Thematische Bibliographien / AgGaGeS4 / Zeitschriftenartikel
Um die anderen Arten von Veröffentlichungen zu diesem Thema anzuzeigen, folgen Sie diesem Link: AgGaGeS4.

Zeitschriftenartikel zum Thema „AgGaGeS4“

Autor: Grafiati
Veröffentlicht am 25. Mai 2024

Geben Sie eine Quelle nach APA, MLA, Chicago, Harvard und anderen Zitierweisen an

Wählen Sie eine Art der Quelle aus:

Machen Sie sich mit Top-38 Zeitschriftenartikel für die Forschung zum Thema "AgGaGeS4" bekannt.

Neben jedem Werk im Literaturverzeichnis ist die Option "Zur Bibliographie hinzufügen" verfügbar. Nutzen Sie sie, wird Ihre bibliographische Angabe des gewählten Werkes nach der nötigen Zitierweise (APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver usw.) automatisch gestaltet.

Sie können auch den vollen Text der wissenschaftlichen Publikation im PDF-Format herunterladen und eine Online-Annotation der Arbeit lesen, wenn die relevanten Parameter in den Metadaten verfügbar sind.

Sehen Sie die Zeitschriftenartikel für verschiedene Spezialgebieten durch und erstellen Sie Ihre Bibliographie auf korrekte Weise.

1

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА und Вайдотас КАЖУКАУСКАС. „ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er“. Physics and educational technology, Nr. 1 (31.10.2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок нецентросиметричності кристалічної структури кристали AgGaGeS4, леговані рідкоземельними металами, викликають інтерес внаслідок потенційного їх використання в електрооптичних та нелінійно-оптичних пристроях. З огляду на це нами проведено дослідження генерації другої гармоніки. Встановлено, що інтенсивність генерації другої гармоніки в легованих кристалах є меншою в порівнянні з такою в нелегованих зразках. Важливим є те, що при збільшенні розміру зерен інтенсивність SGH збільшується як у кристалах AgGaGeS4, так і в AgGaGe3Se8:Er Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваним AgGaS2.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
2

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук und С. П. Данильчук. „Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4“. Ukrainian Journal of Physics 57, Nr. 10 (05.12.2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
3

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц. und Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. „ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ“. Перспективні технології та прилади, Nr. 14 (04.12.2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
4

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich et al. „Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4“. Crystals 13, Nr. 1 (14.01.2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comparison with reported data on structurally related binary, ternary, and quaternary metal chalcogenides. The temperature dependence of the Raman spectra between room temperature and 15 K is also investigated.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
5

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, Nguyen N. Hieu, G. L. Myronchuk und O. Y. Khyzhun. „Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS4: theory and experiment“. RSC Advances 13, Nr. 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
6

Vasil’eva, I. G., und R. E. Nikolaev. „Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals“. Inorganic Materials 42, Nr. 12 (Dezember 2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
7

Vasilyeva, Inga G., und Ruslan E. Nikolaev. „Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems“. CrystEngComm 24, Nr. 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
8

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O. V. Yakymchuk, A. H. Reshak, A. Wojciechowski, P. Rakus et al. „IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors“. Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, Nr. 3 (März 2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
9

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk und V. Z. Pankevich. „Single crystal growth and properties of AgGaGeS4“. Journal of Crystal Growth 275, Nr. 1-2 (Februar 2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
10

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska und R. Vlokh. „Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals“. Ukrainian Journal of Physical Optics 17, Nr. 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
11

Martynyuk-Lototska, I., O. Parasyuk und R. Vlokh. „Acoustic and elastic anisotropies of acoustooptic AgGaGeS4 crystals“. Ukrainian Journal of Physical Optics 17, Nr. 4 (2016): 141. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/4/141/2016.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
12

Schunemann, Peter G., Kevin T. Zawilski und Thomas M. Pollak. „Horizontal gradient freeze growth of AgGaGeS4 and AgGaGe5Se12“. Journal of Crystal Growth 287, Nr. 2 (Januar 2006): 248–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.11.017.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
13

Wu, Haixin, Youbao Ni, Chen Lin, Mingsheng Mao, Ganchao Cheng und Zhenyou Wang. „Growth of large size AgGaGeS4 crystal for infrared conversion“. Frontiers of Optoelectronics in China 4, Nr. 2 (12.05.2011): 137–40. http://dx.doi.org/10.1007/s12200-011-0155-8.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
14

Nikolaev, R. E., und I. G. Vasilyeva. „A new way of phase identification, of AgGaGeS4∙nGeS2 crystals“. Journal of Solid State Chemistry 203 (Juli 2013): 340–44. http://dx.doi.org/10.1016/j.jssc.2013.05.002.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
15

Lin, Changgui, Haizheng Tao, Ruikun Pan, Xiaolin Zheng, Guoping Dong, Haochun Zang und Xiujian Zhao. „Permanent second-harmonic generation in AgGaGeS4 bulk-crystallized chalcogenide glasses“. Chemical Physics Letters 460, Nr. 1-3 (Juli 2008): 125–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2008.05.094.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
16

