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Thematische Bibliographien / Fiabilité d’oxyde de grille / Dissertationen

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Dissertationen zum Thema „Fiabilité d’oxyde de grille“

Autor: Grafiati

Veröffentlicht am 25. Mai 2024

Zuletzt aktualisiert am 31. Juli 2025

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1

Gay, Roméric. "Développement de composants analogiques embarqués dans des microcontrôleurs destinés à l'Internet des Objets (loT)." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0218.

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L’objectif de ces travaux de thèse a été d'améliorer les performances, le coût et la surface de silicium occupés par un microcontrôleur fabriqué sur la base d’une technologie mémoire embarquée CMOS (eNVM) 40 nm. Ces améliorations ont été réalisées grâce au développement de nouvelles architectures de transistors adaptées au besoin du marché de l’IoT. Dans une première partie, le contexte dans lequel s’inscrit cette thèse est exposé par la présentation des limites technologiques et économiques de technologie CMOS. Dans une deuxième partie, le procédé de fabrication eNVM ainsi que l’architecture

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2

Ouaida, Rémy. "Vieillissement et mécanismes de dégradation sur des composants de puissance en carbure de silicium (SIC) pour des applications haute température." Thesis, Lyon 1, 2014. http://www.theses.fr/2014LYO10228/document.

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Dans les années 2000, les composants de puissance en carbure de silicium (SiC) font leur apparition sur le marché industriel offrant d'excellentes performances. Elles se traduisent par de meilleurs rendements et des fréquences de découpage plus élevées, entrainant une réduction significative du volume et de la masse des convertisseurs de puissance. Le SiC présente de plus un potentiel important de fonctionnement en haute température (>200°C) et permet donc d'envisager de placer l'électronique dans des environnements très contraints jusqu'alors inaccessibles. Pourtant les parts de marche du

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3

Le, Roux Claire. "Etude de la fiabilité des mémoires non volatiles à grille flottante." Aix-Marseille 1, 2008. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/2008AIX11046.pdf.

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La miniaturisation croissante des mémoires non volatiles entraine l’apparition de nouveaux problèmes de fiabilité. Certaines applications de ces mémoires, notamment les applications automobiles, requièrent des critères de fiabilité très sévères devant garantir le fonctionnement du produit à 150°C. Dans ce contexte, une bonne compréhension des mécanismes de défaillance des mémoires non volatiles à grille flottante est nécessaire. Dans ce mémoire, nous avons étudié de façon approfondie la perte de charges intrinsèque sur une technologie Flash, ce qui nous a permis une meilleure compréhension et

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4

Rebuffat, Benjamin. "Etude de la fiabilité des mémoires non-volatiles à grille flottante." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4383.

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De nombreuses applications industrielles spécifiques dans les secteurs tels que l’automobile, le médical et le spatial, requièrent un très haut niveau de fiabilité. Dans ce contexte, cette thèse traite de l’étude de la fiabilité des mémoires non-volatiles à grille flottante de type NOR Flash. Après une introduction mêlant l’état de l’art des mémoires non volatiles et la caractérisation électrique des mémoires Flash, une étude sur l’effet des signaux de polarisation a été menée. Un modèle a été développé afin de modéliser la cinétique de la tension de seuil durant un effacement. L’effet de la r

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Rebuffat, Benjamin. "Etude de la fiabilité des mémoires non-volatiles à grille flottante." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4383.

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De nombreuses applications industrielles spécifiques dans les secteurs tels que l’automobile, le médical et le spatial, requièrent un très haut niveau de fiabilité. Dans ce contexte, cette thèse traite de l’étude de la fiabilité des mémoires non-volatiles à grille flottante de type NOR Flash. Après une introduction mêlant l’état de l’art des mémoires non volatiles et la caractérisation électrique des mémoires Flash, une étude sur l’effet des signaux de polarisation a été menée. Un modèle a été développé afin de modéliser la cinétique de la tension de seuil durant un effacement. L’effet de la r

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6

Arfaoui, Wafa. "Fiabilité Porteurs Chauds (HCI) des transistors FDSOI 28nm High-K grille métal." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4335.

