Zeitschriftenartikel zum Thema „Atomic Layer Etching“
Geben Sie eine Quelle nach APA, MLA, Chicago, Harvard und anderen Zitierweisen an
Machen Sie sich mit Top-50 Zeitschriftenartikel für die Forschung zum Thema "Atomic Layer Etching" bekannt.
Neben jedem Werk im Literaturverzeichnis ist die Option "Zur Bibliographie hinzufügen" verfügbar. Nutzen Sie sie, wird Ihre bibliographische Angabe des gewählten Werkes nach der nötigen Zitierweise (APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver usw.) automatisch gestaltet.
Sie können auch den vollen Text der wissenschaftlichen Publikation im PDF-Format herunterladen und eine Online-Annotation der Arbeit lesen, wenn die relevanten Parameter in den Metadaten verfügbar sind.
Sehen Sie die Zeitschriftenartikel für verschiedene Spezialgebieten durch und erstellen Sie Ihre Bibliographie auf korrekte Weise.
AOYAGI, Yoshinobu, und Takashi MEGURO. „Atomic Layer Etching.“ Nihon Kessho Gakkaishi 33, Nr. 3 (1991): 169–74. http://dx.doi.org/10.5940/jcrsj.33.169.
Der volle Inhalt der QuelleEliceiri, Matthew, Yoonsoo Rho, Runxuan Li und Costas P. Grigoropoulos. „Pulsed laser induced atomic layer etching of silicon“. Journal of Vacuum Science & Technology A 41, Nr. 2 (März 2023): 022602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002399.
Der volle Inhalt der QuelleHatch, Kevin A., Daniel C. Messina und Robert J. Nemanich. „Plasma enhanced atomic layer deposition and atomic layer etching of gallium oxide using trimethylgallium“. Journal of Vacuum Science & Technology A 40, Nr. 4 (Juli 2022): 042603. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001871.
Der volle Inhalt der QuelleOh, Chang-Kwon, Sang-Duk Park und Geun-Young Yeom. „Atomic Layer Etching of Silicon Using a Ar Neutral Beam of Low Energy“. Korean Journal of Materials Research 16, Nr. 4 (27.04.2006): 213–17. http://dx.doi.org/10.3740/mrsk.2006.16.4.213.
Der volle Inhalt der QuelleGeorge, Steven M. „(Tutorial) Thermal Atomic Layer Etching“. ECS Meeting Abstracts MA2021-02, Nr. 29 (19.10.2021): 847. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-0229847mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleIkeda, Keiji, Shigeru Imai und Masakiyo Matsumura. „Atomic layer etching of germanium“. Applied Surface Science 112 (März 1997): 87–91. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(96)00995-6.
Der volle Inhalt der QuelleNieminen, Heta-Elisa, Mykhailo Chundak, Mikko J. Heikkilä, Paloma Ruiz Kärkkäinen, Marko Vehkamäki, Matti Putkonen und Mikko Ritala. „In vacuo cluster tool for studying reaction mechanisms in atomic layer deposition and atomic layer etching processes“. Journal of Vacuum Science & Technology A 41, Nr. 2 (März 2023): 022401. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002312.
Der volle Inhalt der QuelleYao, Yong Zhao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara und Koji Sato. „Removal of Mechanical-Polishing-Induced Surface Damages on 4H-SiC Wafers by Using Chemical Etching with Molten KCl+KOH“. Materials Science Forum 778-780 (Februar 2014): 746–49. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.746.
Der volle Inhalt der QuelleReif, Johanna, Martin Knaut, Sebastian Killge, Matthias Albert, Thomas Mikolajick und Johann W. Bartha. „In situ studies on atomic layer etching of aluminum oxide using sequential reactions with trimethylaluminum and hydrogen fluoride“. Journal of Vacuum Science & Technology A 40, Nr. 3 (Mai 2022): 032602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001630.
Der volle Inhalt der QuelleHirano, Tomoki, Kenya Nishio, Takashi Fukatani, Suguru Saito, Yoshiya Hagimoto und Hayato Iwamoto. „Characterization of Wet Chemical Atomic Layer Etching of InGaAs“. Solid State Phenomena 314 (Februar 2021): 95–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.314.95.
