Takuro Fujii, Takaaki Kakitsuka, Tai Tsuchizawa, Hiroshi Fukuda und Shinji Matsuo. „III–V/Si integration technology for laser diodes and Mach–Zehnder modulators“. Japanese Journal of Applied Physics 58, SB (27.03.2019): SB0803. http://dx.doi.org/10.7567/1347-4065/ab0741.
Der volle Inhalt der QuelleLee, R. T. P., W. Y. Loh, R. Tieckelmann, T. Orzali, C. Huffman, A. Vert, G. Huang et al. „(Invited) Technology Options to Reduce Contact Resistance in Nanoscale III-V MOSFETs“. ECS Transactions 66, Nr. 4 (15.05.2015): 125–34. http://dx.doi.org/10.1149/06604.0125ecst.
Der volle Inhalt der QuelleDeshpande, V. V., V. Djara, D. Caimi, E. O'Connor, M. Sousa, L. Czornomaz und J. Fompeyrine. „(Invited) Material and Device Integration for Hybrid III-V/SiGe CMOS Technology“. ECS Transactions 69, Nr. 10 (02.10.2015): 131–42. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0131ecst.
Der volle Inhalt der QuelleCheng, K. Y. „Molecular beam epitaxy technology of III-V compound semiconductors for optoelectronic applications“. Proceedings of the IEEE 85, Nr. 11 (1997): 1694–714. http://dx.doi.org/10.1109/5.649646.
Der volle Inhalt der QuelleKwo, J. R., T. D. Lin, M. L. Huang, P. Chang, Y. J. Lee und M. Hong. „Advances on III-V MOSFET for Science and Technology beyond Si CMOS“. ECS Transactions 19, Nr. 2 (18.12.2019): 593–603. http://dx.doi.org/10.1149/1.3122118.
Der volle Inhalt der QuelleHarris, H. Michael. „III–V MESFET and HEMT research at the Georgia technology research institute“. III-Vs Review 4, Nr. 2 (April 1991): 28–30. http://dx.doi.org/10.1016/0961-1290(91)90190-8.
Der volle Inhalt der QuelleKúdela, R., J. Šoltýs, M. Kučera, R. Stoklas, F. Gucmann, M. Blaho, M. Mičušík et al. „Technology and application of in-situ AlOx layers on III-V semiconductors“. Applied Surface Science 461 (Dezember 2018): 33–38. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.06.229.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Subin, Seong Kwang Kim, Jae-Hoon Han, Jin Dong Song, Dong-Hwan Jun und Sang-Hyeon Kim. „Epitaxial Lift-Off Technology for Large Size III–V-on-Insulator Substrate“. IEEE Electron Device Letters 40, Nr. 11 (November 2019): 1732–35. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2944155.
Der volle Inhalt der QuelleL�th, H. „Research on III-V Semiconductor Interfaces: Its Impact on Technology and Devices“. physica status solidi (a) 187, Nr. 1 (September 2001): 33–44. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(200109)187:1<33::aid-pssa33>3.0.co;2-9.
Der volle Inhalt der QuelleSri sukmawati, Ni made, I. made Citra wibawa und Putu Aditya antara. „Pengaruh Model Pembelajaran Science Environment Technology Society Terhadap Hasil Belajar Ilmu Pengetahuan Alam“. Jurnal Ilmiah Sekolah Dasar 2, Nr. 3 (28.11.2018): 329. http://dx.doi.org/10.23887/jisd.v2i3.16149.
Der volle Inhalt der QuelleSingh, Tony Sarvinder, und Kamal K. Pant. „Kinetics and Mass Transfer Studies on the Adsorption of Arsenic onto Activated Alumina and Iron Oxide Impregnated Activated Alumina“. Water Quality Research Journal 41, Nr. 2 (01.05.2006): 147–56. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.017.
Der volle Inhalt der QuelleChang, Y. Y., K. S. Kim, J. H. Jung, J. K. Yang und S. M. Lee. „Application of iron-coated sand and manganese-coated sand on the treatment of both As(III) and As(V)“. Water Science and Technology 55, Nr. 1-2 (01.01.2007): 69–75. http://dx.doi.org/10.2166/wst.2007.029.
Der volle Inhalt der QuelleYamaguchi, Masafumi, Frank Dimroth, Nicholas J. Ekins-Daukes, Nobuaki Kojima und Yoshio Ohshita. „Overview and loss analysis of III–V single-junction and multi-junction solar cells“. EPJ Photovoltaics 13 (2022): 22. http://dx.doi.org/10.1051/epjpv/2022020.
Der volle Inhalt der QuelleHorng, Ray-Hua, Ming-Chun Tseng und Shui-Yang Lien. „Reliability Analysis of III-V Solar Cells Grown on Recycled GaAs Substrates and an Electroplated Nickel Substrate“. International Journal of Photoenergy 2013 (2013): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2013/108696.
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