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Au sein de la course industrielle à la miniaturisation et avec l’augmentation des exigences technologiques visant à obtenir plus de performances sur moins de surface, la fiabilité des transistors MOSFET est devenue un sujet d’étude de plus en plus complexe. Afin de maintenir un rythme de miniaturisation continu, des nouvelles architectures de transistors MOS en été introduite, les technologies conventionnelles sont remplacées par des technologies innovantes qui permettent d'améliorer l'intégrité électrostatique telle que la technologie FDSOI avec des diélectriques à haute constante et grille m

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7

Boujamaa, Rachid. "Caractérisations physico-chimiques et électriques d’empilements de couches d’oxyde à forte permittivité (high-k) / grille métallique pour l’ajustement du travail effectif de la grille : application aux nouvelles générations de transistors." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENT100.

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Cette thèse s'inscrit dans le cadre du développement des technologies CMOS 32/28nm chez STMicroelectronics. Elle porte sur l'étude d'empilements de grille métal/diélectrique high-k élaborés selon une stratégie d'intégration Gate First, où le couple TiN/HfSiON est introduit avec une couche interfaciale SiON et une encapsulation de la grille TiN par du polysilicium. Cette étude s'est principalement focalisée sur l'analyse des interactions entre les différentes couches constituant les empilements, en particulier des additifs lanthane et aluminium, employés pour moduler la tension de seuil Vth des

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8

Carmona, Marion. "Fiabilité des transistors MOS des technologies à mémoires non volatiles embarquées." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4709/document.

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Ce travail de thèse traite des différents phénomènes de dégradation que peuvent subir les transistors MOS suivant leurs applications sur les technologies CMOS avec mémoires non-volatiles embarquées. Les transistors MOS pour application aux mémoires non volatiles à stockage de charge qui sont enclins à des mécanismes de dégradation spécifiques liés à l’utilisation de la haute tension, ont été étudiés. De plus, des variations de procédés de fabrication ou d’architectures, peuvent avoir un impact sur les mécanismes de dégradation des transistors MOS. En effet, plusieurs modifications des étapes d

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9

Ille, Adrien. "Fiabilité des oxydes de grille ultra-minces sous décharges électrostatiques dans les technologies CMOS fortement sub-microniques." Phd thesis, Université de Provence - Aix-Marseille I, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00407545.

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Les décharges électrostatiques (ESD) constituent un problème majeur de fiabilité pour les entreprises de semi-conducteurs. Pour enrayer les défauts générés par les ESD sur les circuits intégrés (ICs), des éléments de protection sont implantés directement dans les puces. La constante poussée de l'intégration des circuits a pour conséquence la réduction des dimensions des cellules technologiques élémentaires ainsi que l'accroissement du nombre d'applications supportées par les ICs. Les conditions restrictives imposées par les procédés technologiques et par la complexité croissante des systèmes e

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10

Nguyen, Théodore. "Caractérisation, modélisation et fiabilité des diélectriques de grille à base de HfO2 pour les futures technologies CMOS." Lyon, INSA, 2009. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2009ISAL0067/these.pdf.

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La miniaturisation des transistors CMOS permet d’améliorer les performances, la densité d’intégration et les coûts des composants électroniques. Cependant, cette course à la miniaturisation a atteint ses limites, et l’intégration d’un oxyde de grille à haute permittivité pour remplacer l’oxyde thermique classique est devenue incontournable. L’oxyde d’hafnium a été choisi pour successeur à l’oxyde SiO2. Son introduction vise à limiter les courants de fuite, mais une incertitude demeure du point de vue de la fiabilité car elle est directement liée à la qualité de l’interface oxyde/canal et à la

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Ille, Adrien Benoît. "Fiabilité des oxydes de grille ultra-minces sous décharges électrostatiques dans les technologies CMOS fortement sub-microniques." Aix-Marseille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008AIX11040.

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Les décharges électrostatiques (ESD) constituent un problème majeur de fiabilité pour les entreprises de semi-conducteurs. Pour enrayer les défauts générés par les ESD sur les circuits intégrés (ICs), des éléments de protection sont implantés directement dans les puces. La constante poussée de l'intégration des circuits a pour conséquence la réduction des dimensions des cellules technologiques élémentaires ainsi que l'accroissement du nombre d'applications supportées par les ICs. Les conditions restrictives imposées par les procédés technologiques et par la complexité croissante des systèmes e

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De, Salvo Barbara. "Étude du transport électrique et de la fiabilité dans les isolants des mémoires non volatiles a grille flottante." Grenoble INPG, 1999. http://www.theses.fr/1999INPG0008.

