Zeitschriftenartikel zum Thema „GaAs Schottky diodes“
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Liu, Hai Rui, und Jun Sheng Yu. „Characterization of Metal-Semiconductor Schottky Diodes and Application on THz Detection“. Advanced Materials Research 683 (April 2013): 729–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.683.729.
Der volle Inhalt der QuelleOzdemir, Ahmet Faruk, Adnan Calik, Guven Cankaya, Osman Sahin und Nazim Ucar. „Effect of Indentation on I-V Characteristics of Au/n-GaAs Schottky Barrier Diodes“. Zeitschrift für Naturforschung A 63, Nr. 3-4 (01.04.2008): 199–202. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2008-3-414.
Der volle Inhalt der QuelleWeikle, Robert M., S. Nadri, C. M. Moore, N. D. Sauber, L. Xie, M. E. Cyberey, N. Scott Barker, A. W. Lichtenberger und M. Zebarjadi. „Thermal Characterization of Quasi-Vertical GaAs Schottky Diodes Integrated on Silicon Using Thermoreflectance and Electrical Transient Measurements“. Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2019, DPC (01.01.2019): 001293–310. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491-2019-dpc-presentation_tha3_009.
Der volle Inhalt der QuelleKlyuev, Alexey V., Arkady V. Yakimov und Irene S. Zhukova. „1/f Noise in Ti–Au/n-Type GaAs Schottky Barrier Diodes“. Fluctuation and Noise Letters 14, Nr. 03 (29.06.2015): 1550029. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477515500297.
Der volle Inhalt der QuellePowell, J. R., Colin Viegas, Hoshiar Singh Sanghera, P. G. Huggard und Byron Alderman. „Comparing Novel MMIC and Hybrid Circuit High Efficiency GaAs Schottky Diode mm-Wave Frequency Doublers“. Electronics 9, Nr. 10 (19.10.2020): 1718. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101718.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Yang, Bo Zhang, Yinian Feng, Xiaolin Lv, Dongfeng Ji, Zhongqian Niu, Yilin Yang, Xiangyang Zhao und Yong Fan. „Development of 340-GHz Transceiver Front End Based on GaAs Monolithic Integration Technology for THz Active Imaging Array“. Applied Sciences 10, Nr. 21 (09.11.2020): 7924. http://dx.doi.org/10.3390/app10217924.
Der volle Inhalt der QuelleKAHVECI, OSMAN, ABDULLAH AKKAYA, ENISE AYYILDIZ und ABDÜLMECIT TÜRÜT. „COMPARISON OF THE Ti/n-GaAs SCHOTTKY CONTACTS’ PARAMETERS FABRICATED USING DC MAGNETRON SPUTTERING AND THERMAL EVAPORATION“. Surface Review and Letters 24, Nr. 04 (10.08.2016): 1750047. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x17500470.
Der volle Inhalt der QuelleYILDIRIM, N., H. DOGAN, H. KORKUT und A. TURUT. „DEPENDENCE OF CHARACTERISTIC DIODE PARAMETERS IN Ni/n-GaAs CONTACTS ON THERMAL ANNEALING AND SAMPLE TEMPERATURE“. International Journal of Modern Physics B 23, Nr. 27 (30.10.2009): 5237–49. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209053564.
Der volle Inhalt der QuelleGromov, Dmitry, und Vadim Elesin. „Long-term radiation effects in GaAs microwave devices exposed to pulsed ionizing radiation“. ITM Web of Conferences 30 (2019): 10005. http://dx.doi.org/10.1051/itmconf/20193010005.
Der volle Inhalt der QuelleCROWE, THOMAS W., ROBERT J. MATTAUCH, ROBERT M. WEIKLE und UDAYAN V. BHAPKAR. „TERAHERTZ GaAs DEVICES AND CIRCUITS FOR HETERODYNE RECEIVER APPLICATIONS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, Nr. 01 (März 1995): 125–61. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000043.
Der volle Inhalt der QuelleVittone, E., P. Olivero, F. Nava, C. Manfredotti, A. Lo Giudice, F. Fizzotti und G. Egeni. „Lateral IBIC analysis of GaAs Schottky diodes“. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 231, Nr. 1-4 (April 2005): 513–17. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2005.01.109.
