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Auswahl der wissenschaftlichen Literatur zum Thema „Anti-Stokes photoluminescence“
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Zeitschriftenartikel zum Thema "Anti-Stokes photoluminescence"
Cao, Weitao, Weimin Du, Fuhai Su und Guohua Li. „Anti-Stokes photoluminescence in ZnO microcrystal“. Applied Physics Letters 89, Nr. 3 (17.07.2006): 031902. http://dx.doi.org/10.1063/1.2222257.
Der volle Inhalt der QuelleDantas, Noelio Oliveira, Fanyao Qu, R. S. Silva und Paulo César Morais. „Anti-Stokes Photoluminescence in Nanocrystal Quantum Dots“. Journal of Physical Chemistry B 106, Nr. 30 (August 2002): 7453–57. http://dx.doi.org/10.1021/jp0208743.
Der volle Inhalt der QuellePierret, Aurélie, Hans Tornatzky und Janina Maultzsch. „Anti‐Stokes Photoluminescence of Monolayer WS 2“. physica status solidi (b) 256, Nr. 12 (09.10.2019): 1900419. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201900419.
Der volle Inhalt der QuelleHeimbrodt, Wolfram, Michael Happ und Fritz Henneberger. „Giant anti-Stokes photoluminescence from semimagnetic heterostructures“. Physical Review B 60, Nr. 24 (15.12.1999): R16326—R16329. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.60.r16326.
Der volle Inhalt der QuelleMoadhen, A., H. Elhouichet und M. Oueslati. „Stokes and anti-Stokes photoluminescence of Rhodamine B in porous silicon“. Materials Science and Engineering: C 21, Nr. 1-2 (September 2002): 297–301. http://dx.doi.org/10.1016/s0928-4931(02)00084-x.
Der volle Inhalt der QuellePoles, Ehud, Donald C. Selmarten, Olga I. Mićić und Arthur J. Nozik. „Anti-Stokes photoluminescence in colloidal semiconductor quantum dots“. Applied Physics Letters 75, Nr. 7 (16.08.1999): 971–73. http://dx.doi.org/10.1063/1.124570.
Der volle Inhalt der QuelleGoto, T., G. Fujimoto und T. Yao. „Ultraviolet anti-Stokes photoluminescence in GaN single crystals“. Journal of Physics: Condensed Matter 18, Nr. 11 (02.03.2006): 3141–49. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/18/11/019.
Der volle Inhalt der QuelleRakovich, Yu P., S. A. Filonovich, M. J. M. Gomes, J. F. Donegan, D. V. Talapin, A. L. Rogach und A. Eychm�ller. „Anti-Stokes Photoluminescence in II-VI Colloidal Nanocrystals“. physica status solidi (b) 229, Nr. 1 (Januar 2002): 449–52. http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200201)229:1<449::aid-pssb449>3.0.co;2-4.
Der volle Inhalt der QuelleFujiwara, K., A. Satake, N. Takata, U. Jahn, E. Luna und H. T. Grahn. „Anti-Stokes and Stokes photoluminescence in non-uniform GaAs-based quantum wells“. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 42, Nr. 10 (September 2010): 2658–60. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2010.02.028.
Der volle Inhalt der QuelleGruzintsev, A. N. „Two-photon excitation of anti-stokes photoluminescence in Y1.80Er0.10Yb0.10O2S“. Inorganic Materials 50, Nr. 8 (18.07.2014): 821–25. http://dx.doi.org/10.1134/s0020168514080081.
Der volle Inhalt der QuelleDissertationen zum Thema "Anti-Stokes photoluminescence"
Liška, Petr. „Optická charakterizace pokročilých nanomateriálů s vysokým laterálním rozlišením“. Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství, 2021. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-443725.
Der volle Inhalt der QuelleBuchteile zum Thema "Anti-Stokes photoluminescence"
Xu, S. J., Q. Li, H. Wang, M. H. Xie, S. Y. Tong und J. R. Dong. „Recombination mechanism of anti-Stokes photoluminescence in partially ordered GalnP-GaAs heterostructure“. In Springer Proceedings in Physics, 595–97. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-59484-7_281.
