Zeitschriftenartikel zum Thema „Active semiconductors“
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Wang, Xuejiao, Erjin Zhang, Huimin Shi, Yufeng Tao und Xudong Ren. „Semiconductor-based surface enhanced Raman scattering (SERS): from active materials to performance improvement“. Analyst 147, Nr. 7 (2022): 1257–72. http://dx.doi.org/10.1039/d1an02165f.
Der volle Inhalt der QuelleCui, Can, Junqing Ma, Kai Chen, Xinjie Wang, Tao Sun, Qingpu Wang, Xijian Zhang und Yifei Zhang. „Active and Programmable Metasurfaces with Semiconductor Materials and Devices“. Crystals 13, Nr. 2 (06.02.2023): 279. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13020279.
Der volle Inhalt der QuelleDUTA, ANCA, CRISTINA BOGATU, IOANA TISMANAR, DANA PERNIU und MARIA COVEI. „VIS-ACTIVE PHOTOCATALYTIC COMPOSITES FOR ADVANCED WASTEWATER TREATEMENT“. Journal of Engineering Sciences and Innovation 5, Nr. 3 (15.09.2020): 247–52. http://dx.doi.org/10.56958/jesi.2020.5.3.5.
Der volle Inhalt der QuelleNguyen, Thien-Phap, Cédric Renaud und Chun-Hao Huang. „Electrically Active Defects in Organic Semiconductors“. Journal of the Korean Physical Society 52, Nr. 5 (15.05.2008): 1550–53. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.52.1550.
Der volle Inhalt der QuelleFriend, R. H. „Conjugated polymers. New materials for optoelectronic devices“. Pure and Applied Chemistry 73, Nr. 3 (01.01.2001): 425–30. http://dx.doi.org/10.1351/pac200173030425.
Der volle Inhalt der QuelleSharma, Shweta, Rakshit Ameta, R. K. Malkani und Suresh Ameta. „Photocatalytic degradation of rose Bengal by semiconducting zinc sulphide used as a photocatalyst“. Journal of the Serbian Chemical Society 78, Nr. 6 (2013): 897–905. http://dx.doi.org/10.2298/jsc120716141s.
Der volle Inhalt der QuelleForrest, S. R. „Active optoelectronics using thin-film organic semiconductors“. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6, Nr. 6 (November 2000): 1072–83. http://dx.doi.org/10.1109/2944.902156.
Der volle Inhalt der QuelleKamiya, Toshio, und Masashi Kawasaki. „ZnO-Based Semiconductors as Building Blocks for Active Devices“. MRS Bulletin 33, Nr. 11 (November 2008): 1061–66. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2008.226.
Der volle Inhalt der QuelleFortunato, Elvira, Alexandra Gonçalves, António Marques, Ana Pimentel, Pedro Barquinha, Hugo Águas, Luís Pereira et al. „Multifunctional Thin Film Zinc Oxide Semiconductors: Application to Electronic Devices“. Materials Science Forum 514-516 (Mai 2006): 3–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.514-516.3.
Der volle Inhalt der QuelleBakranova, Dina, Bekbolat Seitov und Nurlan Bakranov. „Preparation and Photocatalytic/Photoelectrochemical Investigation of 2D ZnO/CdS Nanocomposites“. ChemEngineering 6, Nr. 6 (09.11.2022): 87. http://dx.doi.org/10.3390/chemengineering6060087.
Der volle Inhalt der QuelleMukerjee, Sanjeev, Benjamin William Kaufold, Parisa Nematollahi, Bernardo Barbiellini, Dirk Lamoen, Arun Bansil und Sijia Dong. „(Invited) Fundamentals of Plasmon-Induced Charge Transfer in Semiconducting Materials: Showcasing OER Catalysis“. ECS Meeting Abstracts MA2024-01, Nr. 35 (09.08.2024): 1956. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-01351956mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleABDUL RANI, ABDUL ISMAIL, Muhammad Afif Abdul Rani, Samat Iderus, Mohd Shahril Osman und Nuramalina Bohari. „The Effect of SiGe/PTAA Thin Film Thickness as An Active Layer for Solar Cell Application“. ASM Science Journal 17 (03.08.2022): 1–6. http://dx.doi.org/10.32802/asmscj.2022.1127.
