Zeitschriftenartikel zum Thema „Electrical measurements C-V and G-V“
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Özden, Şadan, Ömer Güllü und Osman Pakma. „Room temperature I–V and C–V characteristics of Au/mTPP/p-Si organic MIS devices“. European Physical Journal Applied Physics 82, Nr. 2 (Mai 2018): 20101. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2018180004.
Der volle Inhalt der QuellePadma, R., und V. Rajagopal Reddy. „Electrical properties and the determination of interface state density from I-V, C-f and G-f measurements in Ir/Ru/n-InGaN Schottky barrier diode“. Физика и техника полупроводников 51, Nr. 12 (2017): 1698. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45189.8340.
Der volle Inhalt der QuelleFaraz, Sadia Muniza, Wakeel Shah, Naveed Ul Hassan Alvi, Omer Nur und Qamar Ul Wahab. „Electrical Characterization of Si/ZnO Nanorod PN Heterojunction Diode“. Advances in Condensed Matter Physics 2020 (13.04.2020): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2020/6410573.
Der volle Inhalt der QuellePadovani, Andrea, Ben Kaczer, Milan Pesic, Attilio Belmonte, Mihaela Popovici, Laura Nyns, Dimitri Linten et al. „A Sensitivity Map-Based Approach to Profile Defects in MIM Capacitors From ${I}$ – ${V}$ , ${C}$ – ${V}$ , and ${G}$ – ${V}$ Measurements“. IEEE Transactions on Electron Devices 66, Nr. 4 (April 2019): 1892–98. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2019.2900030.
Der volle Inhalt der QuellePananakakis, G., und G. Kamarinos. „Complete determination of the electrical interfacial parameters in Al-SiO2 (30 Å)-Si tunnel diodes using I–V, C–V, G–V measurements“. Surface Science Letters 168, Nr. 1-3 (März 1986): A137. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(86)90487-1.
Der volle Inhalt der QuellePananakakis, G., und G. Kamarinos. „Complete determination of the electrical interfacial parameters in Al-SiO2 (30 Å)-Si tunnel diodes using I–V, C–V, G–V measurements“. Surface Science 168, Nr. 1-3 (März 1986): 657–64. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(86)90897-6.
Der volle Inhalt der QuelleAltındal, Şemsettin, Ali Barkhordari, Gholamreza Pirgholi-Givi, Murat Ulusoy, Hamidreza Mashayekhi, Süleyman Özçelik und Yashar Azizian-Kalandaragh. „Comparison of the electrical and impedance properties of Au/(ZnOMn:PVP)/n-Si (MPS) type Schottky-diodes (SDs) before and after gamma-irradiation“. Physica Scripta 96, Nr. 12 (01.12.2021): 125881. http://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/ac43d7.
Der volle Inhalt der QuelleKoliakoudakis, C., J. Dontas, S. Karakalos, M. Kayambaki, S. Ladas, G. Konstantinidis, S. Kennou und Konstantinos Zekentes. „Fabrication and Characterization of Cr-Based Schottky Diode on n-Type 4H-SiC“. Materials Science Forum 615-617 (März 2009): 651–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.651.
Der volle Inhalt der QuelleAfandiyeva, İ. M., İ. Dökme, Ş. Altındal, L. K. Abdullayeva und Sh G. Askerov. „The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al–TiW–Pd2Si/n-Si structure using I–V, C–V and G/ω–V measurements“. Microelectronic Engineering 85, Nr. 2 (Februar 2008): 365–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2007.07.010.
Der volle Inhalt der QuelleGiannazzo, Filippo, Stefan Hertel, Andreas Albert, Antonino La Magna, Fabrizio Roccaforte, Michael Krieger und Heiko B. Weber. „Electrical Nanocharacterization of Epitaxial Graphene/Silicon Carbide Schottky Contacts“. Materials Science Forum 778-780 (Februar 2014): 1142–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1142.
Der volle Inhalt der QuelleDAŞ, Elif. „Some Electrical and Photoelectrical Properties of Conducting Polymer Graphene Composite /n-Silicon Heterojunction Diode“. Sakarya University Journal of Science 26, Nr. 5 (20.10.2022): 1000–1009. http://dx.doi.org/10.16984/saufenbilder.1129742.
Der volle Inhalt der QuelleKaya, A., Ö. Sevgili und Ş. Altındal. „Energy density distribution profiles of surface states, relaxation time and capture cross-section in Au/n-type 4H-SiC SBDs by using admittance spectroscopy method“. International Journal of Modern Physics B 28, Nr. 17 (29.05.2014): 1450104. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214501045.
