Zeitschriftenartikel zum Thema „Anti-Stokes photoluminescence“
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Cao, Weitao, Weimin Du, Fuhai Su und Guohua Li. „Anti-Stokes photoluminescence in ZnO microcrystal“. Applied Physics Letters 89, Nr. 3 (17.07.2006): 031902. http://dx.doi.org/10.1063/1.2222257.
Der volle Inhalt der QuelleDantas, Noelio Oliveira, Fanyao Qu, R. S. Silva und Paulo César Morais. „Anti-Stokes Photoluminescence in Nanocrystal Quantum Dots“. Journal of Physical Chemistry B 106, Nr. 30 (August 2002): 7453–57. http://dx.doi.org/10.1021/jp0208743.
Der volle Inhalt der QuellePierret, Aurélie, Hans Tornatzky und Janina Maultzsch. „Anti‐Stokes Photoluminescence of Monolayer WS 2“. physica status solidi (b) 256, Nr. 12 (09.10.2019): 1900419. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201900419.
Der volle Inhalt der QuelleHeimbrodt, Wolfram, Michael Happ und Fritz Henneberger. „Giant anti-Stokes photoluminescence from semimagnetic heterostructures“. Physical Review B 60, Nr. 24 (15.12.1999): R16326—R16329. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.60.r16326.
Der volle Inhalt der QuelleMoadhen, A., H. Elhouichet und M. Oueslati. „Stokes and anti-Stokes photoluminescence of Rhodamine B in porous silicon“. Materials Science and Engineering: C 21, Nr. 1-2 (September 2002): 297–301. http://dx.doi.org/10.1016/s0928-4931(02)00084-x.
Der volle Inhalt der QuellePoles, Ehud, Donald C. Selmarten, Olga I. Mićić und Arthur J. Nozik. „Anti-Stokes photoluminescence in colloidal semiconductor quantum dots“. Applied Physics Letters 75, Nr. 7 (16.08.1999): 971–73. http://dx.doi.org/10.1063/1.124570.
Der volle Inhalt der QuelleGoto, T., G. Fujimoto und T. Yao. „Ultraviolet anti-Stokes photoluminescence in GaN single crystals“. Journal of Physics: Condensed Matter 18, Nr. 11 (02.03.2006): 3141–49. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/18/11/019.
Der volle Inhalt der QuelleRakovich, Yu P., S. A. Filonovich, M. J. M. Gomes, J. F. Donegan, D. V. Talapin, A. L. Rogach und A. Eychm�ller. „Anti-Stokes Photoluminescence in II-VI Colloidal Nanocrystals“. physica status solidi (b) 229, Nr. 1 (Januar 2002): 449–52. http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200201)229:1<449::aid-pssb449>3.0.co;2-4.
Der volle Inhalt der QuelleFujiwara, K., A. Satake, N. Takata, U. Jahn, E. Luna und H. T. Grahn. „Anti-Stokes and Stokes photoluminescence in non-uniform GaAs-based quantum wells“. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 42, Nr. 10 (September 2010): 2658–60. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2010.02.028.
Der volle Inhalt der QuelleGruzintsev, A. N. „Two-photon excitation of anti-stokes photoluminescence in Y1.80Er0.10Yb0.10O2S“. Inorganic Materials 50, Nr. 8 (18.07.2014): 821–25. http://dx.doi.org/10.1134/s0020168514080081.
Der volle Inhalt der QuelleYamamoto, Aishi, Tetsuya Sasao, Takenari Goto, Kenta Arai, Hyun-Yong Lee, Hisao Makino und Takafumi Yao. „Anti-Stokes photoluminescence in CdSe self-assembled quantum dots“. physica status solidi (c), Nr. 4 (Juli 2003): 1246–49. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200303059.
Der volle Inhalt der QuelleValakh, M. Ya, N. V. Vuychik, V. V. Strelchuk, S. V. Sorokin, T. V. Shubina, S. V. Ivanov und P. S. Kop’ev. „Low-temperature anti-Stokes photoluminescence in CdSe/ZnSe nanostructures“. Semiconductors 37, Nr. 6 (Juni 2003): 699–704. http://dx.doi.org/10.1134/1.1582538.
Der volle Inhalt der QuelleSatake, Akihiro, Yasuaki Masumoto, Takao Miyajima, Tsunenori Asatsuma und Tomonori Hino. „Ultraviolet anti-Stokes photoluminescence inInxGa1−xN/GaNquantum-well structures“. Physical Review B 61, Nr. 19 (15.05.2000): 12654–57. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.61.12654.