Der volle Inhalt der QuelleKonferenzberichte zum Thema "Anti-Stokes photoluminescence"
Tripathy, Suvranta K., Yujie J. Ding und Jacob B. Khurgin. „Anti-Stokes photoluminescence in GaN single crystals and heterostructures“. In SPIE OPTO: Integrated Optoelectronic Devices, herausgegeben von Richard I. Epstein und Mansoor Sheik-Bahae. SPIE, 2009. http://dx.doi.org/10.1117/12.807227.
Der volle Inhalt der QuelleSun, Guan, und Yujie J. Ding. „Anti-Stokes Photoluminescence in GaN due to Three-Photon Absorption“. In CLEO: Applications and Technology. Washington, D.C.: OSA, 2011. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_at.2011.jthb54.
Der volle Inhalt der QuelleYamada, Takumi, und Yoshihiko Kanemitsu. „Anti-Stokes photoluminescence of halide perovskite semiconductors for optical refrigerators“. In Photonic Heat Engines: Science and Applications III, herausgegeben von Masaru K. Kuno, Denis V. Seletskiy und Mansoor Sheik-Bahae. SPIE, 2021. http://dx.doi.org/10.1117/12.2577968.
Der volle Inhalt der QuelleArtemyev, M. V., A. A. Chistyakov, S. V. Daineko, I. L. Martynov, I. R. Nabiev, V. A. Oleinikov und K. V. Zaharchenko. „Anti-Stokes photoluminescence of CdSe/ZnS nanoparticles in solution and condensed phase“. In SPIE Proceedings, herausgegeben von Leonid N. Soms. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.740015.
Der volle Inhalt der QuelleSun, Guan, Ruolin Chen und Yujie J. Ding. „Phonon-assisted Bandtail Anti-Stokes Photoluminescence of GaN: Novel Mechanism for Laser Cooling“. In CLEO: QELS_Fundamental Science. Washington, D.C.: OSA, 2013. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_qels.2013.qtu1e.2.
Der volle Inhalt der QuelleHoriuchi, Terumasa, und Noboru Wada. „Anti-Stokes Photoluminescence and Enhanced Raman Scattering from InSb Quantum Dots and Nanowires“. In PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. AIP, 2007. http://dx.doi.org/10.1063/1.2730196.
Der volle Inhalt der QuelleReymatias, Mark V., Gema J. Alas, Arjun Senthil, Sami A. Nazib, Troy A. Hutchins-Delgado, Hosuk Lee, Shruti I. Gharde et al. „Anti-Stokes photoluminescence and optical cooling of CdSeS/ZnS colloidal quantum dots embedded in dielectric waveguides“. In Photonic Heat Engines: Science and Applications II, herausgegeben von Richard I. Epstein, Denis V. Seletskiy und Mansoor Sheik-Bahae. SPIE, 2020. http://dx.doi.org/10.1117/12.2550748.
Der volle Inhalt der QuelleTripathy, Suvranta K., Xiaodong Mu, Yujie J. Ding, Kejia Wang, Debdeep Jena und Jacob B. Khurgin. „Anti-Stokes Raman scattering of photoluminescence phonon replica in gan heterostructures: An effective technique for Probing Hot Phonons“. In 2007 Quantum Electronics and Laser Science Conference. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/qels.2007.4431595.
Der volle Inhalt der QuelleTripathy, Suvranta K., und Yujie J. Ding. „Anti-Stokes Photoluminescence from n-Type Free-Standing GaN Based on Competing Two-Photon Absorption and Phonon-Assisted Absorption“. In International Quantum Electronics Conference. Washington, D.C.: OSA, 2009. http://dx.doi.org/10.1364/iqec.2009.iwb6.
Der volle Inhalt der QuelleCho, Yong-Hoon, Jin-Joo Song, Dongsik Kim, HeeWoong Lim und Byung-Doo Choe. „Carrier dynamics of anti-Stokes photoluminescence in staggered-band-lineup Al x Ga 1-x As/GaInP 2 heterostructures“. In Optoelectronics and High-Power Lasers & Applications, herausgegeben von Kong-Thon F. Tsen und Harold R. Fetterman. SPIE, 1998. http://dx.doi.org/10.1117/12.306147.
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