Der volle Inhalt der QuelleFischer, Andreas, Aaron Routzahn, Steven M. George und Thorsten Lill. „Thermal atomic layer etching: A review“. Journal of Vacuum Science & Technology A 39, Nr. 3 (Mai 2021): 030801. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000894.
Der volle Inhalt der QuelleT. Carver, Colin, John J. Plombon, Patricio E. Romero, Satyarth Suri, Tristan A. Tronic und Robert B. Turkot. „Atomic Layer Etching: An Industry Perspective“. ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, Nr. 6 (2015): N5005—N5009. http://dx.doi.org/10.1149/2.0021506jss.
Der volle Inhalt der QuelleTAKAKUWA, Yuji. „Surface Reactions in Atomic Layer Etching.“ Hyomen Kagaku 16, Nr. 6 (1995): 373–77. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.16.373.
Der volle Inhalt der QuelleKanarik, Keren J., Samantha Tan, Wenbing Yang, Taeseung Kim, Thorsten Lill, Alexander Kabansky, Eric A. Hudson et al. „Predicting synergy in atomic layer etching“. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, Nr. 5 (September 2017): 05C302. http://dx.doi.org/10.1116/1.4979019.
Der volle Inhalt der QuelleGong, Yukun, und Rohan Akolkar. „Electrochemical Atomic Layer Etching of Ruthenium“. Journal of The Electrochemical Society 167, Nr. 6 (14.04.2020): 062510. http://dx.doi.org/10.1149/1945-7111/ab864b.
Der volle Inhalt der QuelleChalker, P. R. „Photochemical atomic layer deposition and etching“. Surface and Coatings Technology 291 (April 2016): 258–63. http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2016.02.046.
Der volle Inhalt der QuelleGeorge, Steven M. „Mechanisms of Thermal Atomic Layer Etching“. Accounts of Chemical Research 53, Nr. 6 (01.06.2020): 1151–60. http://dx.doi.org/10.1021/acs.accounts.0c00084.
Der volle Inhalt der QuelleKuzmenko, V., A. Miakonkikh und K. Rudenko. „Atomic layer etching of Silicon Oxide“. Journal of Physics: Conference Series 1410 (Dezember 2019): 012023. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012023.
Der volle Inhalt der QuelleFaraz, T., F. Roozeboom, H. C. M. Knoops und W. M. M. Kessels. „Atomic Layer Etching: What Can We Learn from Atomic Layer Deposition?“ ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, Nr. 6 (2015): N5023—N5032. http://dx.doi.org/10.1149/2.0051506jss.
Der volle Inhalt der QuelleCrawford, Kevin G., James Grant, Dilini Tania Hemakumara, Xu Li, Iain Thayne und David A. J. Moran. „High synergy atomic layer etching of AlGaN/GaN with HBr and Ar“. Journal of Vacuum Science & Technology A 40, Nr. 4 (Juli 2022): 042601. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001862.
Der volle Inhalt der Quellede Marneffe, J. F., D. Marinov, A. Goodyear, P. J. Wyndaele, N. St. J. Braithwaite, S. Kundu, I. Asselberghs, M. Cooke und S. De Gendt. „Plasma enhanced atomic layer etching of high-k layers on WS2“. Journal of Vacuum Science & Technology A 40, Nr. 4 (Juli 2022): 042602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001726.
Der volle Inhalt der QuelleAroulanda, Sébastien, Olivier Patard, Philippe Altuntas, Nicolas Michel, Jorge Pereira, Cédric Lacam, Piero Gamarra et al. „Cl2/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers“. Journal of Vacuum Science & Technology A 37, Nr. 4 (Juli 2019): 041001. http://dx.doi.org/10.1116/1.5090106.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Y. Y., W. S. Lim, J. B. Park und G. Y. Yeom. „Layer by Layer Etching of the Highly Oriented Pyrolythic Graphite by Using Atomic Layer Etching“. Journal of The Electrochemical Society 158, Nr. 12 (2011): D710. http://dx.doi.org/10.1149/2.061112jes.
Der volle Inhalt der QuelleYao, Yikun, Xinjia Zhao, Xiangqian Tang, Jianmei Li, Xinyan Shan und Xinghua Lu. „Laser etching of 2D materials with single-layer precision up to ten layers“. Journal of Laser Applications 34, Nr. 4 (November 2022): 042051. http://dx.doi.org/10.2351/7.0000848.
