Zeitschriftenartikel zum Thema „CMOS Device and Integration“
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Shawkat, Mst Shamim Ara, Mohammad Habib Ullah Habib, Md Sakib Hasan, Mohammad Aminul Haque und Nicole McFarlane. „Perimeter Gated Single Photon Avalanche Diodes in Sub-Micron and Deep-Submicron CMOS Processes“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, Nr. 03n04 (September 2018): 1840018. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400189.
Der volle Inhalt der QuelleKrupar, Joerg, Heiko Hauswald und Ronny Naumann. „A Substrate Current Less Control Method for CMOS Integration of Power Bridges“. Advances in Power Electronics 2010 (23.09.2010): 1–11. http://dx.doi.org/10.1155/2010/909612.
Der volle Inhalt der QuelleKogut, Igor T., Victor I. Holota, Anatoly Druzhinin und V. V. Dovhij. „The Device-Technological Simulation of Local 3D SOI-Structures“. Journal of Nano Research 39 (Februar 2016): 228–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.39.228.
Der volle Inhalt der QuelleLeenheer, Andrew, Connor Halsey, Daniel Ward, Deanna Campbell, John S. Mincey, Evan M. Anderson, Scott W. Schmucker et al. „Atomic-scale Dopant Integration During CMOS Device Fabrication“. ECS Meeting Abstracts MA2021-02, Nr. 30 (19.10.2021): 918. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-0230918mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleHuey, Sidney, Balaji Chandrasekaran, Doyle Bennett, Stan Tsai, Kun Xu, Jun Qian, Siva Dhandapani, Jeff David, Bogdan Swedek und Lakshmanan Karuppiah. „CMP Process Control for Advanced CMOS Device Integration“. ECS Transactions 44, Nr. 1 (15.12.2019): 543–52. http://dx.doi.org/10.1149/1.3694367.
Der volle Inhalt der QuellePerez-Bosch Quesada, E., E. Perez, M. Kalishettyhalli Mahadevaiah und C. Wenger. „Memristive-based in-memory computing: from device to large-scale CMOS integration“. Neuromorphic Computing and Engineering 1, Nr. 2 (18.11.2021): 024006. http://dx.doi.org/10.1088/2634-4386/ac2cd4.
Der volle Inhalt der QuelleKitchen, Jennifer, Soroush Moallemi und Sumit Bhardwaj. „Multi-chip module integration of Hybrid Silicon CMOS and GaN Technologies for RF Transceivers“. Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2019, DPC (01.01.2019): 000339–82. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491-2019-dpc-presentation_tp1_010.
Der volle Inhalt der QuelleTabata, Toshiyuki, Fabien Rozé, Louis Thuries, Sébastien Halty, Pierre-Edouard Raynal, Imen Karmous und Karim Huet. „Recent Progresses and Perspectives of UV Laser Annealing Technologies for Advanced CMOS Devices“. Electronics 11, Nr. 17 (23.08.2022): 2636. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11172636.
Der volle Inhalt der QuellePan, James N. „Chromatic and Panchromatic Nonlinear Optoelectronic CMOSFETs for CMOS Image Sensors, Laser Multiplexing, Computing, and Communication“. MRS Advances 5, Nr. 37-38 (2020): 1965–74. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.273.
Der volle Inhalt der QuelleOstling, Mikael, und Per-Erik Hellstrom. „(Invited) Sequential 3D Integration of Ge Transistors on Si CMOS“. ECS Meeting Abstracts MA2023-02, Nr. 30 (22.12.2023): 1511. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02301511mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleJacob, Ajey P., Ruilong Xie, Min Gyu Sung, Lars Liebmann, Rinus T. P. Lee und Bill Taylor. „Scaling Challenges for Advanced CMOS Devices“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 26, Nr. 01n02 (17.02.2017): 1740001. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156417400018.
Der volle Inhalt der QuelleAlexandru, Mihaela, Viorel Banu, Matthieu Florentin, Xavier Jordá, Miguel Vellvehi und Dominique Tournier. „High Temperature Electrical Characterization of 4H-SiC MESFET Basic Logic Gates“. Materials Science Forum 778-780 (Februar 2014): 1130–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1130.