Der volle Inhalt der QuelleŠtěpánek, Jan, Luboš Streit und Tomáš Komrska. „Comparison of Si and SiC based Power Converter Module of 150 kVA for Power System Applications“. TRANSACTIONS ON ELECTRICAL ENGINEERING 7, Nr. 1 (30.03.2020): 10–13. http://dx.doi.org/10.14311/tee.2018.1.010.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Ziyang, Zhengran He, Kyeiwaa Asare-Yeboah und Sheng Bi. „Organic Semiconductors with Benzoic Acid Based Additives for Solution- Processed Thin Film Transistors“. Current Chinese Science 1, Nr. 3 (16.07.2021): 306–14. http://dx.doi.org/10.2174/2210298101666210204161237.
Der volle Inhalt der QuelleGómez Rivas, J., M. Kuttge, H. Kurz, P. Haring Bolivar und J. A. Sánchez-Gil. „Low-frequency active surface plasmon optics on semiconductors“. Applied Physics Letters 88, Nr. 8 (20.02.2006): 082106. http://dx.doi.org/10.1063/1.2177348.
Der volle Inhalt der QuelleJusto, Joa~ao F., und Lucy V. C. Assali. „Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors“. Physica B: Condensed Matter 308-310 (Dezember 2001): 489–92. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5.
Der volle Inhalt der QuelleBatstone, J. L. „Structural and electronic properties of defects in semiconductors“. Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13.08.1995): 4–5. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100136398.
Der volle Inhalt der QuelleHong, Jin, Siqi Gang, Fei Wang und Guang Lu. „Preparation of ZnO-BiOCl Composite and its Visible-light Photocatalytic Degradation of RhB“. Journal of Physics: Conference Series 2285, Nr. 1 (01.06.2022): 012007. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2285/1/012007.
Der volle Inhalt der QuelleSingha Roy, Subhamoy. „On the Einstein relation between mobility and diffusion cofficint in an active Nanostructured Materials“. Physics & Astronomy International Journal 7, Nr. 1 (03.02.2023): 7–9. http://dx.doi.org/10.15406/paij.2023.07.00277.
Der volle Inhalt der QuelleNoh, Hee, Joonwoo Kim, June-Seo Kim, Myoung-Jae Lee und Hyeon-Jun Lee. „Role of Hydrogen in Active Layer of Oxide-Semiconductor-Based Thin Film Transistors“. Crystals 9, Nr. 2 (31.01.2019): 75. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9020075.
Der volle Inhalt der QuelleMeraj, Sheikh Tanzim, Nor Zaihar Yahaya, Molla Shahadat Hossain Lipu, Jahedul Islam, Law Kah Haw, Kamrul Hasan, Md Sazal Miah, Shaheer Ansari und Aini Hussain. „A Hybrid Active Neutral Point Clamped Inverter Utilizing Si and Ga2O3 Semiconductors: Modelling and Performance Analysis“. Micromachines 12, Nr. 12 (27.11.2021): 1466. http://dx.doi.org/10.3390/mi12121466.
Der volle Inhalt der QuelleLi, Nan, Yang Li, Zhe Cheng, Youdi Liu, Yahao Dai, Seounghun Kang, Songsong Li et al. „Bioadhesive polymer semiconductors and transistors for intimate biointerfaces“. Science 381, Nr. 6658 (11.08.2023): 686–93. http://dx.doi.org/10.1126/science.adg8758.
Der volle Inhalt der QuelleAlghamdi, Noweir Ahmad. „Study and Analysis of Simple and Precise of Contact Resistance Single-Transistor Extracting Method for Accurate Analytical Modeling of OTFTs Current-Voltage Characteristics: Application to Different Organic Semiconductors“. Crystals 11, Nr. 12 (24.11.2021): 1448. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11121448.
Der volle Inhalt der QuelleCai, Songhua, Jun Dai, Zhipeng Shao, Mathias Uller Rothmann, Yinglu Jia, Caiyun Gao, Mingwei Hao et al. „Atomically Resolved Electrically Active Intragrain Interfaces in Perovskite Semiconductors“. Journal of the American Chemical Society 144, Nr. 4 (21.01.2022): 1910–20. http://dx.doi.org/10.1021/jacs.1c12235.