Der volle Inhalt der QuelleMazurak, Andrzej, Jakub Jasin´ski und Bogdan Majkusiak. „Determination of border/bulk traps parameters based on (C-G-V) admittance measurements“. Journal of Vacuum Science & Technology B 37, Nr. 3 (Mai 2019): 032904. http://dx.doi.org/10.1116/1.5060674.
Der volle Inhalt der QuelleGüler, G., Ö. Güllü, S. Karataş und Ö. F. Bakkaloǧlu. „Electrical Characteristics of Co/n-Si Schottky Barrier Diodes Using I – V and C – V Measurements“. Chinese Physics Letters 26, Nr. 6 (Juni 2009): 067301. http://dx.doi.org/10.1088/0256-307x/26/6/067301.
Der volle Inhalt der QuelleDemirbilek, Nihat, Fahrettin Yakuphanoğlu und Mehmet Kaya. „Structural and optical properties of pure ZnO and Al/Cu co-doped ZnO semiconductor thin films and electrical characterization of photodiodes“. Materials Testing 63, Nr. 3 (01.03.2021): 279–85. http://dx.doi.org/10.1515/mt-2020-0042.
Der volle Inhalt der QuelleÖzdemir, Orhan, Beyhan Tatar, Deneb Yılmazer, Pınar Gökdemir und Kubilay Kutlu. „Correlation of DC and AC electrical properties of Al/p-Si structure by I–V–T and C(G/ω)–V–T measurements“. Materials Science in Semiconductor Processing 12, Nr. 4-5 (August 2009): 133–41. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2009.09.005.
Der volle Inhalt der QuelleÇetinkaya, H. G., D. E. Yıldız und Ş. Altındal. „On the negative capacitance behavior in the forward bias of Au/n–4H–SiC (MS) and comparison between MS and Au/TiO2/n–4H–SiC (MIS) type diodes both in dark and under 200 W illumination intensity“. International Journal of Modern Physics B 29, Nr. 01 (18.12.2014): 1450237. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214502373.
Der volle Inhalt der QuelleThi, Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Phuong Thao Cao, Pham Quoc-Phong, Vinh Khanh Nghi und Nguyen Phuong Lan Tran. „Electrical and Structural Properties of All-Sputtered Al/SiO2/p-GaN MOS Schottky Diode“. Coatings 9, Nr. 10 (21.10.2019): 685. http://dx.doi.org/10.3390/coatings9100685.
Der volle Inhalt der QuelleKhelfaoui, Fatima, Itidel Belaidi, Nadhir Attaf, Mohammed Salah Aida und Jamal Bougdira. „Realization and Characterization of CH3NH3PbI3 /c-Si Heterojunction“. Defect and Diffusion Forum 406 (Januar 2021): 364–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.406.364.
Der volle Inhalt der QuelleKhelfaoui, Fatima, Itidel Belaidi, Nadhir Attaf, Mohammed Salah Aida und Jamal Bougdira. „Realization and Characterization of CH3NH3PbI3 /c-Si Heterojunction“. Defect and Diffusion Forum 406 (Januar 2021): 364–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.406.364.
Der volle Inhalt der QuelleAlexandrova, S., und A. Szekeres. „Thickness-Dependent Interface Parameters of Silicon Oxide Films Grown on Plasma Hydrogenated Silicon“. Solid State Phenomena 159 (Januar 2010): 163–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.159.163.
Der volle Inhalt der QuelleCañas, J., C. Dussarrat, T. Teramoto, C. Masante, M. Gutierrez und E. Gheeraert. „High quality SiO2/diamond interface in O-terminated p-type diamond MOS capacitors“. Applied Physics Letters 121, Nr. 7 (15.08.2022): 072101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0103037.
Der volle Inhalt der QuelleHIROSE, Fumihiko, Yasuo KIMURA und Michio NIWANO. „P3HT/Al Organic/Inorganic Heterojunction Diodes Investigated by I-V and C-V Measurements“. IEICE Transactions on Electronics E92-C, Nr. 12 (2009): 1475–78. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e92.c.1475.
Der volle Inhalt der QuelleRyu, K., I. Kymissis, V. Bulovic und C. G. Sodini. „Direct extraction of mobility in pentacene OFETs using C-V and I-V measurements“. IEEE Electron Device Letters 26, Nr. 10 (Oktober 2005): 716–18. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.854394.
