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Dissertationen zum Thema „Dépôt chimique en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD)“

Autor: Grafiati
Veröffentlicht am 18. Mai 2024

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1

Riaz, Adeel. "Conception, optimisation et caractérisation avancée de nouvelles microstructures d'électrodes pour piles à oxydes solides." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALI006.

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Les piles à oxyde solide (SOCs selon l’acronyme anglais de Solid Oxide Cells) sont des dispositifs électrochimiques de conversion d’énergie pouvant fonctionner en mode pile à combustible (SOFC) pour convertir un combustible en énergie électrique et inversement en mode électrolyseur (SOEC). Les piles à oxyde solide sont des dispositifs constitués de céramiques avec une électrolyte à oxyde solide dense capable de conduire des ions oxygène négatifs et intercalée entre deux électrodes. Cette thèse se concentre sur l'optimisation de l'électrode à oxygène et la caractérisation avancée de films mince
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Karsi, Mustapha. "Dépôt chimique en phase vapeur de cuivre à partir de composés métal-organiques (MOCVD) : étude de l'activation photonique et de la sélectivité." Toulouse, INPT, 1995. http://www.theses.fr/1995INPT027G.

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Le cuivre est un materiau d'interconnexion tres prometteur dans la technologie microelectronique. Le depot chimique en phase vapeur (cvd) du cuivre attire de plus en plus d'attention, grace a ses avantages multiples: uniformite de depot, vitesse de croissance importante et surtout croissance selective sur certaines surfaces. Un reacteur de depot chimique en phase vapeur sous pression reduite equipe d'une source photonique (lampe mercure basse pression 185-254 nm) est utilise, dans le but d'elaborer des films de cuivre de haute purete a basse temperature a partir de precurseurs metal-organiques
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3

Bonnefond, Pierre. "Elaboration à basse température par MOCVD de revêtements de nitrures et carbonitrures de vanadium à partir du tetrakis (diethylamido) vanadium." Toulouse, INPT, 1997. http://www.theses.fr/1997INPT014G.

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Le complexe metal-organique, tetrakis (diethylamido) vanadium : v(net#2)#4 est utilise comme precurseur pour l'elaboration de revetements de nitrures et carbonitrures de vanadium a basse temperature par depot chimique en phase vapeur (mocvd). Des films microcristallins sont obtenus a pression reduite, en mur chaud pour des temperatures inferieures a 500c. Le developpement d'un appareillage supportant un degazage sous-vide secondaire avant la phase de depot a permis l'elaboration de films dont la contamination par l'oxygene o#2 est inferieure a 2% at. Lorsque v(net2)4 est utilise comme monosour
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4

Gueroudji, Latifa. "Etude de l'incorporation du carbone dans les revêtements à base de chrome élaborés par MOCVD." Toulouse, INPT, 1996. http://www.theses.fr/1996INPT031G.

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Des films de carbures de chrome monophases ou polyphases et plus ou moins contamines en carbone libre, ont ete elabores par mocvd (metalorganic chemical vapor deposition) a partir du bis(benzene)chrome(bbc), cr(c#6h#6)#2, dans differentes conditions. La nature des phases deposees, la composition et la structure des films sont correlees a la temperature de depot, a la pression totale dans le reacteur, ainsi qu'a la composition initiale de la phase gazeuse. Plus particulierement, l'incorporation du carbone dans les films a ete etudiee. Les resultats experimentaux sont compares a ceux obtenus par
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5

Brevet, Aude. "Les premiers instants de la croissance de films minces d'oxydes métalliques par MOCVD : caractérisation physico-chimique de l'interface film/substrat." Dijon, 2006. http://www.theses.fr/2006DIJOS003.

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L'étude des premiers instants de la croissance par dépôt chimique en phase vapeur à partir d'un précurseur métalorganique (MOCVD) de films de TiO2 sur Si(100) a été réalisée in situ par analyse de surfaces (XPS, ARXPS, AES). Un dispositif expérimental original a été conçu à cet effet et mis au point. Des caractérisations ex situ (HRTEM, SIMS, GIXRD. . . ) ont complété les informations obtenues in situ. La formation d'une couche interfaciale de SiOy<2, par interaction du précurseur Ti(OCH(CH3)2)4 avec le substrat, précède la formation de TiO2 et conduit à la présence de carbone à l'interface
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6

Briot, Olivier. "Le semiconducteur II-VI ZnSe : épitaxie par MOCVD et étude de la compensation." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20085.

