Bücher zum Thema „Énergie de la bande interdite“
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1921-, Bhargava Rameshwar Nath, Hrsg. Properties of wide bandgap II-VI semiconductors. London, U.K: INSPEC, Institute of Electrical Engineers, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJ, Pearton S., Hrsg. Wide bandgap semiconductors: Growth, processing and applications. Park Ridge, N.J: Noyes Publications, 2000.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1936-1984, McMillan William L., Hutiray Gy, So lyom J und International Conference on Charge Density Waves in Solids (1984 : Budapest, Hungary)., Hrsg. Charge density waves in solids: Proceedings of the International Conference held in Budapest, Hungary, September 3-7, 1984. Berlin: Springer-Verlag, 1985.
Den vollen Inhalt der Quelle findenConduction in non-crystalline materials. Oxford: Clarendon Press, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenF, Mott N. Conduction in non-crystalline materials. 2. Aufl. Oxford: Clarendon Press, 1993.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNATO Advanced Research Workshop on Narrow-Band Phenomena--Influence of Electrons with Both Band and Localized Character (1987 Staverden, Netherlands). Narrow-band phenomena--influence of electrons with both band and localized character. New York: Plenum Press, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenReno, J. L. Narrow Gap Semiconductors 1995: Proceedings of the Seventh International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Santa Fe, New Mexico, 8-12 January 1995 (Institute of Physics Conference Series). Taylor & Francis, 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBhargava, Ramesh. Properties of Wide Bandgap Ii-VI Semiconductors (E M I S Datareviews Series). Institution of Electrical Engineers, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLitvinov, Vladimir. Wide Bandgap Semiconductor Spintronics. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWide Bandgap Semiconductor Spintronics. Taylor & Francis Group, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLitvinov, Vladimir. Wide Bandgap Semiconductor Spintronics. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHodgson, John Noel. Optical Absorption and Dispersion in Solids. Springer London, Limited, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHodgson, John Noel. Optical Absorption and Dispersion in Solids. Springer, 2013.
Den vollen Inhalt der Quelle finden(Assistant), R. Dornhaus, G. Nimtz (Assistant) und B. Schlicht (Assistant), Hrsg. Narrow-Gap Semiconductors (Springer Tracts in Modern Physics). Springer, 1985.
Den vollen Inhalt der Quelle finden(Editor), J. C. Fuggle, G. A. Sawatzky (Editor) und J. Allen (Editor), Hrsg. Narrow-Band Phenomena: Influence of Elections With Both Band and Localized Character (NATO Science Series: B:). Springer, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWang, Fei, Zheyu Zhang und Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenWang, Fei, Zheyu Zhang und Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenOhshima, Takeshi, Hiroshi Yano, Kazuma Eto, Shinsuke Harada und Takeshi Mitani. Silicon Carbide and Related Materials 2019. Trans Tech Publications, Limited, 2020.
Den vollen Inhalt der Quelle findenOhshima, Takeshi, Hiroshi Yano, Kazuma Eto, Shinsuke Harada und Takeshi Mitani. Silicon Carbide and Related Materials 2019. Trans Tech Publications, Limited, 2020.
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