Shevchuk, M. V., V. V. Atuchin, A. V. Kityk, A. O. Fedorchuk, Y. E. Romanyuk, S. CaŁus, O. M. Yurchenko und O. V. Parasyuk. „Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution“. Journal of Crystal Growth 318, Nr. 1 (März 2011): 708–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.10.038.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
17

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu, Baojun Chen und Ying Wu. „Effect of Thermal Annealing Treatment and Defect Analysis on AgGaGeS4 Single Crystals“. Inorganic Chemistry 58, Nr. 16 (30.07.2019): 10846–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b01162.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
18

Petrov, V., V. Badikov, G. Shevyrdyaeva, V. Panyutin und V. Chizhikov. „Phase-matching properties and optical parametric amplification in single crystals of AgGaGeS4“. Optical Materials 26, Nr. 3 (August 2004): 217–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.04.007.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
19

Rame, Jérémy, Johan Petit, Denis Boivin, Nicolas Horezan, Jean Michel Melkonian, Antoine Godard und Bruno Viana. „Homogeneity characterization in AgGaGeS4, a single crystal for nonlinear mid-IR laser applications“. Journal of Crystal Growth 548 (Oktober 2020): 125814. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125814.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
20

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu und Baojun Chen. „Crystal growth, structure, and optical properties of new quaternary chalcogenide nonlinear optical crystal AgGaGeS4“. Journal of Alloys and Compounds 796 (August 2019): 138–45. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.05.066.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
21

Wu, Jun, Wei Huang, Hong-gang Liu, Zhiyu He, Baojun Chen, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yuxing Lei und Xiaonan Zhou. „Investigation of the Thermal Properties and Crystal Growth of the Nonlinear Optical Crystals AgGaS2 and AgGaGeS4“. Crystal Growth & Design 20, Nr. 5 (19.03.2020): 3140–53. http://dx.doi.org/10.1021/acs.cgd.0c00018.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
22

Huang, Changbao, Mingsheng Mao, Haixin Wu und Jiaren Ma. „Pressure-Assisted Method for the Preparations of High-Quality AaGaS2 and AgGaGeS4 Crystals for Mid-Infrared Laser Applications“. Inorganic Chemistry 57, Nr. 23 (09.11.2018): 14866–71. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.8b02626.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
23

Dang, Junhui, Naizheng Wang, Jiyong Yao, Yuandong Wu, Zheshuai Lin und Dajiang Mei. „AgGaGeSe4: An Infrared Nonlinear Quaternary Selenide with Good Performance“. Symmetry 14, Nr. 7 (12.07.2022): 1426. http://dx.doi.org/10.3390/sym14071426.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
The symmetry of crystals is an extremely important property of crystals. Crystals can be divided into centrosymmetric and non-centrosymmetric crystals. In this paper, an infrared (IR) nonlinear optical (NLO) material AgGaGeSe4 was synthesized. The related performance analysis, nonlinear optical properties, and first-principle calculation of AgGaGeSe4 were also introduced in detail. In the AgGaGeSe4 structure, Ge4+ was replaced with Ga3+ and produced the same number of vacancies at the Ag+ position. The low content of Ge doping kept the original chalcopyrite structure and improved its optical properties such as the band gap. The UV-Vis diffuse reflection spectrum shows that the experimental energy band gap of AgGaGeSe4 is 2.27 eV, which is 0.48 eV larger than that of AgGaSe2 (1.79 eV). From the perspective of charge-transfer engineering strategy, the introduction of Group IV Ge elements into the crystal structure of AgGaSe2 effectively improves its band gap. The second harmonic generation (SHG) effect of AgGaGeSe4 is similar to that of AgGaSe2, and at 1064 nm wavelength, the birefringence of AgGaGeSe4 is 0.03, which is greater than that of AgGaSe2 (∆n = 0.02). The results show that AgGaGeSe4 possessed better optical properties than AgGaSe2, and can been broadly applied as a good infrared NLO material.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
24

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov und Kiyoshi Kato. „Phase-matching properties for AgGaGeS_4“. Applied Optics 46, Nr. 23 (08.08.2007): 5728. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.005728.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
25

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov und Kiyoshi Kato. „Phase-matching properties for AgGaGeS_4: erratum“. Applied Optics 46, Nr. 27 (20.09.2007): 6848. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.006848.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
26

De-Ming, Ren, Huang Jin-Zhe, Qu Yan-Chen, Hu Xiao-Yong, Andreev Yuri, Geiko Pavel, Badikov Valerii und Shaiduko Anna. „Optical properties and frequency conversion with AgGaGeS 4 crystal“. Chinese Physics 13, Nr. 9 (September 2004): 1468–73. http://dx.doi.org/10.1088/1009-1963/13/9/019.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
27