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Les memoires non volatiles a semi-conducteurs sont de plus en plus confrontees a des problemes de fiabilite dus essentiellement a la reduction des dimensions internes de la cellule imposee par la miniaturisation. Dans ce contexte, le bon fonctionnement du dispositif est strictement lie a une meilleure comprehension physique des mecanismes de defaillance. Dans ce memoire, une etude approfondie des phenomenes de transport dans les principaux dielectriques de la cellule memoire (oxyde de grille, dielectriques interpoly ono, et aussi no, on et si 3n 4) est presentee. Des mesures electriques effect

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Marinoni, Mathias. "Étude des modifications morphologiques induites par un ion lourd unique sur des structures SiO2-Si : fiabilité des dispositifs MIS." Nice, 2008. http://www.theses.fr/2008NICE4104.

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Les travaux présentés dans ce manuscrit se placent du point de vue de la fiabilité des dispositifs MOS embarqués dans les applications spatiales, face à la contrainte radiative exercée par les ions lourds. L’approche novatrice de cette étude est symbolisée par la prise en compte de la réponse du matériau à l’irradiation, afin d’apporter des éléments de réponse utiles à la compréhension des phénomènes physiques qui conduisent à l’apparition d’effets qui peuvent altérer le fonctionnement des dispositifs, avec en particulier la diminution de la durée de vie des composants. Les travaux entrepris o

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Mamy, Randriamihaja Yoann. "Etude de la fiabilité des technologies CMOS avancées, depuis la création des défauts jusqu'à la dégradation des transistors." Thesis, Aix-Marseille, 2012. http://www.theses.fr/2012AIXM4781/document.

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L'étude de la fiabilité représente un enjeu majeur de la qualification des technologies de l'industrie de la microélectronique. Elle est traditionnellement étudiée en suivant la dégradation des paramètres des transistors au cours du temps, qui sert ensuite à construire des modèles physiques expliquant le vieillissement des transistors. Nous avons fait le choix dans ces travaux d'étudier la fiabilité des transistors à l'échelle microscopique, en nous intéressant aux mécanismes de ruptures de liaisons atomiques à l'origine de la création des défauts de l'oxyde de grille. Nous avons tout d'abord

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Marchand, Bertrand. "Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 µm : influence de l'architecture des composants." Grenoble INPG, 1999. http://www.theses.fr/1999INPG0081.

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L'etude des effets de porteurs chauds pouvant induire une degradation electrique des circuits integres est d'une grande importance pour les composants avances. Dans les transistors fortement submicroniques, la caracterisation et la modelisation a temperature ambiante et a basses temperatures de l'ionisation secondaire par impact et du courant de grille qui en resulte, completee par l'etude de l'emission lumineuse liee a ce mecanisme, ont ete menees a bien, apportant une meilleure comprehension de la generation de porteurs chauds dont l'energie est responsable de la creation d'etats d'interface

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Jalabert, Laurent. "Ingénierie de grille pour application à la micro-électronique MOS sub-micronique." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2001. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00142309.

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Depuis plus de trente ans, la micro-électronique subit une évolution continue permettant de répondre à une demande croissante en terme de rapidité et de complexité des circuits intégrés. Cette évolution a été rendue possible grâce à la miniaturisation des composants, qui atteint aujourd'hui les limites physiques des matériaux utilisés en technologie CMOS. Parmi les nombreux problèmes et limitations liés à la réduction de la longueur de canal et de l'épaisseur de l'oxyde (effets de canal court, effets quantiques, déplétion de grille, claquage, quasi-claquage, SILC ¿), nous nous sommes centrés s

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Monsieur, Frédéric. "Etude des mécanismes de dégradation lors du claquage des oxydes de grille ultra minces : application à la fiabilité des technologies CMOS SUB - 0.12 [mu]m." Grenoble INPG, 2002. http://www.theses.fr/2002INPG0120.

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Boyer, Ludovic. "Analyse des propriétés de l'oxyde de grille des composants semi-conducteurs de puissance soumis à des contraintes électro-thermiques cycliques : vers la définition de marqueurs de vieillissement." Thesis, Montpellier 2, 2010. http://www.theses.fr/2010MON20028/document.

