Zeitschriftenartikel zum Thema „Couloir de mobilité“
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Bovey, Laurent. „De la classe spéciale à la classe régulière“. Revue suisse de pédagogie spécialisée 14, Nr. 01 (07.03.2024): 13–19. http://dx.doi.org/10.57161/r2024-01-03.
Der volle Inhalt der QuelleNagy, Raluca. „Tourisme et migration dans le Maramureş“. Ethnologies 31, Nr. 1 (09.11.2009): 111–26. http://dx.doi.org/10.7202/038502ar.
Der volle Inhalt der QuellePotbhare, Siddharth, Gary Pennington, Neil Goldsman, Aivars J. Lelis, Daniel B. Habersat, F. Barry McLean und J. M. McGarrity. „Using a First Principles Coulomb Scattering Mobility Model for 4H-SiC MOSFET Device Simulation“. Materials Science Forum 527-529 (Oktober 2006): 1321–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1321.
Der volle Inhalt der QuellePérez-Tomás, Amador, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, James A. Covington, Phillippe Godignon, José Millan und Narcis Mestres. „SiC MOSFET Channel Mobility Dependence on Substrate Doping and Temperature Considering High Density of Interface Traps“. Materials Science Forum 556-557 (September 2007): 835–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.835.
Der volle Inhalt der QuelleJi, Qizheng, Jun Liu, Ming Yang, Xiaofeng Hu, Guangfu Wang, Menglin Qiu und Shanghe Liu. „Influence of Proton Irradiation Energy on Gate–Channel Low-Field Electron Mobility in AlGaN/GaN HEMTs“. Electronics 12, Nr. 6 (20.03.2023): 1473. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12061473.
Der volle Inhalt der QuellePérez-Tomás, Amador, Miquel Vellvehi, Narcis Mestres, José Millan, P. Vennegues und J. Stoemenos. „Modelling of the Anomalous Field-Effect Mobility Peak of O-Ta2Si/4H-SiC High-k MOSFETs Measured in Strong Inversion“. Materials Science Forum 527-529 (Oktober 2006): 1059–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1059.
Der volle Inhalt der QuelleChen, W. P. N., Pin Su und K. I. Goto. „Investigation of Coulomb Mobility in Nanoscale Strained PMOSFETs“. IEEE Transactions on Nanotechnology 7, Nr. 5 (September 2008): 538–43. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2008.2004771.
Der volle Inhalt der QuelleDriussi, Francesco, und David Esseni. „Simulation Study of Coulomb Mobility in Strained Silicon“. IEEE Transactions on Electron Devices 56, Nr. 9 (September 2009): 2052–59. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2009.2026394.
Der volle Inhalt der QuelleWalczak, Jakub, und Bogdan Majkusiak. „Scattering mechanisms in MOS/SOI devices with ultrathin semiconductor layers“. Journal of Telecommunications and Information Technology, Nr. 1 (30.03.2004): 39–49. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2004.1.230.
Der volle Inhalt der QuelleIhlenborg, Marvin, Ann-Kathrin Schuster, Jürgen Grotemeyer und Frank Gunzer. „Measuring the effects of Coulomb repulsion via signal decay in an atmospheric pressure laser ionization ion mobility spectrometer“. European Journal of Mass Spectrometry 24, Nr. 4 (02.03.2018): 330–36. http://dx.doi.org/10.1177/1469066718761585.
Der volle Inhalt der QuelleSanquer, M., M. Specht, L. Ghenim, S. Deleonibus und G. Guegan. „Coulomb blockade in low-mobility nanometer size Si MOSFET’s“. Physical Review B 61, Nr. 11 (15.03.2000): 7249–52. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.61.7249.
Der volle Inhalt der QuelleVincens, Marion, Marie-Hélène Vandersmissen und Marius Thériault. „Impacts de la restructuration du réseau d’autobus de la ville de Québec sur l’accessibilité aux emplois des femmes et sur leur mobilité professionnelle“. Cahiers de géographie du Québec 51, Nr. 144 (19.02.2008): 419–46. http://dx.doi.org/10.7202/017628ar.
