Auswahl der wissenschaftlichen Literatur zum Thema „Amplificateurs optiques à semiconducteurs“
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Inhaltsverzeichnis
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Zeitschriftenartikel zum Thema "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Girard, G., P. Pringent und A. Lavenant. „Accord et affinement spectrale de l'émission optique de lasers/amplificateurs à semiconducteurs à large ouverture“. Annales de Physique 20, Nr. 5-6 (1995): 635–36. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556048.
Der volle Inhalt der QuelleTchelnokov, A. V., J. M. Lourtioz und P. Gavrilovic. „Dynamique saptiale et spectrale de l'émission optique de lasers/amplificateurs à semiconducteurs à large ouverture“. Annales de Physique 20, Nr. 5-6 (1995): 637–38. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556049.
Der volle Inhalt der QuelleGinovart, F., und J. C. Simon. „Effets de longueur d'un amplificateur optique à semiconducteur sur la dynamique de gain“. Journal de Physique IV (Proceedings) 12, Nr. 5 (Juni 2002): 189–91. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20020128.
Der volle Inhalt der QuellePankoke, R., A. Cassineli, P. Sillard, C. Dorrer, P. Leisching und R. Frey. „Générateurs et amplificateurs paramétriques optiques monomodes transverse“. Annales de Physique 20, Nr. 5-6 (1995): 593–94. http://dx.doi.org/10.1051/anphys:199556027.
Der volle Inhalt der QuelleFortin, ER, und AP Roth. „Quelques propriétés optiques et électro-optiques des super-réseaux et puits quantiques semiconducteurs InGaAs/GaAs“. Journal de Chimie Physique 88 (1991): 2197–209. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1991882197.
Der volle Inhalt der QuelleDallot, V., und P. Gallion. „Évolution du bruit dans des amplificateurs optiques décrite par un nouveau formalisme classique“. Journal de Physique IV (Proceedings) 12, Nr. 5 (Juni 2002): 183–84. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20020125.
Der volle Inhalt der QuelleGrojo, David. „L’émergence de procédés d’écriture laser 3D dans les technologies silicium“. Photoniques, Nr. 112 (2022): 37–42. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202211237.
Der volle Inhalt der QuelleDUAN, Guang-Hua, Hélène DEBRÉGEAS und Romain BRENOT. „Lasers et amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour télécommunications optiques“. Optique Photonique, Juli 2015. http://dx.doi.org/10.51257/a-v1-e7005.
Der volle Inhalt der QuelleDissertationen zum Thema "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Soto, Ortiz Horacio. „Dynamique des amplificateurs optiques à semi-conducteurs massifs /“. Paris : Ecole nationale supérieure des télécommunications, 1996. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb358101180.
Der volle Inhalt der QuelleLablonde, Laurent. „Etude des non-linéarites de gain d'un amplificateur optique à semi-conducteur“. Limoges, 1996. http://www.theses.fr/1996LIMO0029.
Der volle Inhalt der QuelleHamie, Ali. „Étude de la mise en cascade de deux amplificateurs optiques à semi-conducteur en topologie contra-propagative en vue de la réalisation de fonctions tout-optiques pour les sytèmes de télécommunications“. Brest, 2004. http://www.theses.fr/2004BRES2013.
Der volle Inhalt der QuelleIn this work, a theoretical and experimental study of two cascaded semiconductor optical amplifiers (SOA) in a counter-propagating topology was performed. This study was aimed at exploiting cross gain modulation (XGM) in order to device new all-optical functions for optical communication systems. In a first stage, the theroretical and experimental static characterization of the configuration established the possibility to renforce significantly the gain non-linearity of the two SOAs, leading to either a positive or a negative variation for the gain as a function of the input optical power. Thus, a large extinction ratio can be reached even for a small variation of the incident power. This property can be exploited in order to ensure 2R regeneration. Moreover, this study made it possible to determine those parameters of the configuration that optimize the extinction ratio, in particular the length and the small-signal gain of both SOAs. In a second stage, a dynamic characterization of the configuration was performed, which showed the influence of gain saturation on the frequency and time responses at the output of the two SOAs. Evaluating the rate that can be reached with such a structure revealed a strong dependence on the interconnection distance althought this can be reduced thought integration. Finally, several all-optical functions were devised with the studied configuration, such as an all-opticals switch, a NOR gate, a wavelength conversion function (either direct or inverse) and an OR gate
Huygue, Sarah. „Fiabilité des amplificateurs optiques à semiconducteur 1,55 um pour des applications de télécommunication : étude expérimentale et modélisation physique“. Bordeaux 1, 2005. http://www.theses.fr/2005BOR12952.