Huang, Wei, Beijun Zhao, Shifu Zhu, Zhiyu He, Baojun Chen, Yunxiao Pu, Li Lin, Zhangrui Zhao und Yikai Zhong. „Synthesis of AgGaGeS 4 polycrystalline materials by vapor transporting and mechanical oscillation method“. Journal of Crystal Growth 468 (Juni 2017): 469–72. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.027.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
28

Kuznik, Wojciech, Piotr Rakus, Katarzyna Ozga, Oleh V. Parasyuk, Anatolii O. Fedorchuk, Lyudmyla V. Piskach, Andriy Krymus und Iwan V. Kityk. „Laser-induced piezoelectricity in AgGaGe3–xSixSe8chalcogenide single crystals“. European Physical Journal Applied Physics 70, Nr. 3 (Juni 2015): 30501. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2015150103.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
29

Tsubouchi, Masaaki, und Takamasa Momose. „Cross-correlation frequency-resolved optical gating for mid-infrared femtosecond laser pulses by an AgGaGeS_4 crystal“. Optics Letters 34, Nr. 16 (07.08.2009): 2447. http://dx.doi.org/10.1364/ol.34.002447.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
30

Kuznik, W., P. Rakus, O. V. Parasyuk, V. Kozer, A. O. Fedorchuk und V. A. Franiv. „Growth of AgGaGe3−xSnxSe8 single crystals with light-operated piezoelectricity“. Materials Letters 161 (Dezember 2015): 705–7. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2015.09.071.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
31

Wang, Tie-Jun, Zhi-Hui Kang, Hong-Zhi Zhang, Zhi-Shu Feng, Yun Jiang, Jin-Yue Gao, Yury M. Andreev, Gregory V. Lanskii und Anna V. Shaiduko. „Model and experimental investigation of frequency conversion in AgGaGexS2(1 +x)(x= 0, 1) crystals“. Journal of Physics D: Applied Physics 40, Nr. 5 (16.02.2007): 1357–62. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/40/5/008.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
32

El-Naggar, A. M., A. A. Albassam, O. Parasyuk, I. V. Kityk, G. Myronchuk, O. Zamuruyeva, Yu Kot et al. „Optical and non-linear optical properties of the solid solutions AgGaGe3(1–x)Si3xSe8“. Optik 168 (September 2018): 397–402. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijleo.2018.04.095.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
33

Krymus, A. S., G. L. Myronchuk und O. V. Parasyuk. „Influence of Cu-, Sn-, and In-Doping on Optical Properties of AgGaGe3 Se8 Single Crystals“. Ukrainian Journal of Physics 61, Nr. 7 (Juli 2016): 606–12. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe61.07.0606.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
34

Kityk, I. V., G. L. Myronchuk, O. V. Parasyuk, A. S. Krymus, P. Rakus, A. M. El-Naggar, A. A. Albassam, G. Lakshminarayana und A. O. Fedorchuk. „Specific features of photoconductivity and photoinduced piezoelectricity in AgGaGe 3 Se 8 doped crystals“. Optical Materials 63 (Januar 2017): 197–206. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2016.05.029.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
35

ANDREEV, YU, P. P. GEIKO, V. V. BADIKOV, G. C. BHAR, DAS S. und A. K. CHAUDHURY. „NONLINEAR OPTICAL PROPERTIES OF DEFECT TETRAHEDRAL CRYSTALS HgGa 2 S 4 AND AgGaGeS 4 AND MIXED CHALCOPYRITE CRYSTAL Cd (0.4) Hg (0.6) Ga 2 S 4“. Nonlinear Optics 29, Nr. 1 (01.01.2002): 19–27. http://dx.doi.org/10.1080/10587260213932.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
36

Huang, Wei, Zhiyu He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Baojun Chen und Sijia Zhu. „Polycrystal Synthesis, Crystal Growth, Structure, and Optical Properties of AgGaGenS2(n+1) (n = 2, 3, 4, and 5) Single Crystals for Mid-IR Laser Applications“. Inorganic Chemistry 58, Nr. 9 (12.04.2019): 5865–74. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b00191.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
37

El Radaf, I. M., und H. Y. S. Al-Zahrani. „Study of morphological, structural, optical, and optoelectrical properties of novel AgGaGeS4 thin films synthesized by thermal evaporation procedure“. Journal of Materials Science: Materials in Electronics 34, Nr. 8 (März 2023). http://dx.doi.org/10.1007/s10854-023-10086-6.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
38

Liu, Xinyao, Jing Peng, Xiao Xiao, Zhengbin Xiong, Gaohai Huang, Baojun Chen, Zhiyu He und Wei Huang. „Crystal Growth, Characterization, and Thermal Annealing of Nonlinear Optical Crystals AgGaGenSe2(n+1) (n = 1.5, 1.75, 2, 3, 4, 5, and 9) for Mid-infrared Applications“. Inorganic Chemistry, 15.04.2022. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.2c00417.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
Wir bieten Rabatte auf alle Premium-Pläne für Autoren, deren Werke in thematische Literatursammlungen aufgenommen wurden. Kontaktieren Sie uns, um einen einzigartigen Promo-Code zu erhalten!

Zur Bibliographie