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Les composants semi-conducteurs de puissance sont aujourd'hui au c?ur des systèmes de conversion d'énergie et sont de plus en plus employés dans le domaine des transports, notamment dans des applications critiques induites par l'émergence des véhicules hybrides et d'avions plus électriques. Durant l'exploitation des systèmes de conversion d'énergie, des contraintes significatives sont imposées aux composants semi-conducteurs de puissance, dégradant ainsi leur fonctionnement. Dans une application critique, ces dégradations peuvent activer la défaillance d'un système électrique et ainsi avoir de

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Dabla, Essi Ahoefa. "Approche bayesienne multiéchelle pour la modélisation de la fiabilité d'un module de puissance en environnement ferroviaire." Thesis, Toulouse, INPT, 2019. http://www.theses.fr/2019INPT0102.

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Le contrôle de la fiabilité des composants électroniques critiques est un des enjeux des acteurs du secteur ferroviaire. Les modules de puissance à IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) appartiennent à cette liste de composants. Ils sont soumis à de fortes contraintes correspondant à celles rencontrées dans des environnements ferroviaires sévères. Les conditions environnementales rencontrées dans l’exploitation ferroviaire et les fortes exigences en termes de disponibilité imposent des niveaux de fiabilité élevés aux IGBT. Dans une optique d’amélioration de leur fiabilité, une méthodologie

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Burignat, Stéphane. "Mécanismes de transport, courants de fuite ultra-faibles et rétention dans les mémoires non volatiles à grille flottante." Phd thesis, INSA de Lyon, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00143276.

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Le marché des mémoires non volatiles à grille flottante connaît actuellement un essor considérable du fait de leur utilisation croissante dans tous les domaines d'applications de l'électronique et par conséquent dans de très nombreux secteurs industriels. Cependant ces dispositifs mémoires se heurtent aujourd'hui à une limite technologique liée à l'impossibilité de réduire l'épaisseur de la couche d'oxyde tunnel SiO$_{2}$ qui isole la grille flottante contenant l'information. En effet, en deçà d'une épaisseur critique de l'ordre de $7\,nm$, l'oxyde tunnel est le siège de courants de fuite indu

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Bezza, Anas. "Caractérisation et modélisation du phénomène de claquage dans les oxydes de grille à forte permittivité, en vue d’améliorer la durée de vie des circuits issus des technologies 28nm et au-delà." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAT097.

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.Aujourd’hui, la course à la miniaturisation a engendré de nouveaux défis dans l’industrie microélectronique. En plus de la forte concurrence que subissent les fabricants de composants, de nouvelles contraintes liées à la fiabilité des dispositifs se sont imposées. En effet, le passage d’une technologie « tout silicium » relativement simple à une technologie high-k/grille métal plus complexe, a entrainé une forte réduction des marges de fiabilité des oxydes de grille. A ce titre, Il est devenu nécessaire d’investiguer de nouvelles approches pouvant offrir davantage de gain en durée de vie pour

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Candelier, Philippe. "Contribution à l'amélioration de la fiabilité des mémoires non volatiles de type flash EEPROM." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10245.

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L'augmentation continue de la densite d'integration des memoires non-volatiles de type flash eeprom passe par la comprehension des mecanismes de degradation intervenant dans le cadre du fonctionnement de ces memoires. Nous avons pu correler les degradations observees sur des dispositifs elementaires (transistors et capacites) aux derives des caracteristiques de la cellule flash. Cette etude demontre que de nouveaux modes de fonctionnement devront etre envisages. Le mode d'effacement par la source, habituellement utilise, pose des problemes d'optimisation technologique pour les cellules de faib

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Bouguerra, Mohamed slim. "Tolérance aux pannes dans des environnements de calcul parallèle et distribué : optimisation des stratégies de sauvegarde/reprise et ordonnancement." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00910358.

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Le passage de l'échelle des nouvelles plates-formes de calcul parallèle et distribué soulève de nombreux défis scientifiques. À terme, il est envisageable de voir apparaître des applications composées d'un milliard de processus exécutés sur des systèmes à un million de coeurs. Cette augmentation fulgurante du nombre de processeurs pose un défi de résilience incontournable, puisque ces applications devraient faire face à plusieurs pannes par jours. Pour assurer une bonne exécution dans ce contexte hautement perturbé par des interruptions, de nombreuses techniques de tolérance aux pannes telle q

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Bouguerra, Mohamed Slim. "Tolérance aux pannes dans des environnements de calcul parallèle et distribué : optimisation des stratégies de sauvegarde/reprise et ordonnancement." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENM023/document.