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La croissance par epitaxie en phase vapeur a partir de la decomposition d'organometalliques (movpe) est appliquee au cas du seleniure de zinc (2. 67 ev a 300 k). L'influence des parametres de croissance est etudiee et un optimum est propose. Pour preciser les proprietes de transport du materiau et pour avoir interpreter correctement les resultats electriques, l'equation de boltzmann est resolue en y incluant tous les mecanismes plausibles de diffusion. La faisabilite de la realisation par movpe de doubles heterostructures gaas:znse/gaas est demontree
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7

Gallon, Philippe. "Mise en oeuvre de différents processus de dépôts MOCVD pour la croissance du matériau photovoltaïque CuInSe2." Montpellier 2, 1997. http://www.theses.fr/1997MON20209.

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Le principal sujet de cette these est l'etude de l'influence des processus de croissance du materiau ternaire cuinse2 (cis) par la technique de depot chimique en phase vapeur aux organometalliques (mocvd), a savoir le codepot des trois elements cu, in, se ou le depot en plusieurs etapes. La methode dite depot en plusieurs etapes se developpe depuis plusieurs annees et est presentee comme une alternative a la technique de codepots usuelle des elements entrant dans la composition de la couche finale. Nous avons adapte le depot en plusieurs etapes en alliant la mocvd et les recuits sous atmospher
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8

Ouchen, Fahima. "Etude des couches minces de CuInSe2 obtenues par la technique de MOCVD en une ou plusieurs étapes pour des applications photovoltai͏̈que." Montpellier 2, 1996. http://www.theses.fr/1996MON20101.

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Ce memoire presente le resultat d'une etude realisee sur la croissance des couches minces de cuinse#2 par la technique de depot chimique en phase vapeur aux organometalliques (mocvd). L'interet de ce compose est qu'il peut etre utilise en tant que materiau absorbeur dans l'elaboration de cellules solaires. Dans le premier chapitre, un etat d'art sur les differents materiaux dans la filiere des couches minces utilises dans les cellules et plus particulierement les proprietes du cuinse#2, sont presentes. Une description de l'appareillage de mocvd et une etude en fonction des parametres de croiss
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Caubel, Yannick. "Contribution à l'élaboration de couches minces d'YBa2Cu3O7-x par MOCVD sur aciers : les couches de conversion comme couches intermédiaires." Toulouse, INPT, 1995. http://www.theses.fr/1995INPT011G.

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Nous avons realise des depots d'yba#2cu#3o#7#-#x par mocvd (depot chimique en phase vapeur a partir de sources metallo-organiques) sur des substrats en aciers inoxydables. Les precurseurs d'yttrium et de cuivre utilises sont les tetramethylheptanedionates. Une etude de la stabilite de divers composes barytes par spectrometrie de masse in situ dans le reacteur cvd a permis de selectionner ba(hfa)#2. Tetraglyme comme source de baryum. Afin d'eviter la formation de baf#2 dans les depots, le gaz reactif est de l'oxygene sature en vapeur d'eau. Les depots ont ete elabores sur deux types d'aciers: u
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Manole, Claudiu Constantin. "MOCVD and electrochemical polymeric thin films : elaboration, characterization, properties ans applications." Thesis, Toulouse, INPT, 2012. http://www.theses.fr/2012INPT0165/document.

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Ce mémoire traite de deux types de polymères en films minces: le poly (méthacrylate de méthyle) (PMMA) et le polypyrrole (PPy). Ces films minces ont été déposés par voie sèche et par voie humide. La voie sèche consiste à faire croitre les films polymères par un procédé original de dépôt chimique en phase vapeur assisté par photons (Chemical Vapor Deposition, CVD). La croissance implique l'activation UV des espèces monomères dans la phase gazeuse. Les deux polymères PMMA et PPy ont été obtenus pour la première fois par ce procédé de photo-CVD. La caractérisation des propriétés a mis en évidence
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Sans-Lenain, Sandrine. "Contribution à l'étude des tétraméthylheptanedionates d'yttrium de baryum et de cuivre, précurseurs moléculaires pour le dépôt d'YBa2Cu307-x par MOCVD. Approche chimique du transport du baryum en phase vapeur." Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT059G.