Der volle Inhalt der QuelleCui, Peng, und Yuping Zeng. „Effect of Device Scaling on Electron Mobility in Nanoscale GaN HEMTs with Polarization Charge Modulation“. Nanomaterials 12, Nr. 10 (18.05.2022): 1718. http://dx.doi.org/10.3390/nano12101718.
Der volle Inhalt der QuelleMatocha, Kevin, und Vinayak Tilak. „Understanding the Inversion-Layer Properties of the 4H-SiC/SiO2 Interface“. Materials Science Forum 679-680 (März 2011): 318–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.318.
Der volle Inhalt der QuelleMortet, V., E. Bedel-Pereira, J. F. Bobo, F. Cristiano, Christian Strenger, V. Uhnevionak, A. Burenkov und A. J. Bauer. „Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation“. Materials Science Forum 740-742 (Januar 2013): 525–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.525.
Der volle Inhalt der QuelleRao, R. Ramakrishna, Kevin Matocha und Vinayak Tilak. „Quasi-Charge-Sheet Model for Inversion Layer Mobility in 4H-SiC MOSFETs“. Materials Science Forum 615-617 (März 2009): 797–800. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.797.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Dongyang, Jiawei Wang, Chong Bi, Mengmeng Li, Nianduan Lu, Zhekai Chen und Ling Li. „Lattice Relaxation Forward Negative Coulomb Drag in Hopping Regime“. Electronics 11, Nr. 8 (17.04.2022): 1273. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11081273.
Der volle Inhalt der QuelleStrenger, Christian, Viktoryia Uhnevionak, Vincent Mortet, Guillermo Ortiz, Tobias Erlbacher, Alexander Burenkov, A. J. Bauer et al. „Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in Lateral 4H-SiC MOSFETs“. Materials Science Forum 778-780 (Februar 2014): 583–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.583.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Yan, Zhao-Jun Lin, Ming Yang, Chong-Biao Luan, Yu-Tang Wang, Yuan-Jie Lv und Zhi-Hong Feng. „Effect of polarization Coulomb field scattering on low temperature electron mobility in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors“. Modern Physics Letters B 30, Nr. 35 (20.12.2016): 1650411. http://dx.doi.org/10.1142/s021798491650411x.
Der volle Inhalt der QuelleKutsuki, Katsuhiro, Sachiko Kawaji, Yukihiko Watanabe, Shinichiro Miyahara und Jun Saito. „Improved Evaluation Method for Channel Mobility in SiC Trench MOSFETs“. Materials Science Forum 821-823 (Juni 2015): 757–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.757.
Der volle Inhalt der QuelleRudenko, Tamara, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui, P. Razavi, G. Fagas und A. N. Nazarov. „On the Mobility Behavior in Highly Doped Junctionless Nanowire SOI MOSFETs“. Advanced Materials Research 854 (November 2013): 35–43. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.854.35.
Der volle Inhalt der QuelleYang, Yu, Franz A. Koeck, Xingye Wang und Robert J. Nemanich. „Surface transfer doping of MoO3 on hydrogen terminated diamond with an Al2O3 interfacial layer“. Applied Physics Letters 120, Nr. 19 (09.05.2022): 191602. http://dx.doi.org/10.1063/5.0083971.
Der volle Inhalt der QuelleYang, Yongxiong, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin, Guangyuan Jiang und Yang Liu. „Application of Polarization Coulomb Field Scattering to a Physics-Based Compact Model for AlGaN/GaN HFETs with I–V Characteristics“. Electronics 9, Nr. 10 (19.10.2020): 1719. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101719.
Der volle Inhalt der QuelleChen, Siheng, Peng Cui, Mingsheng Xu, Zhaojun Lin, Xiangang Xu, Yuping Zeng und Jisheng Han. „Improved Electrical Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors with Post Bis(trifluoromethane) Sulfonamide Treatment“. Crystals 12, Nr. 11 (26.10.2022): 1521. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12111521.
Der volle Inhalt der QuelleHatakeyama, Tetsuo, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto und Shinsuke Harada. „Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs“. Journal of Applied Physics 131, Nr. 14 (14.04.2022): 145701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0086172.
