Bücher zum Thema „Gallium nitride“
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1922-, Pankove Jacques I., und Moustakas T. D, Hrsg. Gallium nitride (GaN). San Diego: Academic Press, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1922-, Pankove Jacques I., Moustakas T. D und Willardson Robert K, Hrsg. Gallium nitride (GaN) II. San Diego: Academic Press, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFeenstra, Randall M., und Colin E. C. Wood, Hrsg. Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2008. http://dx.doi.org/10.1002/9780470751817.
Der volle Inhalt der QuelleEhrentraut, Dirk, Elke Meissner und Michal Bockowski, Hrsg. Technology of Gallium Nitride Crystal Growth. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-04830-2.
Der volle Inhalt der QuelleB, Gil, Hrsg. Low-dimensional nitride semiconductors. Oxford: Oxford University Press, 2002.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMichael, Shur, und Davis Robert F. 1942-, Hrsg. GaN-based materials and devices: Growth, fabrication, characterization and performance. Singapore: World Scientific, 2004.
Den vollen Inhalt der Quelle findenInternational Conference on Nitride Semiconductors (4th 2001 Denver, Colo.). ICNS-4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, 2001 : proceedings. Berlin: Wiley-VCH, 2002.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChuan, Feng Zhe, Hrsg. III-nitride devices and nanoengineering. London: Imperial College Press, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenVserossiĭskoe soveshchanie "Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory" (2nd 1998 St. Petersburg, Russia). Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory: Materialy 2-go vserossiĭskogo soveshchanii︠a︡, 2 ii︠u︡nii︠a︡ 1998 g., Sankt-Peterburgskiĭ gosudarstvennyĭ tekhnicheskiĭ universitet = Gallium nitride, indium nitride, aluminum nitride--structures and devices : technical digest : the 2nd Russian Workshop, June 2, 1998, St.-Petersburg State Technical University. Sankt-Peterburg: Sankt-Peterburgskiĭ gos. tekhn. universitet, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenConference on Semiconducting and Insulating Materials (9th 1996 Toulouse, France). Semiconducting and insulating materials 1996: Proceedings of the 9th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC'9), April 29/May 3, 1996, Toulouse, France. New York: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenInternational, Workshop on Nitride Semiconductors (2000 Nagoya Japan). IWN Nagoya 2000: International Workshop on Nitride Semiconductors : IWN2000 : September 24-27, 2000, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan. Tokyo: Institute of Pure and Applied Physics, 2000.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFong, Chee Yong. Sol-gel spin coating growth of gallium nitride thin films: A simple, safe, and cheap approach. Pulau Pinang: Penerbit Universiti Sains Malaysia, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMeneghesso, Gaudenzio, Matteo Meneghini und Enrico Zanoni, Hrsg. Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-77994-2.
Der volle Inhalt der QuelleH, Edgar James, Hrsg. Properties, processing and applications of gallium nitride and related semiconductors. London: INSPEC, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenA, Ponce Fernando, Hrsg. Gallium nitride and related materials: The First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenW, Litton Cole, und Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., Hrsg. Gallium nitride materials and devices: 23-25 January 2006, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenC, Wood Colin E., Hrsg. Porous silicon carbide and gallium nitride: Epitaxy, catalysis, and biotechnology applications. Chichester, England: John Wiley & Sons, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKorbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKorbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław: Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSymposium on GaN, AIN, InN and Related Materials (2005 Boston, Mass.). GaN, AIN, InN and related materials: Symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A. Herausgegeben von Kuball Martin und Materials Research Society Meeting. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenEuropean, GaN Workshop (2nd 1997 Sophia-Antipolis France). EGW-2 proceedings: The Second European GaN Workshop, June 11-13, 1997, Valbonne Sophia-Antipolis, France. [S.l.]: Materials Research Society, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenEuropean GaN Workshop (3rd 1998 Jadwisin, Poland). EGW-3 proceedings: The Third European GaN Workshop, held June 22-24 June 1998, Jadwisin, Poland. Herausgegeben von Krukowski Stanisław. Warrendale, PA: Materials Research Society, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenEuropean GaN Workshop (1st 1996 Rigi-Kaltbad, Switzerland). EGW-1 proceedings: The First European GaN Workshop held June 2-4, 1996, Rigi, Switzerland. Herausgegeben von Hellman Eric Sven, Kamp Markus und Strite Toby. [S.l.]: Materials Research Society, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenR, Abernathy C., Amano H und Zolper J. C, Hrsg. Gallium nitride and related materials II: Symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSzweda, Roy. Gallium nitride & related wide bandgap materials & devices: A market & technology overview 1996-2001. Oxford, UK: Elsevier Advanced Technology, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRussell, D. The preparation and characterisation of gallium nitride and group III-V related compounds. Leicester: De Montfort University, 2003.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFriedhelm, Bechstedt, Meyer B. K, Stutzmann M und Deutsche Forschungsgemeinschaft, Hrsg. Group III-nitrides and their heterostructures: Growth, characterization and applications. Weinheim: Wiley-VCH, 2003.
Den vollen Inhalt der Quelle findenGallium Nitride Electronics. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-71892-5.
Der volle Inhalt der QuelleGallium nitride electronics. Berlin: Springer, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenQuay, Rüdiger. Gallium Nitride Electronics. Springer, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWillardson, Robert K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber und Jacques I. Pankove. Gallium Nitride (GaN) I. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenYu, Hongyu, und Tianli Duan, Hrsg. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315196626.
Der volle Inhalt der QuelleGallium Nitride (GaN) I. Elsevier, 1997. http://dx.doi.org/10.1016/s0080-8784(08)x6082-x.
Der volle Inhalt der QuelleGallium Nitride Power Devices. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenYu, HongYu, und Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWillardson, R. K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber und Jacques I. Pankove. Gallium-Nitride (GaN) II. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenYu, HongYu, und Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLuminescence Studies of Ion-Implanted Gallium Nitride and Aluminum Gallium Nitride. Storming Media, 2003.
Den vollen Inhalt der Quelle finden(Editor), Jacques I. Pankove, und Theodore D. Moustakas (Editor), Hrsg. Gallium Nitride 1,2 (Semiconductors & Semimetals). Academic Press, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTwo-Dimensional Modeling of Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor. Storming Media, 2002.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenGallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2015.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTadjer, Marko, und Travis J. Anderson. Thermal Management of Gallium Nitride Electronics. Elsevier Science & Technology, 2022.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMedjdoub, Farid. Gallium Nitride: Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Den vollen Inhalt der Quelle findenThermal Management of Gallium Nitride Electronics. Elsevier, 2022. http://dx.doi.org/10.1016/c2019-0-01758-x.
Der volle Inhalt der QuelleTechnology of gallium nitride crystal growth. Heidelberg: Springer, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMorkoç, Hadis, Jen-Inn Chyi und Yasushi Nanishi. Gallium Nitride Materials and Devices IX. SPIE, 2014.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTadjer, Marko, und Travis J. Anderson. Thermal Management of Gallium Nitride Electronics. Elsevier Science & Technology, 2021.
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