Der volle Inhalt der QuelleShi, Z. Q., und W. A. Anderson. „Cryogenic processing of metal/GaAs schottky diodes“. Solid-State Electronics 35, Nr. 10 (Oktober 1992): 1427–32. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(92)90078-q.
Der volle Inhalt der QuelleKonishi, Y., S. T. Allen, M. Reddy, M. J. W. Rodwell, R. P. Smith und J. Liu. „AlAs/GaAs Schottky-collector resonant-tunnel-diodes“. Solid-State Electronics 36, Nr. 12 (Dezember 1993): 1673–76. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(93)90212-9.
Der volle Inhalt der QuellePham, Q. P., W. M. Kelly, P. Maaskant und J. O'Brien. „High reliability sputtered Schottky diodes on GaAs“. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 12, Nr. 1 (Januar 1991): 23–31. http://dx.doi.org/10.1007/bf01041880.
Der volle Inhalt der QuellePark, Il-Yong, und Yearn-Ik Choi. „Analytic Breakdown Modeling for GaAs Schottky Diodes“. Physica Scripta T79, Nr. 1 (1999): 314. http://dx.doi.org/10.1238/physica.topical.079a00314.
Der volle Inhalt der QuelleCrowe, T. W., R. J. Mattauch, H. P. Roser, W. L. Bishop, W. C. B. Peatman und X. Liu. „GaAs Schottky diodes for THz mixing applications“. Proceedings of the IEEE 80, Nr. 11 (1992): 1827–41. http://dx.doi.org/10.1109/5.175258.
Der volle Inhalt der QuellePalmour, John W. „Energy Efficiency: The Commercial Pull for SiC Devices“. Materials Science Forum 527-529 (Oktober 2006): 1129–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1129.
Der volle Inhalt der QuelleTan, Shih-Wei, und Shih-Wen Lai. „A Current Transport Mechanism on the Surface of Pd-SiO2Mixture for Metal-Semiconductor-Metal GaAs Diodes“. Advances in Materials Science and Engineering 2013 (2013): 1–4. http://dx.doi.org/10.1155/2013/531573.
Der volle Inhalt der QuelleВедь, М. В., М. В. Дорохин, B. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев und Ю. А. Данилов. „Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs“. Письма в журнал технической физики 45, Nr. 13 (2019): 33. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.13.47955.17812.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Xiaolei, Xupeng Sun, Shuainan Cui, Qianqian Yang, Tianrui Zhai, Jinliang Zhao, Jinxiang Deng und Antonio Ruotolo. „Physical Investigations on Bias-Free, Photo-Induced Hall Sensors Based on Pt/GaAs and Pt/Si Schottky Junctions“. Sensors 21, Nr. 9 (25.04.2021): 3009. http://dx.doi.org/10.3390/s21093009.
Der volle Inhalt der QuelleLakhdari, Issam, Nouredine Sengouga, Madani Labed, Toufik Tibermacine, Riaz Mari und Mohamed Henini. „Schottky contact diameter effect on the electrical properties and interface states of Ti/Au/p-AlGaAs/GaAs/Au/Ni/Au Be-doped p-type MBE Schottky diodes“. Semiconductor Science and Technology 37, Nr. 5 (13.04.2022): 055022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac612a.
Der volle Inhalt der QuelleFischler, W., P. Buchberger, R. A. Höpfel und G. Zandler. „Ultrafast reflectivity changes in photoexcited GaAs Schottky diodes“. Applied Physics Letters 68, Nr. 20 (13.05.1996): 2778–80. http://dx.doi.org/10.1063/1.116604.
Der volle Inhalt der QuelleAshkinazi, G., B. Meyler, M. Nathan, L. Zolotarevski und O. Zolotarevski. „Breakdown voltage of high-voltage GaAs Schottky diodes“. Solid-State Electronics 36, Nr. 12 (Dezember 1993): 1793–94. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(93)90229-j.
Der volle Inhalt der QuelleAdams, J. G., A. Jelenski, D. H. Navon und Ting-Wei Tang. „Numerical analysis of GaAs epitaxial-layer Schottky diodes“. IEEE Transactions on Electron Devices 34, Nr. 9 (September 1987): 1963–70. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1987.23182.