Der volle Inhalt der QuelleZhao, Yi, Mitsuru Takenaka und Shinichi Takagi. „Comprehensive Understanding of Coulomb Scattering Mobility in Biaxially Strained-Si pMOSFETs“. IEEE Transactions on Electron Devices 56, Nr. 5 (Mai 2009): 1152–56. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2009.2015170.
Der volle Inhalt der QuelleHarrysson Rodrigues, Isabel, Andrey Generalov, Miika Soikkeli, Anton Murros, Sanna Arpiainen und Andrei Vorobiev. „Geometrical magnetoresistance effect and mobility in graphene field-effect transistors“. Applied Physics Letters 121, Nr. 1 (04.07.2022): 013502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0088564.
Der volle Inhalt der QuelleCHEN, YONG-CONG. „A DILUTE NEUTRAL-CLUSTER APPROXIMATION FOR THE QUANTUM WASHBOARD POTENTIAL“. International Journal of Modern Physics B 07, Nr. 22 (10.10.1993): 3907–26. http://dx.doi.org/10.1142/s021797929300353x.
Der volle Inhalt der QuelleLee, K., Benedetto Buono, Martin Domeij und Jimmy Franchi. „TCAD Modeling of a 1200 V SiC MOSFET“. Materials Science Forum 924 (Juni 2018): 689–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.689.
Der volle Inhalt der QuelleOKTYABRSKY, S., P. NAGAIAH, V. TOKRANOV, M. YAKIMOV, R. KAMBHAMPATI, S. KOVESHNIKOV, D. VEKSLER, N. GOEL und G. BERSUKER. „ELECTRON SCATTERING IN BURIED InGaAs/HIGH-K MOS CHANNELS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, Nr. 01 (März 2011): 95–103. http://dx.doi.org/10.1142/s012915641100643x.
Der volle Inhalt der QuelleGOLD, A., und O. ANTONIE. „MAGNETORESISTANCE OF A SILICON MOSFET ON THE (111) SURFACE IN A PARALLEL MAGNETIC FIELD“. International Journal of Modern Physics B 21, Nr. 08n09 (10.04.2007): 1529–34. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207043142.
Der volle Inhalt der QuelleДавыдов, С. Ю., und А. А. Лебедев. „Влияние адсорбированной макромолекулы на подвижность носителей в однослойном графене: модель оборванных связей“. Физика и техника полупроводников 57, Nr. 5 (2023): 392. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2023.05.56210.4958.
Der volle Inhalt der QuelleHan, Kai, Xiaolei Wang, Jinjuan Xiang, Lixing Zhou, Jiazhen Zhang, Yanrong Wang, Xueli Ma et al. „Evaluation of hole mobility degradation by remote Coulomb scattering in Ge pMOSFETs“. Semiconductor Science and Technology 34, Nr. 7 (12.06.2019): 075009. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab2167.
Der volle Inhalt der QuelleCurran, Anya, Farzan Gity, Agnieszka Gocalinska, Enrica Mura, Roger E. Nagle, Michael Schmidt, Brendan Sheehan, Emanuele Pelucchi, Colm O’Dwyer und Paul K. Hurley. „High Hole Mobility Polycrystalline GaSb Thin Films“. Crystals 11, Nr. 11 (05.11.2021): 1348. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11111348.
Der volle Inhalt der QuelleTsujimura, Masatoshi, Hidenori Kitai, Hiromu Shiomi, Kazutoshi Kojima, Kenji Fukuda, Kunihiro Sakamoto, Kimiyoshi Yamasaki, Shin-Ichi Takagi und Hajime Okumura. „Analysis of Gate Oxide Nitridation Effect on SiC MOSFETs by Using Hall Measurement and Split C–V Measurement“. Materials Science Forum 858 (Mai 2016): 441–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.441.
Der volle Inhalt der QuelleZhou, Lixing, Jinjuan Xiang, Xiaolei Wang und Wenwu Wang. „Investigation on the passivation, band alignment, gate charge, and mobility degradation of the Ge MOSFET with a GeO x /Al2O3 gate stack by ozone oxidation“. Journal of Semiconductors 43, Nr. 1 (01.01.2022): 013101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/1/013101.