Der volle Inhalt der QuelleDoussiere, Pierre. „Contribution à l'étude et à la réalisation d'amplificateurs optiques à semi-conducteur“. Nice, 1989. http://www.theses.fr/1989NICE4265.
Der volle Inhalt der QuelleGirault, Gwenaëlle. „Contribution à l'étude de portes optiques à base d'amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour le traitement tout-optique de signaux de télécommunications à très hauts débits“. Rennes 1, 2007. http://www.theses.fr/2007REN1E003.
Der volle Inhalt der QuelleBuldawoo, Naveena. „Module d'émission-réception pour communications optiques à base d'amplificateur optique à semi-conducteur“. Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20139.
Der volle Inhalt der QuelleMoreau, Gautier. „Contribution à la caractérisation des propriétés optiques de guides planaires à boîtes quantiques InAs/InP(311)B émettant à 1,55 µm“. Rennes 1, 2005. http://www.theses.fr/2005REN1E002.
Der volle Inhalt der QuelleBoula-Picard, Reynald. „Contribution à l'étude des amplificateurs optiques à semiconducteur pour applications analogiques“. Rennes 1, 2004. http://www.theses.fr/2004REN10072.
Der volle Inhalt der QuelleHessler, Thierry. „Dynamique du gain dans les amplificateurs optiques à semiconducteur en régime femtoseconde /“. [S.l.] : [s.n.], 2000. http://library.epfl.ch/theses/?nr=2176.
Der volle Inhalt der QuelleBücher zum Thema "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Arvin, Grabel, Hrsg. Microélectronique. Paris: McGraw-Hill, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenF, Digonnet Michel J., Hrsg. Rare-earth-doped fiber lasers and amplifiers. 2. Aufl. New York: Marcel Dekker, 2001.
Den vollen Inhalt der Quelle findenFundamentals of microelectronics. Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1928-, Elliott R. J., und Ipatova I. P. 1929-, Hrsg. Optical properties of mixed crystals. Amsterdam: North-Holland, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenOptical properties of semiconductor nanocrystals. Cambridge, UK: Cambridge Unviersity Press, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenA, Balzarotti, Guizzetti G und Stella A, Hrsg. Highlights on spectroscopies of semiconductors and insulators: Castro Marina, Italy, September 1987. Singapore: World Scientific, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenT, Kobayashi, und Kobunshi Sozai Center (Japan), Hrsg. Nonlinear optics of organics and semiconductors: Proceedings of the international symposium, Tokyo, Japan, July 25-26, 1988. Berlin: Springer-Verlag, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenDonnerberg, Hansjörg. Atomic simulation of electrooptic and magnetooptic oxide materials. Berlin: Springer, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSaid, Youssef. Etude Avancée des Amplificateurs Optiques à Semi-conducteurs: Application en communications optiques à très haut débit. Omniscriptum, 2012.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSchäfer, Wilfried, und Martin Wegener. Semiconductor Optics and Transport Phenomena. Springer, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKonferenzberichte zum Thema "Amplificateurs optiques à semiconducteurs"
Cormier, E. „Amplificateurs paramétriques optiques pour la physique attoseconde“. In UVX 2008 - 9e Colloque sur les Sources Cohérentes et Incohérentes UV, VUV et X : Applications et Développements Récents. Les Ulis, France: EDP Sciences, 2009. http://dx.doi.org/10.1051/uvx/2009006.
Der volle Inhalt der QuellePocholle, J. P. „Propriétés optiques des matériaux semiconducteurs à puits quantiques et applications dans le domaine du traitement du signal“. In Optoélectronique (Volume 1). Les Ulis, France: EDP Sciences, 1990. http://dx.doi.org/10.1051/sfo/1990006.
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