Der volle Inhalt der QuelleJancik Prochazkova, Anna, Felix Mayr, Katarina Gugujonovic, Bekele Hailegnaw, Jozef Krajcovic, Yolanda Salinas, Oliver Brüggemann, Niyazi Serdar Sariciftci und Markus C. Scharber. „Anti-Stokes photoluminescence study on a methylammonium lead bromide nanoparticle film“. Nanoscale 12, Nr. 31 (2020): 16556–61. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr04545d.
Der volle Inhalt der QuelleDiener, J., D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, N. Künzner, F. Koch, Al L. Efros und M. Rosen. „Strong low-temperature anti-Stokes photoluminescence from coupled silicon nanocrystals“. Optical Materials 17, Nr. 1-2 (Juni 2001): 135–39. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-3467(01)00036-2.
Der volle Inhalt der QuelleJollans, Thomas, Martín Caldarola, Yonatan Sivan und Michel Orrit. „Effective Electron Temperature Measurement Using Time-Resolved Anti-Stokes Photoluminescence“. Journal of Physical Chemistry A 124, Nr. 34 (28.07.2020): 6968–76. http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpca.0c06671.
Der volle Inhalt der QuelleValakh, M. Ya, N. O. Korsunska, Yu G. Sadofyev, V. V. Strelchuk, G. N. Semenova, L. V. Borkovska, V. V. Artamonov und M. V. Vuychik. „Anti-Stokes photoluminescence and structural defects in CdSe/ZnSe nanostructures“. Materials Science and Engineering: B 101, Nr. 1-3 (August 2003): 255–58. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00674-8.
Der volle Inhalt der QuelleKammerer, C., G. Cassabois, C. Voisin, C. Delalande, Ph Roussignol und J. M. G�rard. „Anti-Stokes Photoluminescence in Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots“. physica status solidi (a) 190, Nr. 2 (April 2002): 505–9. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(200204)190:2<505::aid-pssa505>3.0.co;2-w.
Der volle Inhalt der QuelleFujii, Katsushi, Takenari Goto und Takafumi Yao. „Properties of ultraviolet anti-Stokes photoluminescence in ZnO single crystals“. physica status solidi (a) 209, Nr. 4 (03.02.2012): 761–65. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201127551.
Der volle Inhalt der QuelleCong, Chunxiao, Jingzhi Shang, Lin Niu, Lishu Wu, Yu Chen, Chenji Zou, Shun Feng et al. „Anti-Stokes Photoluminescence of van der Waals Layered Semiconductor PbI2“. Advanced Optical Materials 5, Nr. 21 (01.09.2017): 1700609. http://dx.doi.org/10.1002/adom.201700609.
Der volle Inhalt der QuelleHalyan, V. V., A. H. Kevshin, G. Ye Davydyuk und N. V. Shevchuk. „Mechanism of anti-stokes photoluminescence in Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2-Er2S3 glassy alloys“. Glass Physics and Chemistry 39, Nr. 1 (Januar 2013): 52–56. http://dx.doi.org/10.1134/s1087659613010069.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Chunxia, Qi Li und Guiguang Xiong. „Anti-Stokes photoluminescence in TiO2nano-particle films at room temperature“. Journal of Materials Science 39, Nr. 16/17 (August 2004): 5581–82. http://dx.doi.org/10.1023/b:jmsc.0000039293.67074.56.
Der volle Inhalt der QuelleMachida, S., T. Tadakuma, A. Satake, K. Fujiwara, J. R. Folkenberg und J. M. Hvam. „Stokes and anti-Stokes photoluminescence towards five different Inx(Al0.17Ga0.83)1−xAs∕Al0.17Ga0.83As quantum wells“. Journal of Applied Physics 98, Nr. 8 (15.10.2005): 083527. http://dx.doi.org/10.1063/1.2121928.
Der volle Inhalt der QuelleXiong, Yuda, Chao Liu, Jing Wang, Jianjun Han und Xiujian Zhao. „Near-infrared anti-Stokes photoluminescence of PbS QDs embedded in glasses“. Optics Express 25, Nr. 6 (15.03.2017): 6874. http://dx.doi.org/10.1364/oe.25.006874.
Der volle Inhalt der QuelleSzalkowski, Marcin, Karolina Sulowska, Martin Jönsson-Niedziółka, Kamil Wiwatowski, Joanna Niedziółka-Jönsson, Sebastian Maćkowski und Dawid Piątkowski. „Photochemical Printing of Plasmonically Active Silver Nanostructures“. International Journal of Molecular Sciences 21, Nr. 6 (16.03.2020): 2006. http://dx.doi.org/10.3390/ijms21062006.