Der volle Inhalt der QuelleTakenaka, Mitsuru, und Shinichi Takagi. „III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics“. Materials Science Forum 783-786 (Mai 2014): 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Hyejin, Geonhui Han, Seojin Cho, Jiyong Woo und Daeseok Lee. „Internal Resistor Effect of Multilayer-Structured Synaptic Device for Low-Power Operation“. Nanomaterials 14, Nr. 2 (16.01.2024): 201. http://dx.doi.org/10.3390/nano14020201.
Der volle Inhalt der QuelleMols, Yves, Abhitosh Vais, Sachin Yadav, Liesbeth Witters, Komal Vondkar, Reynald Alcotte, Marina Baryshnikova et al. „Monolithic Integration of Nano-Ridge Engineered InGaP/GaAs HBTs on 300 mm Si Substrate“. Materials 14, Nr. 19 (29.09.2021): 5682. http://dx.doi.org/10.3390/ma14195682.
Der volle Inhalt der QuelleSebaai, Farid, Jose Ignacio Del Agua Borniquel, Rita Vos, Philippe Absil, Thomas Chiarella, Christa Vrancken, Pieter Boelen und Evans Baiya. „Poly-Silicon Etch with Diluted Ammonia: Application to Replacement Gate Integration Scheme“. Solid State Phenomena 145-146 (Januar 2009): 207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.145-146.207.
Der volle Inhalt der QuelleSmith, A., Qi Li, Agin Vyas, Mohammad Haque, Kejian Wang, Andres Velasco, Xiaoyan Zhang et al. „Carbon-Based Electrode Materials for Microsupercapacitors in Self-Powering Sensor Networks: Present and Future Development“. Sensors 19, Nr. 19 (29.09.2019): 4231. http://dx.doi.org/10.3390/s19194231.
Der volle Inhalt der QuelleWada, Kazumi. „A New Approach of Electronics and Photonics Convergence on Si CMOS Platform: How to Reduce Device Diversity of Photonics for Integration“. Advances in Optical Technologies 2008 (07.07.2008): 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2008/807457.
Der volle Inhalt der QuelleKöck, Anton, Marco Deluca, Florentyna Sosada-Ludwikowska, Günther Maier, Robert Wimmer Teubenbacher, Martin Sagmeister, Karl Rohracher et al. „Heterogeneous Integration of Metal Oxides—Towards a CMOS Based Multi Gas Sensor Device“. Proceedings 14, Nr. 1 (19.06.2019): 5. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2019014005.
Der volle Inhalt der QuelleOstling, Mikael, und Per-Erik Hellstrom. „(Invited) Sequential 3D Integration of Ge Transistors on Si CMOS“. ECS Transactions 112, Nr. 1 (29.09.2023): 13–24. http://dx.doi.org/10.1149/11201.0013ecst.
Der volle Inhalt der QuelleMulberry, Geoffrey, Kevin A. White, Matthew A. Crocker und Brian N. Kim. „A 512-Ch Dual-Mode Microchip for Simultaneous Measurements of Electrophysiological and Neurochemical Activities“. Biosensors 13, Nr. 5 (26.04.2023): 502. http://dx.doi.org/10.3390/bios13050502.
Der volle Inhalt der QuelleDunai, L., G. Peris-Fajarnés, E. Lluna und B. Defez. „Sensory Navigation Device for Blind People“. Journal of Navigation 66, Nr. 3 (25.01.2013): 349–62. http://dx.doi.org/10.1017/s0373463312000574.
Der volle Inhalt der QuelleWan Muhamad Hatta, Sharifah Fatmadiana, Dayanasari Abdul Hadi und Norhayati Soin. „Laser Anneal-Induced Effects on the NBTI Degradation of Advanced-Process 45nm High-K PMOS“. Advanced Materials Research 189-193 (Februar 2011): 1862–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.189-193.1862.
Der volle Inhalt der QuelleWANG, YANGYUAN, RU HUANG, JINFENG KANG und SHENGDONG ZHANG. „HIGHLY SCALED CMOS DEVICE TECHNOLOGIES WITH NEW STRUCTURES AND NEW MATERIALS“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, Nr. 01 (März 2006): 147–73. http://dx.doi.org/10.1142/s012915640600359x.