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Le passage de l'échelle des nouvelles plates-formes de calcul parallèle et distribué soulève de nombreux défis scientifiques. À terme, il est envisageable de voir apparaître des applications composées d'un milliard de processus exécutés sur des systèmes à un million de coeurs. Cette augmentation fulgurante du nombre de processeurs pose un défi de résilience incontournable, puisque ces applications devraient faire face à plusieurs pannes par jours. Pour assurer une bonne exécution dans ce contexte hautement perturbé par des interruptions, de nombreuses techniques de tolérance aux pannes telle q

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Zéanh, Adrien. "Contribution à l'amélioration de la fiabilité des modules IGBT utilisés en environnement aéronautique." Phd thesis, Toulouse, INPT, 2009. http://oatao.univ-toulouse.fr/11959/1/zeanh.pdf.

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L’augmentation de la puissance électrique consommée à bord des avions a récemment conduit à introduire des convertisseurs électroniques de puissance à base d'interrupteurs à IGBT dans de nombreuses applications aéronautiques. L'utilisation de ces interrupteurs diffère de leurs emplois traditionnels dans les domaines du ferroviaire ou de l'automobile. En effet, les sollicitations environnementales ainsi que les cycles de commandes électriques sont différents de ceux rencontrés jusqu’alors, ce qui amène à remettre en cause les résultats actuels au sujet de la durée de vie et de la fiabilité de c

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Sow, Amadou Tidiane. "Evaluation de la fiabilité d'un générateur à rayons X pour application médicale." Thesis, Bordeaux, 2014. http://www.theses.fr/2014BORD0120/document.

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Les systèmes d’imagerie médicale, principalement les systèmes à rayons X, sont devenus incontournables dans le diagnostic et le traitement des maladies complexes. Le générateur à rayons X fait partie des sous-systèmes critiques d’un système à rayons X. La technologie des générateurs à rayons X se complexifie et les contraintes vues par les composants augmentent. L’évaluation de la fiabilité du générateur à rayons X est par conséquent nécessaire afin d’optimiser la durée de vie de ce dernier. Dans ces travaux de thèse, une méthodologie d’évaluation de la fiabilité d’un générateur à rayons X est

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Pomès, Emilie. "Amélioration et suivi de la robustesse et de la qualité de MOSFETs de puissance dédiés à des applications automobiles micro-hybrides." Thesis, Toulouse, INSA, 2012. http://www.theses.fr/2012ISAT0039/document.

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Dans le contexte écologique actuel, les équipementiers automobiles européens sont dans l’obligation de développer des systèmes innovants afin de réduire les rejets de gaz à effet de serre des véhicules. Les nouvelles applications électroniques micro-hybrides exigent le développement de stratégies quant à l’intégration des systèmes et la réduction des pertes. Ainsi, une proposition a consisté à réaliser des modules de puissance constitués de transistors MOSFETs basse tension fort courant. L’application de type alterno-démarreur plus communément nommée « Stop & Start »exige des composants to

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Roder, Raphaël. "Intégration et fiabilité d'un disjoncteur statique silicium intelligent haute température pour application DC basse et moyenne tensions." Thesis, Bordeaux, 2015. http://www.theses.fr/2015BORD0287/document.

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Cette thèse présente l'étude et la réalisation d'un disjoncteur statique tout silicium et intelligent pouvant fonctionner à haute température (200°C) pour des applications de type DC basse et moyenne tensions. Plusieurs applications dans l’aéronautique, l’automobile et les transports ferroviaires poussent les composants à semi-conducteur de puissance à être utilisés à haute température. Cependant, les Si-IGBT et Si-CoolMOSTM actuellement commercialisés ont une température de jonction spécifiée et estimée à 150°C et quelque fois à 175°C. L’une des faiblesses des convertisseurs provient de la ré

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Della, marca Vincenzo. "Characterization and modeling of advanced charge trapping non volatile memories." Thesis, Aix-Marseille, 2013. http://www.theses.fr/2013AIXM4721/document.