Der volle Inhalt der QuelleKabra, Vinay, Lubna Aamir und M. M. Malik. „Low cost, p-ZnO/n-Si, rectifying, nano heterojunction diode: Fabrication and electrical characterization“. Beilstein Journal of Nanotechnology 5 (24.11.2014): 2216–21. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.5.230.
Der volle Inhalt der QuelleNakano, Yoshitaka, Liwen Sang und Masatomo Sumiya. „Electrical Characterization of Thick InGaN Films for Photovoltaic Applications“. MRS Proceedings 1635 (2014): 29–34. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.205.
Der volle Inhalt der QuelleDe Cogan, D., und A. Alani. „Double-resonance technique for C/V measurements of semiconductor devices“. Electronics Letters 21, Nr. 24 (1985): 1153. http://dx.doi.org/10.1049/el:19850816.
Der volle Inhalt der QuelleBahari, Ali, Masoud Ebrahimzadeh und Reza Gholipur. „Structural and electrical properties of zirconium doped yttrium oxide nanostructures“. International Journal of Modern Physics B 28, Nr. 16 (13.05.2014): 1450102. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214501021.
Der volle Inhalt der QuelleBelkouch, S., L. Paquin, A. Deneuville und E. Gheeraert. „Caractérisation physicochimique et électronique de la structure Pt–a-Si: H–c-Si(n)“. Canadian Journal of Physics 69, Nr. 3-4 (01.03.1991): 357–60. http://dx.doi.org/10.1139/p91-060.
Der volle Inhalt der QuelleBita, Bogdan, Sorin Vizireanu, Daniel Stoica, Valentin Ion, Sasa Yehia, Adrian Radu, Sorina Iftimie und Gheorghe Dinescu. „On the Structural, Morphological, and Electrical Properties of Carbon Nanowalls Obtained by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition“. Journal of Nanomaterials 2020 (01.10.2020): 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2020/8814459.
Der volle Inhalt der QuelleAlisha, P. Chander, V. K. Malik und R. Chandra. „Structural and Electrical Transport Properties of Sputter-Deposited SiC Thin Films“. Journal of Physics: Conference Series 2518, Nr. 1 (01.06.2023): 012016. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2518/1/012016.
Der volle Inhalt der QuelleTokusu, Toji, Hirokazu Miyabayashi, Yuji Hiruma, Hajime Nagata und Tadashi Takenaka. „Electrical Properties and Piezoelectric Properties of CaBi2Ta2O9-Based Ceramics“. Key Engineering Materials 421-422 (Dezember 2009): 46–49. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.421-422.46.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Shiyu, Zeng Liu, Yuanyuan Liu, Yusong Zhi, Peigang Li, Zhenping Wu und Weihua Tang. „Electrical Characterizations of Planar Ga2O3 Schottky Barrier Diodes“. Micromachines 12, Nr. 3 (03.03.2021): 259. http://dx.doi.org/10.3390/mi12030259.
Der volle Inhalt der QuelleALI, A. N. M., und E. M. NASIR. „CHARACTERIZATION OF (ZnO)1-X-(CuO)x/GaAs HETEROJUNCTION SOLAR CELL GROWN BY PULSED LASER DEPOSITION“. Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures 16, Nr. 1 (Januar 2021): 169–74. http://dx.doi.org/10.15251/djnb.2021.161.169.
Der volle Inhalt der QuelleKumar, Neeraj, und Rabinder Nath. „Ferroelectric and Electrical Properties of Potassium Nitrate Thin Composite Layers“. Advanced Materials Research 403-408 (November 2011): 607–17. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.403-408.607.
Der volle Inhalt der QuelleSelçuk, A. H., E. Orhan, S. Bilge Ocak, A. B. Selçuk und U. Gökmen. „Investigation of dielectric properties of heterostructures based on ZnO structures“. Materials Science-Poland 35, Nr. 4 (20.03.2018): 885–92. http://dx.doi.org/10.1515/msp-2017-0108.
Der volle Inhalt der QuelleKarataş, Ş., Ş. Altındal, A. Türüt und M. Çakar. „Electrical transport characteristics of Sn/p-Si schottky contacts revealed from I–V–T and C–V–T measurements“. Physica B: Condensed Matter 392, Nr. 1-2 (April 2007): 43–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2006.10.039.
Der volle Inhalt der QuelleThompson, J. R., J. J. Dubowski und D. J. Northcott. „Electrical characterization of CdTe–InSb heterojunctions“. Canadian Journal of Physics 69, Nr. 3-4 (01.03.1991): 274–77. http://dx.doi.org/10.1139/p91-046.