Der volle Inhalt der QuelleCrowe, T. W., und R. J. Mattauch. „Conversion Loss in GaAs Schottky-Barrier Mixer Diodes“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 34, Nr. 7 (Juli 1986): 753–60. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.1986.1133437.
Der volle Inhalt der QuelleSharda, H., K. Prasad, L. Faraone und A. G. Nassibian. „Annealing studies on Pd/n-GaAs Schottky diodes“. Semiconductor Science and Technology 6, Nr. 8 (01.08.1991): 765–70. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/6/8/009.
Der volle Inhalt der QuellePaccagnella, A., A. Callegari, E. Latta und M. Gasser. „Schottky diodes on hydrogen plasma treatedn‐GaAs surfaces“. Applied Physics Letters 55, Nr. 3 (17.07.1989): 259–61. http://dx.doi.org/10.1063/1.101922.
Der volle Inhalt der QuelleYasuoka, Yoshizumi, Hiromitsu Takao und Narumi Inoue. „Fabrication of sub-0.5-micron GaAs Schottky diodes“. Microelectronic Engineering 11, Nr. 1-4 (April 1990): 101–4. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(90)90081-4.
Der volle Inhalt der QuelleGao, Xian, Ji Long Tang, Dan Fang, Fang Chen, Shuang Peng Wang, Hai Feng Zhao, Xuan Fang et al. „The Electrical Characteristics of GaAs-MgO Interfaces of GaAs MIS Schottky Diodes“. Advanced Materials Research 1118 (Juli 2015): 270–75. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1118.270.
Der volle Inhalt der QuelleMartinez Gil, Javier, Diego Moro-Melgar, Artur Negrus, Ion Oprea und Oleg Cojocari. „Efficiency Assessment of Traditional GaAs and Low-Power InGaAs Schottky Diodes in Full-Band Mixers at 0.3 THz“. Electronics 12, Nr. 21 (03.11.2023): 4518. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12214518.
Der volle Inhalt der QuelleKlyuev, Alexey V., und Arkady V. Yakimov. „Investigation of 1/f Noise and Superimposed RTS Noise in Ti–Au/n-Type GaAs Schottky Barrier Diodes“. Fluctuation and Noise Letters 14, Nr. 04 (09.11.2015): 1550041. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477515500418.
Der volle Inhalt der QuellePrikhodko, A., I. Belikov, D. Mikhailov, A. Shurakov und G. Goltsman. „Towards multipixel THz Schottky diode detector with a single RF output line“. Journal of Physics: Conference Series 2086, Nr. 1 (01.12.2021): 012063. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012063.
Der volle Inhalt der QuelleUchida, Yoko, Tatsuo Yokotsuka, Hisao Nakashima und Shinichiro Takatani. „Electrical properties of thermally stable LaB6/GaAs Schottky diodes“. Applied Physics Letters 50, Nr. 11 (16.03.1987): 670–72. http://dx.doi.org/10.1063/1.98061.
Der volle Inhalt der QuelleArakaki, Hisashi, Kazutoshi Ohashi und Tomoko Sudou. „Sputter-induced defects in Zn-doped GaAs Schottky diodes“. Semiconductor Science and Technology 19, Nr. 1 (30.10.2003): 127–32. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/19/1/021.
Der volle Inhalt der QuelleZaidi, S. H., und A. K. Jonscher. „Spectroscopy of delayed electronic transitions in GaAs Schottky diodes“. Semiconductor Science and Technology 2, Nr. 9 (01.09.1987): 587–96. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/2/9/005.
Der volle Inhalt der QuelleLalinský, T., D. Gregušová, Ž. Mozolová, J. Breza und P. Vogrinčič. „High‐temperature stable Ir‐Al/n‐GaAs Schottky diodes“. Applied Physics Letters 64, Nr. 14 (04.04.1994): 1818–20. http://dx.doi.org/10.1063/1.111988.
Der volle Inhalt der QuelleLechuga, L. M., A. Calle, D. Golmayo und F. Briones. „The ammonia sensitivity of Pt/GaAs Schottky barrier diodes“. Journal of Applied Physics 70, Nr. 6 (15.09.1991): 3348–54. http://dx.doi.org/10.1063/1.349270.
