Bücher zum Thema „III-V technology“
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Ayşe, Erol, Hrsg. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenErol, Ayşe. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAyşe, Erol, Hrsg. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems: Physics and technology. Berlin: Springer, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLi, Tingkai, Michael A. Mastro und Armin Dadgar. III-V compound semiconductors: Integration with silicon-based microelectronics. Boca Raton: Taylor & Francis, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenConference on Semi-insulating III-V Materials (5th 1988 Malmö, Sweden). Semi-insulating III-V materials: Malmö, 1988 : proceedings of the 5th Conference on Semi-insulating III-V Materials held in Malmö, Sweden, 1-3 June 1988. Bristol, England: A. Hilger, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenEkaterinburg, Russia) Mezhdunarodnyĭ nauchno-prakticheskiĭ seminar "Intellektualʹnye informat︠s︡ionnye tekhnologii v. upravlencheskoĭ dei︠a︡telʹnosti" (3rd 2001. Intellektualʹnye informat︠s︡ionnye tekhnologii v upravlencheskoĭ dei︠a︡telʹnosti: III Mezhdunarodnyĭ nauchno-prakticheskiĭ seminar, 23-24 i︠a︡nvari︠a︡ 2001 g. : materialy. Ekaterinburg: Uralʹskiĭ gos. tekhn. universitet, 2001.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMezhdunarodnai︠a︡, nauchnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ "Chelovek kulʹtura i. obshchestvo v. kontekste globalizat︠s︡ii sovremennogo mira" (3rd 2004 Moscow Russia). Chelovek, kulʹtura i obshchestvo v kontekste globalizat︠s︡ii sovremennogo mira: Ėlektronnai︠a︡ kulʹtura i novye gumanitarnye tekhnologii XXI veka : materialy III Mezhdunarodnoĭ nauchnoĭ konferent︠s︡ii. Moskva: Izd-vo "Nezavisimyĭ in-t grazhdanskogo ob-va", 2004.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSoldatkina, I͡A V., und Elena I͡Urʹevna Lazareva. Mediĭnye prot︠s︡essy v sovremennom gumanitarnom prostranstve: Podkhody k izuchenii︠u︡, ėvoli︠u︡t︠s︡ii︠a︡, perspektivy : materialy III nauchno-prakticheskoĭ konferent︠s︡ii. Moskva: MPGU, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBelarus) Mezhdunarodnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ "Informat︠s︡ionnye sistemy i tekhnologii" (3nd 2006 Minsk. Informat︠s︡ionnye sistemy i tekhnologii (IST'2006): Tretʹi︠a︡ Mezhdunarodnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ (Minsk, 1--3 noi︠a︡bri︠a︡ 2006 g.) : materialy : v 2 chasti︠a︡kh = Information systems and technologies (IST'2006) : proceedings of the III International conference (Minsk, November 1--3, 2006) In two parts. Minsk: Akademii︠a︡ upravlenii︠a︡ pri Prezidente Respubliki Belarusʹ, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenUnited States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Growth and characterization of binary and pseudo-binary III-V compounds exhibiting non-linear optical behavior and undergraduate research opportunities in microgravity science and technology. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle findenConference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors (2nd 1986 Budapest, Hungary). Gallium arsenide: Proceedings of the Second Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors, held in Budapest, Hungary, September 8-11, 1986. Herausgegeben von Lendvay E und Magyar Tudományos Akadémia. [Aedermannsdorf], Switzerland: Trans Tech Publications, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenProst, Werner. Technologie der III/V-Halbleiter. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8.
Der volle Inhalt der QuelleTiku, Shiban, und Dhrubes Biswas. III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTiku, Shiban, und Dhrubes Biswas. III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Taylor & Francis Group, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTiku, Shiban, und Dhrubes Biswas. III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLi, Tingkai, Armin Dadgar und Michael Mastro. III V Compound Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2021.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenProperties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. New York: John Wiley & Sons, Ltd., 2005.
Den vollen Inhalt der Quelle findenErol, Ayse. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology. Springer, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNirmal, D., und J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2020.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNirmal, D., und J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNirmal, D., und J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNirmal, D., und J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLi, Tingkai, Armin Dadgar und Michael Mastro. III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics. Taylor & Francis Group, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLi, Tingkai, Armin Dadgar und Michael Mastro. III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics. Taylor & Francis Group, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2020.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMadelung, Otfried. Semiconductors: Group IV Elements and Iii-V Compounds (Data in Science and Technology). Springer-Verlag, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenGrossman. Semi-insulating III-V Materials, Malmo 1988, Proceedings of the 5th Conference on Semi-insulating III-V Materials, Malmo, Sweden, 1-3 June 1988. Taylor & Francis, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMadelung, Otfried. Semiconductors: Others Than Group IV Elements and Iii-V Compounds (Data in Science and Technology). Springer, 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHeime, Klaus. Indium Gallium Arsenide Field-effect Transistors (Electronic & Electrical Engineering Research Studies - III-V Compound Technology Series). Research Studies Press, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRössler, U., und W. von der Osten. Intrinsic Properties of Group IV Elements and III-V, II-VI and I-VII Compounds / Intrinsische Eigenschaften von Elementen der IV. Gruppe und von III-V-, ... Relationships in Science & Technology). Springer, 1986.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPearton, S. J., C. R. Abernathy und F. Ren. Topics in Growth and Device Processing of Iii-V Semiconductors (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology). World Scientific Publishing Company, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle finden(Contributor), T. Dalibor, R. P. Devaty (Contributor), P. Giannozzi (Contributor), W. Kulisch (Contributor), B. Meyer (Contributor), R. Murray (Contributor), R. C. Newman (Contributor), L. Pavesi (Contributor), G. Pensl (Contributor) und A. Willoughby (Contributor), Hrsg. Impurities and Defects in Group IV-IV and III-V Compounds: Supplement to Vol. III/22b (Print Version), Revised and Updated Edition of Vol. III/22b (CD-ROM) ... in Science and Technology - New Series, B). Springer, 2003.
Den vollen Inhalt der Quelle findenGrowth and characterization of binary and pseudo-binary III-V compounds exhibiting non-linear optical behavior and undergraduate research opportunities in microgravity science and technology. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHepp, A. F. Covalent Ceramics III: Science and Technology of Non-Oxides : Symposium Held November 27-29, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A (Materials Research Society Symposia Proceedings, V. 410.). Materials Research Society, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenConference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors (2nd 1986 Budapest, Hungary). Gallium arsenide: Proceedings of the second conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors, held in Budapest, Hungary, September 8-11, 1986. Herausgegeben von Lendvay E und Magyar Tudoma nyos Akade mia. Switzerland ; Distributed in North America by Trans Tech Publications, Brookfield, VT, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBrownsword, Roger, Eloise Scotford und Karen Yeung, Hrsg. The Oxford Handbook of Law, Regulation and Technology. Oxford University Press, 2016. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199680832.001.0001.
Der volle Inhalt der QuelleTechnologie der III/V-Halbleiter: III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenProst, Werner. Technologie der III/V-Halbleiter. III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente. Springer Verlag, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSolymar, L., D. Walsh und R. R. A. Syms. Semiconductors. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198829942.003.0008.
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