Der volle Inhalt der QuellePorter, L. M., R. F. Davis, J. S. Bow, M. J. Kim, R. W. Carpenter und R. C. Glass. „Chemistry, microstructure, and electrical properties at interfaces between thin films of titanium and alpha (6H) silicon carbide (0001)“. Journal of Materials Research 10, Nr. 3 (März 1995): 668–79. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1995.0668.
Der volle Inhalt der QuelleStark, Roger, Alexander Tsibizov, Salvatore Race, Thomas Ziemann, Ivana Kovacevic-Badstubner und Ulrike Grossner. „Temperature Dependence of the Channel and Drift Resistance of SiC Power MOSFETs Extracted from I-V and C-V Measurements“. Materials Science Forum 1092 (06.06.2023): 165–70. http://dx.doi.org/10.4028/p-06b54k.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Minyeong, Nolan Hendricks, Neil Moser, Pragya Shrestha, Sujitra Pookpanratana, Sang-Mo Koo und Qiliang Li. „Electrical Properties of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with and without Mesa Structure“. ECS Meeting Abstracts MA2023-01, Nr. 32 (28.08.2023): 1840. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01321840mtgabs.
Der volle Inhalt der QuellePellegrino, Domenico, Lucia Calcagno, Massimo Zimbone, Salvatore Di Franco und Antonella Sciuto. „Correlation between Defects and Electrical Performances of Ion-Irradiated 4H-SiC p–n Junctions“. Materials 14, Nr. 8 (14.04.2021): 1966. http://dx.doi.org/10.3390/ma14081966.
Der volle Inhalt der QuelleUmar, Marjoni Imamora Ali. „Graphene-Au Film Synthesized from GrO in Au-Aquaeus Solution as Counter Electrode For DSSC Application“. Lensa: Jurnal Kependidikan Fisika 7, Nr. 2 (31.12.2019): 24. http://dx.doi.org/10.33394/j-lkf.v7i2.2644.
Der volle Inhalt der QuelleJungwirth, Felix, Daniel Knez, Fabrizio Porrati, Alfons G. Schuck, Michael Huth, Harald Plank und Sven Barth. „Vanadium and Manganese Carbonyls as Precursors in Electron-Induced and Thermal Deposition Processes“. Nanomaterials 12, Nr. 7 (28.03.2022): 1110. http://dx.doi.org/10.3390/nano12071110.
Der volle Inhalt der QuelleFaraz, Sadia Muniza, Muhammed Naveed Alvi, Anne Henry, Omer Nour, Magnus Willander und Qamar Ul Wahab. „Annealing Effects on Electrical and Optical Properties of N-ZnO/P-Si Heterojunction Diodes“. Advanced Materials Research 324 (August 2011): 233–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.324.233.
Der volle Inhalt der QuelleLEE, SEUNGJAE, und KIJUNG YONG. „SELF-LIMITING GROWTH OF TITANIUM SILICATE AND EFFECTS OF THERMAL ANNEALING ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF TITANIUM SILICATE/SiO2“. Surface Review and Letters 14, Nr. 05 (Oktober 2007): 921–25. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x07010433.
Der volle Inhalt der QuelleDevi, V. Lakshmi, I. Jyothi und V. Rajagopal Reddy. „Analysis of temperature-dependent Schottky barrier parameters of Cu–Au Schottky contacts to n-InP“. Canadian Journal of Physics 90, Nr. 1 (Januar 2012): 73–81. http://dx.doi.org/10.1139/p11-142.
Der volle Inhalt der QuelleIdris, Muhammad I., Nick G. Wright und Alton B. Horsfall. „Effect of Post Oxide Annealing on the Electrical and Interface 4H-SiC/Al2O3 MOS Capacitors“. Materials Science Forum 924 (Juni 2018): 486–89. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.486.
Der volle Inhalt der QuelleYücedağ, İ., A. Kaya und Ş. Altındal. „On the frequency dependent negative dielectric constant behavior in Al/Co-doped (PVC+TCNQ)/p-Si structures“. International Journal of Modern Physics B 28, Nr. 23 (13.07.2014): 1450153. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214501537.
Der volle Inhalt der QuelleHong, J. H., und Jae Min Myoung. „Characteristics of HfO2 Dielectric Layer Grown by MOMBE“. Materials Science Forum 449-452 (März 2004): 1005–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.449-452.1005.
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