Der volle Inhalt der QuelleHirata, Akiko, Masanaga Fukasawa, Katsuhisa Kugimiya, Kojiro Nagaoka, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi und Hayato Iwamoto. „Mechanism of SiN etching rate fluctuation in atomic layer etching“. Journal of Vacuum Science & Technology A 38, Nr. 6 (Dezember 2020): 062601. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000257.
Der volle Inhalt der QuelleGuan, Lulu, Xingyu Li, Dongchen Che, Kaidong Xu und Shiwei Zhuang. „Plasma atomic layer etching of GaN/AlGaN materials and application: An overview“. Journal of Semiconductors 43, Nr. 11 (01.11.2022): 113101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/11/113101.
Der volle Inhalt der QuelleHoffmann, M., J. A. Murdzek, S. M. George, S. Slesazeck, U. Schroeder und T. Mikolajick. „Atomic layer etching of ferroelectric hafnium zirconium oxide thin films enables giant tunneling electroresistance“. Applied Physics Letters 120, Nr. 12 (21.03.2022): 122901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0084636.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Y., J. W. DuMont und S. M. George. „(Invited) Atomic Layer Etching Using Thermal Reactions: Atomic Layer Deposition in Reverse“. ECS Transactions 69, Nr. 7 (02.10.2015): 233–41. http://dx.doi.org/10.1149/06907.0233ecst.
Der volle Inhalt der QuelleJung, Junho, und Kyongnam Kim. „Atomic Layer Etching Using a Novel Radical Generation Module“. Materials 16, Nr. 10 (09.05.2023): 3611. http://dx.doi.org/10.3390/ma16103611.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Seon Yong, In-Sung Park und Jinho Ahn. „Atomic layer etching of SiO2 using trifluoroiodomethane“. Applied Surface Science 589 (Juli 2022): 153045. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.153045.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Doo San, Ju Eun Kim, You Jung Gill, Yun Jong Jang, Ye Eun Kim, Kyong Nam Kim, Geun Young Yeom und Dong Woo Kim. „Anisotropic/Isotropic Atomic Layer Etching of Metals“. Applied Science and Convergence Technology 29, Nr. 3 (31.05.2020): 41–49. http://dx.doi.org/10.5757/asct.2020.29.3.041.
Der volle Inhalt der QuelleSakaue, Hiroyuki, Seiji Iseda, Kazushi Asami, Jirou Yamamoto, Masataka Hirose und Yasuhiro Horiike. „Atomic Layer Controlled Digital Etching of Silicon“. Japanese Journal of Applied Physics 29, Part 1, No. 11 (20.11.1990): 2648–52. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.29.2648.
Der volle Inhalt der QuelleSherpa, Sonam D., und Alok Ranjan. „Quasi-atomic layer etching of silicon nitride“. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, Nr. 1 (Januar 2017): 01A102. http://dx.doi.org/10.1116/1.4967236.
Der volle Inhalt der QuelleKauppinen, Christoffer, Sabbir Ahmed Khan, Jonas Sundqvist, Dmitry B. Suyatin, Sami Suihkonen, Esko I. Kauppinen und Markku Sopanen. „Atomic layer etching of gallium nitride (0001)“. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, Nr. 6 (November 2017): 060603. http://dx.doi.org/10.1116/1.4993996.
Der volle Inhalt der QuelleGong, Yukun, Kailash Venkatraman und Rohan Akolkar. „Communication—Electrochemical Atomic Layer Etching of Copper“. Journal of The Electrochemical Society 165, Nr. 7 (2018): D282—D284. http://dx.doi.org/10.1149/2.0901807jes.
Der volle Inhalt der QuelleAthavale, Satish D. „Realization of atomic layer etching of silicon“. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 14, Nr. 6 (November 1996): 3702. http://dx.doi.org/10.1116/1.588651.
Der volle Inhalt der QuelleKanarik, Keren J., Samantha Tan, Wenbing Yang, Ivan L. Berry, Yang Pan und Richard A. Gottscho. „Universal scaling relationship for atomic layer etching“. Journal of Vacuum Science & Technology A 39, Nr. 1 (Januar 2021): 010401. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000762.
Der volle Inhalt der QuelleFischer, Andreas, Aaron Routzahn, Younghee Lee, Thorsten Lill und Steven M. George. „Thermal etching of AlF3 and thermal atomic layer etching of Al2O3“. Journal of Vacuum Science & Technology A 38, Nr. 2 (März 2020): 022603. http://dx.doi.org/10.1116/1.5135911.