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Les mémoires à nanocristaux de silicium sont considérées comme l'une des solutions les plus intéressantes pour remplacer les grilles flottantes dans les mémoires Flash pour des applications de mémoires non-volatiles embarquées. Ces nanocristaux sont intéressants pour leur compatibilité avec les technologies de procédé CMOS, et la réduction des coûts de fabrication. De plus, la taille des nanocristaux garantie un faible couplage entre les cellules et la robustesse contre les effets de SILC. L'un des principaux challenges pour les mémoires embarquées dans des applications mobiles et sans contact

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Lakhdhar, Hadhemi. "Reliability assessment of GaN HEMTs on Si substrate with ultra-short gate dedicated to power applications at frequency above 40 GHz." Thesis, Bordeaux, 2017. http://www.theses.fr/2017BORD0941/document.

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Ce travail de thèse se concentre sur l'évaluation de la fiabilité des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) AlGaN / GaN à grille ultra-courte sur substrat silicium dédiés aux applications de puissance à une fréquence supérieure à 40GHz. Il a été réalisé au sein des laboratoires IMS Bordeaux et IEMN Lille.Ce travail compare initialement les HEMT AlGaN / GaN réalisés par croissance MOCVD avec ceux obtenus par croissance MBE. En particulier, l'analyse électrique statique a permis d'étudier l'influence de la géométrie des dispositifs sur les performances des composants.Des tests de viei

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Kumar, Pushpendra. "Impact of 14/28nm FDSOI high-k metal gate stack processes on reliability and electrostatic control through combined electrical and physicochemical characterization techniques." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT114/document.

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Cette thèse concerne l’étude des procédés de fabrication des grilles HKMG des technologies FDSOI 14 et 28 nm sur les performances électriques des transistors MOS. Elle a porté spécifiquement sur l'aspect fiabilité et la maîtrise du travail de sortie effectif (WFeff), au travers de la diffusion des additifs comme le lanthane (La) et l’aluminium (Al). Ce travail combine des techniques de caractérisation électriques et physico-chimiques et leur développement. L'effet de l'incorporation de ces additifs sur la fiabilité et la durée de vie du dispositif a été étudié. Le lanthane dégrade les performa

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Ropars, Thomas. "Services et protocoles pour l'exécution fiable d'applications distribuées dans les grilles de calcul." Phd thesis, Université Rennes 1, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00456490.

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Une grille de calcul regroupe un très grand nombre de ressources de calcul hétérogènes, pouvant appartenir à différents domaines d'administration. Les grille sont attractives car elles peuvent fournir à leurs utilisateurs les ressources nécessaires à l'exécution d'applications de calcul scientifique. Cependant exécuter une application sur la grille est une tâche difficile car la fréquence des défaillances matérielles y est élevés. Pour assurer l'exécution fiable d'applications distribuées dans les grilles de calcul, nous proposons tout d'abord un service de recouvrement arrière assurant le red

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Baudon, Sylvain. "Etude de l'influence des contraintes appliquées sur l'évolution des propriétés diélectriques des couches minces isolantes dans les composants semi-conducteurs de puissance." Phd thesis, Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01001950.

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La fiabilité des chaînes de conversion électrique dans les systèmes embarqués est un enjeu critique dans les applications où interviennent des contraintes liées à la sécurité des personnes ou à des aspects économiques non-négligeables. La maintenance préventive permet de surveiller le bon fonctionnement des maillons faibles de la chaîne de conversion, tels que les composants de puissance à semiconducteurs (IGBT à grille en tranchée) présents dans les convertisseurs d'électronique de puissance utilisés dans le domaine du transport. L'objectif de ce travail est d'évaluer la possibilité d'utilise

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Benmansour, Adel. "Contribution à l'étude des mécanismes de défaillances de l'IGBT sous régimes de fortes contraintes électriques et thermiques." Thesis, Bordeaux 1, 2008. http://www.theses.fr/2008BOR13752/document.

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Depuis ces dernières années, parmi tous les composants de puissance, l’IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) occupe une place prépondérante, On le retrouve dans une multitude d’applications et il est devenu un composant de référence de l’électronique de puissance. Dans cette thèse, nous nous intéresserons au fonctionnement de l’IGBT en conditions thermiques et électriques extrêmes. À l'aide de la simulation physique bidimensionnelle d'un modèle d'IGBT de type Punch Through à structure de grille en tranchée, on s'intéressera plus particulièrement aux limites des aires de sécurité, et plus

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