Bücher zum Thema „Arsenid inditý“
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Huber, Dieter. InP/InGaAs single hetero-junction bipolar transistors for integrated photoreceivers operating at 40 Gb/s and beyond. Konstanz: Hartung-Gorre, 2002.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAdachi, Sadao. Physical properties of III-V semiconductor compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP. New York: Wiley, 1992.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMohanty, Deba R. Arming the Indian arsenal: Challenges and policy options. New Delhi: Rupa & Co. in association with Observer Research Foundation, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFoundation, Observer Research, Hrsg. Arming the Indian arsenal: Challenges and policy options. New Delhi: Rupa & Co. in association with Observer Research Foundation, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenChris, Smith. India's ad hoc arsenal: Arms procurement in historical perspective. Oxford: Oxford University Press, 1994.
Den vollen Inhalt der Quelle findenProzessverständnis einer Naturkatastrophe: Eine geo- und hydrochemische Untersuchung der regionalen Arsen-Anreicherung im Grundwasser West-Bengalens (Indien). Karlsruhe: Universitätsverlag, 2005.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBiswas, Ayan. A Framework for Rural Drinking Water Quality Management (WQM): Collating Experiences from the Voluntary Sector. Herausgegeben von Rima Kashyap. Bangalore, India: Arghyam, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHuber, Alex. Noise characterization and modeling of InP/InGaAs HBTs for RF circuit design. Konstanz: Hartung-Gorre, 2000.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBlaser, Markus. Monolithically integrated InGaAs/Inp photodiode-junction field-effect transistor receivers for fiber-optic telecommunication. Konstanz: Hartung-Gorre, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenAdachi, Sadao. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, Inas, Gaas, GaP, InGaAs and InGaAsP. Wiley & Sons, Limited, John, 2005.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPallab, Bhattacharya, Hrsg. Properties of lattice-matched and strained indium gallium arsenide. London: INSPEC, the Institution of Electrical Engineers, 1993.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPallab, Bhattacharya, und INSPEC (Information service), Hrsg. Properties of lattice-matched and strained indium gallium arsenide. London: INSPEC, Institution of Electrical Engineers, 1993.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPallab, Bhattacharya, Hrsg. Properties of lattice-matched and strained indium gallium arsenide. London: INSPEC, the Institution of Electrical Engineers, 1993.
Den vollen Inhalt der Quelle findenM, Carter Janet, Rosebud Sioux Tribe, South Dakota Geological Survey und Geological Survey (U.S.), Hrsg. Source, occurrence, and extent of arsenic in the Grass Mountain area of the Rosebud Indian Reservation, South Dakota. [Rapid City, S.D.]: U.S. Dept. of the Interior, U.S. Geological Survey, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenArming the Indian arsenal: Challenges and policy options. New Delhi: Rupa & Co., 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenYu, Young-June. Noise properties of InGaAs/InAlAs multiquantum-well heterostructure p-i-n photodiodes. 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenTemperature dependence of photoluminescence in InGaAsP/InP strained MQW heterostructures. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenC, Papen G., und United States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Development of advanced laser diode sources: Final report, NASA NAG 1-1861. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenC, Papen G., und United States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Development of advanced laser diode sources: Final report, NASA NAG 1-1861. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenD, Martin R., und United States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. CW performance of an InGaAs-GaAs-AlGaAs laterally-coupled distributed feedback (LC-DFB) ridge laser diode. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJohnston, Scott, AL Ramanathan, Abhijit Mukherjee und Bibhash Nath. Safe and Sustainable Use of Arsenic-Contaminated Aquifers in the Gangetic Plain: A Multidisciplinary Approach. Springer, 2015.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSource, occurrence, and extent of arsenic in the Grass Mountain Area of the Rosebud Indian Reservation, South Dakota. [Washington. D. C.]: U. S. Department of the Interior, U. S. Geological Survey, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCobalt in hard metals and cobalt sulfate, gallium arsenide, indium phosphide, and vanadium pentoxide. Lyon, France: International Agency for Research on Cancer, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle finden(Contributor), WHO, Hrsg. Cobalt in Hard-metals and Cobalt Sulfate, Gallium Arsenide, Indium Phosphide and Vanadium Pentoxide (IARC Monographs). World Health Organisation, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenQuen, Tserng Hua, und United States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Ka-band GaAs FET monolithic power amplifier development: [contract no. NAS3-24239]. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenQuen, Tserng Hua, und United States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Ka-band GaAs FET monolithic power amplifier development: [contract no. NAS3-24239]. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKa-band GaAs FET monolithic power amplifier development: [contract no. NAS3-24239]. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenQuen, Tserng Hua, und United States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Ka-band GaAs FET monolithic power amplifier development: [contract no. NAS3-24239]. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenInGaAsSb/GaSb thermophotovoltaic cells, phase I effort: Under contract NAS3-96060. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenUnited States. National Aeronautics and Space Administration., Hrsg. Investigation of the basic physics of high efficiency semiconductor hot carrier solar cell: Annual status report for NASA grant #NAG 3-1490. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.
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