Der volle Inhalt der QuelleSun, Guan, Ruolin Chen, Yujie J. Ding und Jacob B. Khurgin. „Upconversion Due to Optical-Phonon-Assisted Anti-Stokes Photoluminescence in Bulk GaN“. ACS Photonics 2, Nr. 5 (07.05.2015): 628–32. http://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.5b00015.
Der volle Inhalt der QuelleWang Xin, Shan Gui-Ye, An Li-Min, Chao Ke-Fu, Zeng Qing-Hui, Chen Bao-Jiu und Kong Xiang-Gui. „The study of anti-Stokes photoluminescence properties in the YZr2OZr3:Er3+ nanocrystals“. Acta Physica Sinica 53, Nr. 6 (2004): 1972. http://dx.doi.org/10.7498/aps.53.1972.
Der volle Inhalt der QuelleRoman, Benjamin J., und Matthew T. Sheldon. „Six-fold plasmonic enhancement of thermal scavenging via CsPbBr3 anti-Stokes photoluminescence“. Nanophotonics 8, Nr. 4 (31.01.2019): 599–605. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2018-0196.
Der volle Inhalt der QuelleKita, Takashi, Taneo Nishino, C. Geng, F. Scholz und H. Schweizer. „Dynamic process of anti-Stokes photoluminescence at a long-range-orderedGa0.5In0.5P/GaAsheterointerface“. Physical Review B 59, Nr. 23 (15.06.1999): 15358–62. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.59.15358.
Der volle Inhalt der QuelleSchrottke, L., H. T. Grahn und K. Fujiwara. „Enhanced anti-Stokes photoluminescence in aGaAs/Al0.17Ga0.83Assingle quantum well with growth islands“. Physical Review B 56, Nr. 24 (15.12.1997): R15553—R15556. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.56.r15553.
Der volle Inhalt der QuelleValakh, M. Ya. „Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence“. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 5, Nr. 3 (10.12.2002): 254–57. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo5.03.254.
Der volle Inhalt der QuelleLaguta, Oleksii, Hicham El Hamzaoui, Mohamed Bouazaoui, Vladimir B. Arion und Igor Razdobreev. „Anti-Stokes photoluminescence in Ga/Bi co-doped sol-gel silica glass“. Optics Letters 40, Nr. 7 (31.03.2015): 1591. http://dx.doi.org/10.1364/ol.40.001591.
Der volle Inhalt der QuelleSitnikov, D. S., A. A. Yurkevich, M. S. Kotelev, M. Ziangirova, O. V. Chefonov, I. V. Ilina, V. A. Vinokurov et al. „Ultrashort laser pulse-induced anti-Stokes photoluminescence of hot electrons in gold nanorods“. Laser Physics Letters 11, Nr. 7 (28.05.2014): 075902. http://dx.doi.org/10.1088/1612-2011/11/7/075902.
Der volle Inhalt der QuelleKita, T., T. Nishino, C. Geng, F. Scholz und H. Schweizer. „Time-resolved observation of anti-Stokes photoluminescence at ordered Ga0.5In0.5P and GaAs interfaces“. Journal of Luminescence 87-89 (Mai 2000): 269–71. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-2313(99)00311-7.
Der volle Inhalt der QuelleXu, S. J., Q. Li, J. R. Dong und S. J. Chua. „Interpretation of anomalous temperature dependence of anti-Stokes photoluminescence at GaInP2/GaAs interface“. Applied Physics Letters 84, Nr. 13 (29.03.2004): 2280–82. http://dx.doi.org/10.1063/1.1691496.
Der volle Inhalt der QuelleVlasov, I. I., V. G. Ralchenko und V. I. Konov. „UV and Anti-Stokes Photoluminescence of 3H Centre in Electron-Irradiated CVD Diamond“. physica status solidi (a) 186, Nr. 2 (August 2001): 221–26. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(200108)186:2<221::aid-pssa221>3.0.co;2-9.
Der volle Inhalt der QuelleTran, Toan Trong, Blake Regan, Evgeny A. Ekimov, Zhao Mu, Yu Zhou, Wei-bo Gao, Prineha Narang et al. „Anti-Stokes excitation of solid-state quantum emitters for nanoscale thermometry“. Science Advances 5, Nr. 5 (Mai 2019): eaav9180. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aav9180.
Der volle Inhalt der QuelleKuningas, Katri, Terhi Rantanen, Ulla Karhunen, Timo Lövgren und Tero Soukka. „Simultaneous Use of Time-Resolved Fluorescence and Anti-Stokes Photoluminescence in a Bioaffinity Assay“. Analytical Chemistry 77, Nr. 9 (Mai 2005): 2826–34. http://dx.doi.org/10.1021/ac048186y.
