Thematische Bibliographien / AgGaGeS4

Inhaltsverzeichnis

  1. Zeitschriftenartikel
  2. Dissertationen
  3. Buchteile
  4. Konferenzberichte

Auswahl der wissenschaftlichen Literatur zum Thema „AgGaGeS4“

Autor: Grafiati
Veröffentlicht am 25. Mai 2024

Geben Sie eine Quelle nach APA, MLA, Chicago, Harvard und anderen Zitierweisen an

Wählen Sie eine Art der Quelle aus:

Machen Sie sich mit den Listen der aktuellen Artikel, Bücher, Dissertationen, Berichten und anderer wissenschaftlichen Quellen zum Thema "AgGaGeS4" bekannt.

Neben jedem Werk im Literaturverzeichnis ist die Option "Zur Bibliographie hinzufügen" verfügbar. Nutzen Sie sie, wird Ihre bibliographische Angabe des gewählten Werkes nach der nötigen Zitierweise (APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver usw.) automatisch gestaltet.

Sie können auch den vollen Text der wissenschaftlichen Publikation im PDF-Format herunterladen und eine Online-Annotation der Arbeit lesen, wenn die relevanten Parameter in den Metadaten verfügbar sind.

Zeitschriftenartikel zum Thema "AgGaGeS4"

1

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА und Вайдотас КАЖУКАУСКАС. „ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er“. Physics and educational technology, Nr. 1 (31.10.2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок нецентросиметричності кристалічної структури кристали AgGaGeS4, леговані рідкоземельними металами, викликають інтерес внаслідок потенційного їх використання в електрооптичних та нелінійно-оптичних пристроях. З огляду на це нами проведено дослідження генерації другої гармоніки. Встановлено, що інтенсивність генерації другої гармоніки в легованих кристалах є меншою в порівнянні з такою в нелегованих зразках. Важливим є те, що при збільшенні розміру зерен інтенсивність SGH збільшується як у кристалах AgGaGeS4, так і в AgGaGe3Se8:Er Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваним AgGaS2.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
2

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук und С. П. Данильчук. „Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4“. Ukrainian Journal of Physics 57, Nr. 10 (05.12.2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
3

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц. und Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. „ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ“. Перспективні технології та прилади, Nr. 14 (04.12.2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
4

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich et al. „Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4“. Crystals 13, Nr. 1 (14.01.2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comparison with reported data on structurally related binary, ternary, and quaternary metal chalcogenides. The temperature dependence of the Raman spectra between room temperature and 15 K is also investigated.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
5

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, Nguyen N. Hieu, G. L. Myronchuk und O. Y. Khyzhun. „Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS4: theory and experiment“. RSC Advances 13, Nr. 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
6

Vasil’eva, I. G., und R. E. Nikolaev. „Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals“. Inorganic Materials 42, Nr. 12 (Dezember 2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
7

Vasilyeva, Inga G., und Ruslan E. Nikolaev. „Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems“. CrystEngComm 24, Nr. 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
8

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O. V. Yakymchuk, A. H. Reshak, A. Wojciechowski, P. Rakus et al. „IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors“. Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, Nr. 3 (März 2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
9

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk und V. Z. Pankevich. „Single crystal growth and properties of AgGaGeS4“. Journal of Crystal Growth 275, Nr. 1-2 (Februar 2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
10

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska und R. Vlokh. „Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals“. Ukrainian Journal of Physical Optics 17, Nr. 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
Mehr Quellen

Dissertationen zum Thema "AgGaGeS4"

1

Кримусь, А. С., Г. Л. Мирончук, О. М. Кльоц und К. В. Каплявка. „Дослідження коефіцієнта поглинання світла у монокристалах сполук Ag[0.95]Cu[0.05]GaGe[3]Se[8], AgGa[0.95]In[0.05]Ge[3]Se[8] та AgGaGe[2.85]Sn[0.15]Se[8]“. Thesis, Сумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45786.

Der volle Inhalt der Quelle
Annotation:
Розраховано значення сили електрон-фононної взаємодії (g), яке дорівнює 1.04, 1.06 та 1.08 для кристалів легованих Сu, In та Sn відповідно, що є типовим для кристалів, що мають дефекти стехіометрії у катіонних підрешітках.
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

Buchteile zum Thema "AgGaGeS4"

1

Eckardt, R. C. „Infrared Frequency Generation in Chalcopyrite Crystals AgGaS2 and AgGaGe2“. In Tunable Solid State Lasers for Remote Sensing, 138–40. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-39765-6_37.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

Konferenzberichte zum Thema "AgGaGeS4"

1

Rame, J., J. Petit, Q. Clement, J. M. Melkonian und B. Viana. „Chemical synthesis and crystal growth of AgGaGeS4, a material for mid-IR nonlinear laser applications“. In SPIE LASE, herausgegeben von Konstantin L. Vodopyanov. SPIE, 2015. http://dx.doi.org/10.1117/12.2075582.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
2

Rame, Jérémy, Johan Petit und Bruno Viana. „Synthesis and growth of AgGaGeS4, a promising material for the frequency conversion in the mid-IR range“. In Advanced Solid State Lasers. Washington, D.C.: OSA, 2013. http://dx.doi.org/10.1364/assl.2013.am4a.32.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
3

Miyata, K., V. Petrov, N. Umemura, K. Kato, N. Saito und S. Wada. „New experimental results for SHG and DFG in AgGaGeS 4“. In Lasers and Applications in Science and Engineering, herausgegeben von Peter E. Powers. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.698079.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
4

Andreev, Yuri M., Pavel P. Geiko, Valery V. Badikov, Vladimir L. Panyutin, Galina S. Shevyrdayeva, Maxim V. Ivaschenko, Alexander I. Karapuzikov und Igor V. Sherstov. „Parametric frequency converters with LiInSe 2 , AgGaGeS 4 , HgGa 2 S 4 and Hg 0.65 Cd 0.35 Ga 2 S 4 crystals“. In Ninth Joint International Symposium on Atmospheric and Ocean Optics/Atmospheric Physics, herausgegeben von Gennadii G. Matvienko und Vladimir P. Lukin. SPIE, 2003. http://dx.doi.org/10.1117/12.497306.

Der volle Inhalt der Quelle
APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen
Die Auswahlen zum Thema "AgGaGeS4" für konkrete Quellenarten können Sie auch interessieren:
Zeitschriftenartikel
Wir bieten Rabatte auf alle Premium-Pläne für Autoren, deren Werke in thematische Literatursammlungen aufgenommen wurden. Kontaktieren Sie uns, um einen einzigartigen Promo-Code zu erhalten!

Zur Bibliographie