Der volle Inhalt der QuelleThomas, Dave, Jean Michailos, Nicolas Hotellier, Gilles Metellus, Francois Guyader, Alain Inard, Keith Buchanan, Dorleta Cortaberria Sanz, Yiping Song und Tony Wilby. „Integration Aspects of the Implementation of Through Silicon Vias (TSV) for CMOS Image Sensors“. Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, DPC (01.01.2010): 000539–56. http://dx.doi.org/10.4071/2010dpc-ta14.
Der volle Inhalt der QuelleTakagi, Shinichi, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Rui Zhang und Mitsuru Takenaka. „(Invited) Device and Integration Technologies of III-V/Ge Channel CMOS“. ECS Transactions 41, Nr. 7 (16.12.2019): 203–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633300.
Der volle Inhalt der QuelleSong, Boxin. „Metal Oxide Neural Devices and Their Applications“. Highlights in Science, Engineering and Technology 87 (26.03.2024): 226–31. http://dx.doi.org/10.54097/zwgj1t76.
Der volle Inhalt der QuelleHall, Steve, und Bill Eccleston. „Silicon-germanium for ULSI“. Journal of Telecommunications and Information Technology, Nr. 3-4 (30.12.2000): 3–9. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2000.3-4.33.
Der volle Inhalt der QuelleSánchez-Chiva, Josep Maria, Juan Valle, Daniel Fernández und Jordi Madrenas. „A CMOS-MEMS BEOL 2-axis Lorentz-Force Magnetometer with Device-Level Offset Cancellation“. Sensors 20, Nr. 20 (19.10.2020): 5899. http://dx.doi.org/10.3390/s20205899.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Zhao Yun, Zhi Gui Shi, Zhen Chuan Yang und Bo Peng. „MEMS Monolithic Integration Technology“. Key Engineering Materials 562-565 (Juli 2013): 1387–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.562-565.1387.
Der volle Inhalt der QuelleSoh, Mei, T. Teo, S. Selvaraj, Lulu Peng, Don Disney und Kiat Yeo. „Heterogeneous Integration of GaN and BCD Technologies“. Electronics 8, Nr. 3 (22.03.2019): 351. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8030351.
Der volle Inhalt der QuelleHeyns, M., und W. Tsai. „Ultimate Scaling of CMOS Logic Devices with Ge and III–V Materials“. MRS Bulletin 34, Nr. 7 (Juli 2009): 485–92. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2009.136.
Der volle Inhalt der QuelleJoubert, James, und Deepak Sharma. „Using CMOS Cameras for Light Microscopy“. Microscopy Today 19, Nr. 4 (Juli 2011): 22–28. http://dx.doi.org/10.1017/s155192951100054x.
Der volle Inhalt der QuelleKumar, K. R. Lakshmi, R. A. Hadaway, M. A. Copeland und M. I. H. King. „A precision design technique for analog very large scale integration“. Canadian Journal of Physics 63, Nr. 6 (01.06.1985): 702–6. http://dx.doi.org/10.1139/p85-109.
Der volle Inhalt der QuelleHadizadeh, Rameen, Anssi Laitinen, Niko Kuusniemi, Volker Blaschke, David Molinero, Eoin O'Toole und Márcio Pinheiro. „Low-Density Fan-Out Heterogeneous Integration of MEMS Tunable Capacitor and RF SOI Switch“. International Symposium on Microelectronics 2019, Nr. 1 (01.10.2019): 000051–55. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2019.1.000051.
Der volle Inhalt der QuelleKhaja, Fareen Adeni. „Contact Resistance Improvement for Advanced Logic by Integration of Epi, Implant and Anneal Innovations“. MRS Advances 4, Nr. 48 (2019): 2559–76. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2019.416.
Der volle Inhalt der QuelleFan, Zhihua, Qinling Deng, Xiaoyu Ma und Shaolin Zhou. „Phase Change Metasurfaces by Continuous or Quasi-Continuous Atoms for Active Optoelectronic Integration“. Materials 14, Nr. 5 (07.03.2021): 1272. http://dx.doi.org/10.3390/ma14051272.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Zhichao, Shiheng Yang, Samuel B. S. Lee und Kiat Seng Yeo. „A Two-Stage X-Band 20.7-dBm Power Amplifier in 40-nm CMOS Technology“. Electronics 9, Nr. 12 (20.12.2020): 2198. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122198.