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Le travail de recherche est consacre a l'etude des tetramethylheptanedionates de baryum, de cuivre et d'yttrium. Ces complexes sont largement utilises comme precurseurs moleculaires pour la mise en forme en couches minces par depot chimique en phase vapeur du supraconducteur a haute temperature critique yba#2cu#3o#7##x. Le chapitre 1 aborde l'etude structurale des trois composes utilises pour le depot de la ceramique. Les recherches se sont focalisees sur le compose tetramethylheptanedionate de baryum qui presente beaucoup de problemes pendant son utilisation. Son instabilite cinetique et ther
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Didier, Nicole. "Synthèse par dépôt chimique en phase vapeur, caractérisations structurales et électriques de super-réseaux YBa2Cu3O(7-delta)/PrBa2Cu3O(7-delta) de type supraconducteur/isolant." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0090.

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Pour la premiere fois, des multicouches epitaxiales supraconducteur / isolant yba#2cu#3o#7#-#y/prba#2cu#3o#7#-#y ont ete realisees par depot chimique en phase vapeur. Les depots sont realises a partir de precurseurs organometalliques -dicetonates sur srtio#3 (100). L'etude de la variation de la teneur en praseodyme de prba#2cu#3o#7#-#y a revele l'existence d'une solution solide pr#1#+#xba#2#-#xcu#3o#7#-#y pour - 0,1 x 0,52, deja observee dans des travaux effectues sur des ceramiques. L'evolution des proprietes electriques de ce materiau qui presente un comportement semi-conducteur a ete etudie
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Soussi, Khaled. "Precursor chemistry of novel metal triazenides : Solution and vapor phase elaborations of Fe and Al13Fe4 nanomaterials." Thesis, Lyon, 2017. http://www.theses.fr/2017LYSE1006/document.

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La production de polyéthylène par la polymérisation de l'éthylène est un procédé industriel de grande importance. L'éthylène, issue de la pétrochimie contient des impuretés d'acétylène (1%), ce qui empoisonne le catalyseur de polymérisation, et donc le besoin d'un catalyseur qui soit sélectif pour hydrogéner l'acétylène en éthylène. Le composé intermétallique Al13Fe4 a été développé par Armbuster et al. en 2012 comme un catalyseur actif et sélectif pour la semi-hydrogénation de l'acétylène pour la production de polyéthylène. Il présente une structure cristalline avec des distances interatomiqu
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Aoukar, Manuela. "Dépôt de matériaux à changement de phase par PE-MOCVD à injection liquide pulsée pour des applications mémoires PCRAM." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT075/document.

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Les mémoires résistives PCRAM sont basées sur le passage rapide et réversible entre un état amorphe hautement résistif et un état cristallin faiblement résistif d’un matériau à changement de phase (PCM). Ces mémoires constituent un des candidats les plus prometteurs pour la nouvelle génération de mémoires non-volatiles grâce à un large éventail de propriétés uniques comme une vitesse de fonctionnement élevée, une capacité de stockage multi-niveaux sur plusieurs bits, une bonne endurance et une possibilité de miniaturisation poussée. Cependant, la nécessité d’utiliser des courants d’effacement
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Boulouz, Abdellah. "Caractérisation de matériaux thermoélectriques à base de semi-conducteurs V2-VI3 déposés par MOCVD : Réalisation de micromodules Peltier et de capteurs thermoélectriques." Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20103.

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Ce memoire a pour but la fabrication et l'etude des capteurs thermoelectriques et des convertisseurs thermoelectriques a base de tellerures de bismuth et d'antimoine (composes binaires et ternaires). La technique choisie pour l'elaboration de ces materiaux thermoelectriques en couches minces est la mocvd. Apres une breve etude theorique sur les mecanismes de transports dans les semi-conducteurs et les differents parametres de la thermoelectricite ainsi que les effets thermoelectriques, les principales caracteristiques des tellerures de bismuth et d'antimoine sont presentees. Une mise au point
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RICHARD, EMMANUEL. "Etude du dépôt MOCVD de TiN et de son intégration comme matériau barrière pour la métallisation du cuivre." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10081.

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Avec la reduction des dimensions caracteristiques des circuits integres, il est necessaire de diminuer les capacites entre lignes d'interconnexions ainsi que leurs resistances et d'ameliorer la fiabilite des interconnexions. L'introduction d'une metallisation cuivre permet de depasser les limitations actuelles. Cependant, l'integration du cuivre dans des structures d'interconnexions necessite l'introduction de nouveaux materiaux. Ces couches d'interface doivent verifier les proprietes suivantes : * empecher la diffusion du cuivre dans le silicium et dans les dielectrique meme pour des epaisseu
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