Der volle Inhalt der QuelleChine, Z., B. Piriou, M. Oueslati, T. Boufaden und B. El Jani. „Anti-Stokes photoluminescence of yellow band in GaN: evidence of two-photon excitation process“. Journal of Luminescence 82, Nr. 1 (Juli 1999): 81–84. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-2313(99)00014-9.
Der volle Inhalt der QuelleTripathy, Suvranta K., Guibao Xu, Xiaodong Mu, Yujie J. Ding, Muhammad Jamil, Ronald A. Arif, Nelson Tansu und Jacob B. Khurgin. „Phonon-assisted ultraviolet anti-Stokes photoluminescence from GaN film grown on Si (111) substrate“. Applied Physics Letters 93, Nr. 20 (17.11.2008): 201107. http://dx.doi.org/10.1063/1.3030883.
Der volle Inhalt der QuelleCarattino, Aquiles, Veer Keizer und Michel Orrit. „Background-Suppression in the Detection of Gold Nanoparticles in Cells through Anti-Stokes Photoluminescence“. Biophysical Journal 110, Nr. 3 (Februar 2016): 486a. http://dx.doi.org/10.1016/j.bpj.2015.11.2598.
Der volle Inhalt der QuelleХайдуков, Е. В., К. Н. Болдырев, К. В. Хайдуков, И. В. Крылов, И. М. Ашарчук, А. Г. Савельев, В. В. Рочева, Д. Н. Каримов, А. В. Нечаев und А. В. Звягин. „Отложенная регистрация фотолюминесценции нанофосфоров как платформа для оптического биоимиджинга-=SUP=-*-=/SUP=-“. Журнал технической физики 126, Nr. 1 (2019): 90. http://dx.doi.org/10.21883/os.2019.01.47061.262-18.
Der volle Inhalt der QuelleDeng, Fan, Megan S. Lazorski und Felix N. Castellano. „Photon upconversion sensitized by a Ru(II)-pyrenyl chromophore“. Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 373, Nr. 2044 (28.06.2015): 20140322. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2014.0322.
Der volle Inhalt der QuelleMachida, S., T. Tadakuma und K. Fujiwara. „Anti-Stokes photoluminescence between Inx(Al0.17Ga0.83)1−xAs/Al0.17Ga0.83As quantum wells with different x values“. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 33, Nr. 1 (Juni 2006): 196–200. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2006.02.001.
Der volle Inhalt der QuelleHohng, S. C., und D. S. Kim. „Two-color picosecond experiments on anti-Stokes photoluminescence in GaAs/AlGaAs asymmetric double quantum wells“. Applied Physics Letters 75, Nr. 23 (06.12.1999): 3620–22. http://dx.doi.org/10.1063/1.125407.
Der volle Inhalt der QuelleIgnatiev, Ivan V., Igor E. Kozin, Hong-Wen Ren, Shigeo Sugou und Yasuaki Masumoto. „Anti-Stokes photoluminescence of InP self-assembled quantum dots in the presence of electric current“. Physical Review B 60, Nr. 20 (15.11.1999): R14001—R14004. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.60.r14001.
Der volle Inhalt der QuelleJunnarkar, M. R., und E. Yamaguchi. „Anti-Stokes photoluminescence from Si modulation doped QW and Si double delta doped AlxGa1−xAs“. Solid-State Electronics 40, Nr. 1-8 (Januar 1996): 665–71. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(95)00383-5.
Der volle Inhalt der QuelleDing, Y. J., und J. B. Khurgin. „From anti-Stokes photoluminescence to resonant Raman scattering in GaN single crystals and GaN-based heterostructures“. Laser & Photonics Reviews 6, Nr. 5 (07.02.2012): 660–77. http://dx.doi.org/10.1002/lpor.201000028.
Der volle Inhalt der QuelleGruzintsev, A. N., und D. N. Karimov. „Two-photon excitation of the anti-Stokes photoluminescence of Ca1–x Er x F2 + x crystals“. Physics of the Solid State 59, Nr. 1 (Januar 2017): 120–25. http://dx.doi.org/10.1134/s1063783417010103.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Wei, Jing Wang, Chao Liu und Jianjun Han. „Photodarkening and anti‐Stokes photoluminescence from PbSe and Sr 2+ ‐doped PbSe quantum dots in silicate glasses“. Journal of the American Ceramic Society 102, Nr. 6 (19.11.2018): 3368–77. http://dx.doi.org/10.1111/jace.16185.
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