Der volle Inhalt der QuelleKittler, Martin, Manfred Reiche und Hans Michael Krause. „Charge Carrier Transport along Grain Boundaries in Silicon“. Solid State Phenomena 205-206 (Oktober 2013): 293–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.205-206.293.
Der volle Inhalt der QuelleПоклонский, Н. А., С. А. Вырко und А. Н. Деревяго. „Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах“. Физика и техника полупроводников 52, Nr. 6 (2018): 544. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.06.45913.8651.
Der volle Inhalt der QuelleTilak, Vinayak, Kevin Matocha, Greg Dunne, Fredrik Allerstam und Einar Ö. Sveinbjörnsson. „Scattering Mechanisms in Silicon Carbide MOSFETs with Gate Oxides Fabricated Using Sodium Enhanced Oxidation Technique“. Materials Science Forum 600-603 (September 2008): 687–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.687.
Der volle Inhalt der QuelleПротасов, Д. Ю., А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев und К. С. Журавлев. „Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев“. Физика и техника полупроводников 52, Nr. 1 (2018): 48. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.01.45318.8610.
Der volle Inhalt der QuelleMamatrishat, M., M. Kouda, T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, Y. Kataoka et al. „The effect of remote Coulomb scattering on electron mobility in La2O3gate stacked MOSFETs“. Semiconductor Science and Technology 27, Nr. 4 (14.03.2012): 045014. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/27/4/045014.
Der volle Inhalt der QuelleEsseni, D., und A. Abramo. „Modeling of electron mobility degradation by remote coulomb scattering in ultrathin oxide MOSFETs“. IEEE Transactions on Electron Devices 50, Nr. 7 (Juli 2003): 1665–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2003.814973.
Der volle Inhalt der QuelleArokianathan, C. R., J. H. Davies und A. Asenov. „Ab-initio Coulomb Scattering in Atomistic Device Simulation“. VLSI Design 8, Nr. 1-4 (01.01.1998): 331–35. http://dx.doi.org/10.1155/1998/76027.
Der volle Inhalt der QuelleOhata, Akiko, Romain Ritzenthaler, Olivier Faynot und Sorin Cristoloveanu. „Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors“. Journal of Telecommunications and Information Technology, Nr. 2 (25.06.2023): 14–24. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2007.2.804.
Der volle Inhalt der QuelleZhou, Heng, Yuanjie Lv, Mingyan Wang, Peng Cui und Zhaojun Lin. „Study of electrical transport properties of GaN-based side-gate heterostructure transistors“. Applied Physics Letters 121, Nr. 21 (21.11.2022): 212107. http://dx.doi.org/10.1063/5.0124626.
Der volle Inhalt der QuelleCretu, Bogdan, Abderrahim Tahiat, Anabela Veloso und Eddy Simoen. „(Invited) In-Depth DC and Low Frequency Noise Characterization of Nanosheet FETs at Room and Cryogenic Temperatures“. ECS Transactions 111, Nr. 1 (19.05.2023): 197–208. http://dx.doi.org/10.1149/11101.0197ecst.
Der volle Inhalt der QuelleRozen, John, Xing Guang Zhu, Ayayi Claude Ahyi, John R. Williams und Leonard C. Feldman. „The Limits of Post Oxidation Annealing in NO“. Materials Science Forum 645-648 (April 2010): 693–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.693.
Der volle Inhalt der QuelleBonnefoy, Baptiste. „À l’origine des milices de couleur : mobilité sociale et ségrégation dans les villes de l’empire espagnol“. Genèses 123, Nr. 2 (12.05.2021): 90–114. http://dx.doi.org/10.3917/gen.123.0090.
Der volle Inhalt der QuelleMamatrishat, Mamat, Miyuki Kouda, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, Takeo Hattori und Hiroshi Iwai. „Analysis of Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFET with CeO2/La2O3 Gate Stacks“. ECS Transactions 25, Nr. 7 (17.12.2019): 253–57. http://dx.doi.org/10.1149/1.3203963.
Der volle Inhalt der QuelleChen, William P. N., Pin Su und K. Goto. „Impact of Process-Induced Strain on Coulomb Scattering Mobility in Short-Channel n-MOSFETs“. IEEE Electron Device Letters 29, Nr. 7 (Juli 2008): 768–70. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2000909.
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