Der volle Inhalt der QuelleDeshpande, V. V., V. Djara, D. Caimi, E. O'Connor, M. Sousa, L. Czornomaz und J. Fompeyrine. „(Invited) Material and Device Integration for Hybrid III-V/SiGe CMOS Technology“. ECS Transactions 69, Nr. 10 (02.10.2015): 131–42. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0131ecst.
Der volle Inhalt der QuelleFilipovic, Lado, und Siegfried Selberherr. „Thermo-Electro-Mechanical Simulation of Semiconductor Metal Oxide Gas Sensors“. Materials 12, Nr. 15 (28.07.2019): 2410. http://dx.doi.org/10.3390/ma12152410.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Yinxing, Ziliang Fang und Xiaobing Yan. „HfO2-based memristor-CMOS hybrid implementation of artificial neuron model“. Applied Physics Letters 120, Nr. 21 (23.05.2022): 213502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0091286.
Der volle Inhalt der QuelleBelhassen, Jérémy, Zeev Zalevsky und Avi Karsenty. „Optical Polarization Sensitive Ultra-Fast Switching and Photo-Electrical Device“. Nanomaterials 9, Nr. 12 (07.12.2019): 1743. http://dx.doi.org/10.3390/nano9121743.
Der volle Inhalt der QuelleMori, Takahiro. „(Invited, Digital Presentation) Silicon Compatible Quantum Computers: Challenges in Devices, Integration, and Circuits“. ECS Meeting Abstracts MA2022-01, Nr. 29 (07.07.2022): 1297. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01291297mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleKluba, Marta, Bruno Morana, Angel Savov, Henk van Zeijl, Gregory Pandraud und Ronald Dekker. „Wafer-Scale Integration for Semi-Flexible Neural Implant Miniaturization“. Proceedings 2, Nr. 13 (10.12.2018): 941. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2130941.
Der volle Inhalt der QuelleKazior, Thomas E. „Beyond CMOS: heterogeneous integration of III–V devices, RF MEMS and other dissimilar materials/devices with Si CMOS to create intelligent microsystems“. Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 372, Nr. 2012 (28.03.2014): 20130105. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2013.0105.
Der volle Inhalt der QuelleBuchbinder, Miryam, Ora Eli, Sagie Rozental, Yami Bouhnik, Shimon Greenberg, Krish Mani, Yifat Cohen, Ken Mackay, Jeremy Pereira und Jeremy Alvarez Herault. „Integrating MTJ Devices into a 130nm CMOS Process Flow“. Advances in Science and Technology 99 (Oktober 2016): 81–89. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.99.81.
Der volle Inhalt der QuelleSebaai, Farid, Liesbeth Witters, Frank Holsteyns, Yoshida Yukifumi, Paul W. Mertens und Stefan De Gendt. „Nickel Selective Etch for Contacts on Ge Based Devices“. Solid State Phenomena 219 (September 2014): 105–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.219.105.
Der volle Inhalt der QuelleMansour, Raafat R. „RF MEMS-CMOS Device Integration: An Overview of the Potential for RF Researchers“. IEEE Microwave Magazine 14, Nr. 1 (Januar 2013): 39–56. http://dx.doi.org/10.1109/mmm.2012.2226539.
Der volle Inhalt der QuelleFUKAISHI, MUNEO, KAZUYUKI NAKAMURA und MICHIO YOTSUYANAGI. „HIGH-SPEED AND HIGH-DATA-BANDWIDTH TRANSMITTER AND RECEIVER FOR MULTI-CHANNEL SERIAL DATA COMMUNICATION WITH CMOS TECHNOLOGY“. International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, Nr. 01 (März 2001): 1–33. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401000770.
Der volle Inhalt der QuelleCarta, Fabio, Htay Hlaing, Hassan Edrees, Shyuan Yang, Mingoo Seok und Ioannis Kymissis. „Co-development of complementary technology and modified-CPL family for organic digital integrated circuits“. MRS Proceedings 1795 (2015): 19–25. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2015.564.
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