Der volle Inhalt der QuellePark, Sang-Duk, Kyung-Suk Min, Byoung-Young Yoon, Do-Haing Lee und Geun-Young Yeom. „Precise Depth Control of Silicon Etching Using Chlorine Atomic Layer Etching“. Japanese Journal of Applied Physics 44, Nr. 1A (11.01.2005): 389–93. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.44.389.
Der volle Inhalt der QuelleTsutsumi, Takayoshi, Masaru Zaitsu, Akiko Kobayashi, Nobuyoshi Kobayashi und Masaru Hori. „(Invited) Advanced Plasma Etching Processing: Atomic Layer Etching for Nanoscale Devices“. ECS Transactions 77, Nr. 3 (21.04.2017): 25–28. http://dx.doi.org/10.1149/07703.0025ecst.
Der volle Inhalt der QuelleKhan, M. B., Sh Shakeel, K. Richter, S. Ghosh, A. Erbe und Yo M. Georgiev. „Atomic layer etching of nanowires using conventional reactive ion etching tool“. Journal of Physics: Conference Series 2443, Nr. 1 (01.02.2023): 012004. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2443/1/012004.
Der volle Inhalt der QuellePollet, Olivier, Nicolas Possémé, Vincent Ah-Leung und Maxime Garcia Barros. „Thin Layer Etching of Silicon Nitride: Comparison of Downstream Plasma, Liquid HF and Gaseous HF Processes for Selective Removal after Light Ion Implantation“. Solid State Phenomena 255 (September 2016): 69–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.69.
Der volle Inhalt der QuelleAbromavičius, Giedrius, Martynas Skapas und Remigijus Juškėnas. „Enhancing Laser Damage Resistance of Co2+:MgAl2O4 Crystal by Plasma Etching“. Applied Sciences 13, Nr. 2 (14.01.2023): 1150. http://dx.doi.org/10.3390/app13021150.
Der volle Inhalt der QuelleChittock, Nicholas John, Wilhelmus M. M. (Erwin) Kessels, Harm Knoops und Adrie Mackus. „(Invited) The Use of Plasmas for Isotropic Atomic Layer Etching“. ECS Meeting Abstracts MA2023-02, Nr. 29 (22.12.2023): 1464. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02291464mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleMOCHIJI, KOZO. „Atomic Layer Etching by Using Multiply-Charged Ions.“ Hyomen Kagaku 16, Nr. 6 (1995): 367–72. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.16.367.
Der volle Inhalt der QuelleTan, Samantha, Wenbing Yang, Keren J. Kanarik, Thorsten Lill, Vahid Vahedi, Jeff Marks und Richard A. Gottscho. „Highly Selective Directional Atomic Layer Etching of Silicon“. ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, Nr. 6 (2015): N5010—N5012. http://dx.doi.org/10.1149/2.0031506jss.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Woo-Hee, Dougyong Sung, Sejin Oh, Jehun Woo, Seungkyu Lim, Hyunju Lee und Stacey F. Bent. „Thermal adsorption-enhanced atomic layer etching of Si3N4“. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 36, Nr. 1 (Januar 2018): 01B104. http://dx.doi.org/10.1116/1.5003271.
Der volle Inhalt der QuelleBerry, Ivan L., Keren J. Kanarik, Thorsten Lill, Samantha Tan, Vahid Vahedi und Richard A. Gottscho. „Applying sputtering theory to directional atomic layer etching“. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 36, Nr. 1 (Januar 2018): 01B105. http://dx.doi.org/10.1116/1.5003393.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Kang-Il, Dong Chan Seok, Soo Ouk Jang und Yong Sup Choi. „Development of Silicon Carbide Atomic Layer Etching Technology“. Thin Solid Films 707 (August 2020): 138084. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2020.138084.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Ki Seok, Ki Hyun Kim, Yeonsig Nam, Jaeho Jeon, Soonmin Yim, Eric Singh, Jin Yong Lee et al. „Atomic Layer Etching Mechanism of MoS2 for Nanodevices“. ACS Applied Materials & Interfaces 9, Nr. 13 (27.03.2017): 11967–76. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b15886.
Der volle Inhalt der Quelle