Der volle Inhalt der QuelleShepherd, P. R., und M. J. Cryan. „Schottky diodes for analogue phase shifters in GaAs MMICs“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 44, Nr. 11 (1996): 2112–16. http://dx.doi.org/10.1109/22.543970.
Der volle Inhalt der QuelleSvensson, Stefan P. „Al–Ga–GaAs multimetal Schottky diodes prepared by MBE“. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 3, Nr. 2 (März 1985): 760. http://dx.doi.org/10.1116/1.583137.
Der volle Inhalt der QuelleSt. Jean, C. A., W. L. Bishop, B. K. Sarpong, S. M. Marazita und T. W. Crowe. „Novel fabrication of Ti-Pt-Au/GaAs Schottky diodes“. IEEE Transactions on Electron Devices 47, Nr. 7 (Juli 2000): 1465–68. http://dx.doi.org/10.1109/16.848293.
Der volle Inhalt der QuelleRöser, H. P., H. W. Hübers, T. W. Crowe und W. C. B. Peatman. „Nanostructure GaAS Schottky diodes for far-infrared heterodyne receivers“. Infrared Physics & Technology 35, Nr. 2-3 (März 1994): 451–62. http://dx.doi.org/10.1016/1350-4495(94)90102-3.
Der volle Inhalt der QuelleVearey-Roberts, A. R., und D. A. Evans. „Modification of GaAs Schottky diodes by thin organic interlayers“. Applied Physics Letters 86, Nr. 7 (2005): 072105. http://dx.doi.org/10.1063/1.1864255.
Der volle Inhalt der QuelleVon Roos, O., und Ke-Li Wang. „Conversion Losses in GaAs Schottky-Barrier Diodes (Short Paper)“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 34, Nr. 1 (Januar 1986): 183–88. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.1986.1133301.
Der volle Inhalt der QuelleEftekhari, G. „Electrical characteristics of selenium-treated GaAs MIS Schottky diodes“. Semiconductor Science and Technology 8, Nr. 3 (01.03.1993): 409–11. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/8/3/018.
Der volle Inhalt der QuelleLin, Chia-Chien, und Meng-Chyi Wu. „Electrical and structural properties of Re/GaAs Schottky diodes“. Journal of Applied Physics 85, Nr. 7 (April 1999): 3893–96. http://dx.doi.org/10.1063/1.369777.
Der volle Inhalt der QuelleZheng, Renzhou, Jingbin Lu, Xiaoyi Li, Yu Wang, Yumin Liu, Xu Xu, Ziyi Chen und Xue Zhang. „Optimization design of GaAs-based betavoltaic batteries with p–n junction and Schottky barrier structures“. Journal of Physics D: Applied Physics 55, Nr. 19 (16.02.2022): 194003. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac526a.
Der volle Inhalt der QuelleYILDIRIM, NEZIR, ABDULMECIT TURUT und HULYA DOGAN. „CURRENT–VOLTAGE CHARACTERISTICS OF THERMALLY ANNEALED Ni/n-GaAs SCHOTTKY CONTACTS“. Surface Review and Letters 25, Nr. 04 (11.05.2018): 1850082. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x18500828.
Der volle Inhalt der QuelleIsmail, A., J. M. Palau, E. Vieujot und L. Lassabatere. „Electron beam effect on GaAs real surfaces and on Ag-GaAs Schottky diodes“. Surface Science Letters 157, Nr. 2-3 (Juli 1985): A386. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(85)91097-7.
Der volle Inhalt der QuelleIsmail, A., J. M. Palau, E. Vieujot und L. Lassabatere. „Electron beam effect on GaAs real surfaces and on AgGaAs schottky diodes“. Surface Science 157, Nr. 2-3 (Juli 1985): 319–26. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(85)90675-2.
Der volle Inhalt der QuelleSchmutzler, H. J., W. Platen, D. Kohl und K. Wolter. „Process Dependent Interface States of Ag/(110)GaAs Schottky Diodes“. Materials Science Forum 38-41 (Januar 1991): 1409–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.1409.
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