Der volle Inhalt der QuelleBarbaro, Massimo, Alessandra Caboni, Piero Cosseddu, Giorgio Mattana und Annalisa Bonfiglio. „Active Devices Based on Organic Semiconductors for Wearable Applications“. IEEE Transactions on Information Technology in Biomedicine 14, Nr. 3 (Mai 2010): 758–66. http://dx.doi.org/10.1109/titb.2010.2044798.
Der volle Inhalt der QuelleDavydov, V. N. „Properties of electrically active structural defects in crystalline semiconductors“. Soviet Physics Journal 31, Nr. 4 (April 1988): 338–42. http://dx.doi.org/10.1007/bf00892649.
Der volle Inhalt der QuelleFan, Zhihua, Qinling Deng, Xiaoyu Ma und Shaolin Zhou. „Phase Change Metasurfaces by Continuous or Quasi-Continuous Atoms for Active Optoelectronic Integration“. Materials 14, Nr. 5 (07.03.2021): 1272. http://dx.doi.org/10.3390/ma14051272.
Der volle Inhalt der QuelleMecke, R. „Multilevel inverter with active clamping diodes for energy efficiency improvement“. Renewable Energy and Power Quality Journal 20 (September 2022): 138–42. http://dx.doi.org/10.24084/repqj20.245.
Der volle Inhalt der QuelleRothschild, M., C. Arnone und D. J. Ehrlich. „Laser photosublimation of compound semiconductors“. Journal of Materials Research 2, Nr. 2 (April 1987): 244–51. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1987.0244.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Seongjae, und Hocheon Yoo. „Active-Matrix Array Based on Thin-Film Transistors Using Emerging Materials for Application: From Lab to Industry“. Electronics 13, Nr. 1 (04.01.2024): 241. http://dx.doi.org/10.3390/electronics13010241.
Der volle Inhalt der QuelleHuseynova, Gunel, und Vladislav Kostianovskii. „Doped organic field-effect transistors“. Material Science & Engineering International Journal 2, Nr. 6 (05.12.2018): 212–15. http://dx.doi.org/10.15406/mseij.2018.02.00059.
Der volle Inhalt der QuelleZhou, Xue Song, Bin Lu und You Jie Ma. „Superconducting Magnetic Energy Storage Summarize“. Advanced Materials Research 535-537 (Juni 2012): 2057–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.535-537.2057.
Der volle Inhalt der QuelleAn, Xiang, Kai Wang, Lubing Bai, Chuanxin Wei, Man Xu, Mengna Yu, Yamin Han et al. „Intrinsic mechanical properties of the polymeric semiconductors“. Journal of Materials Chemistry C 8, Nr. 33 (2020): 11631–37. http://dx.doi.org/10.1039/d0tc02255a.
Der volle Inhalt der QuelleLI, BO. „IMPROVEMENT OF THE RESPONSE TIME FOR ORGANIC PHOTODETECTORS BY USING DISPLACEMENT CURRENT“. Modern Physics Letters B 26, Nr. 16 (29.05.2012): 1250100. http://dx.doi.org/10.1142/s021798491250100x.
Der volle Inhalt der QuelleKryuchyn, A. A. „Creation of active optical metasurfaces on films of chalcogenide semiconductors with phase state change“. Optoelektronìka ta napìvprovìdnikova tehnìka 58 (21.12.2023): 195–205. http://dx.doi.org/10.15407/iopt.2023.58.195.
Der volle Inhalt der QuelleWright, Iain A., Neil J. Findlay, Sasikumar Arumugam, Anto R. Inigo, Alexander L. Kanibolotsky, Pawel Zassowski, Wojciech Domagala und Peter J. Skabara. „Fused H-shaped tetrathiafulvalene–oligothiophenes as charge transport materials for OFETs and OPVs“. J. Mater. Chem. C 2, Nr. 15 (2014): 2674–83. http://dx.doi.org/10.1039/c3tc32571g.
Der volle Inhalt der QuelleMukerjee, Sanjeev, Benjamin William Kaufold, Sijia Dong, Parisa Nematollahi, Bernardo Barbiellini und Dirk Lamoen. „(Invited) Plasmonic Enhancement of Electrochemical Reactions Using LSPR Phenomenon“. ECS Meeting Abstracts MA2023-01, Nr. 30 (28.08.2023): 1798. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01301798mtgabs.
Der volle Inhalt der QuelleLevine, Andrew M., Sankarsan Biswas und Adam B. Braunschweig. „Photoactive organic material discovery with combinatorial supramolecular assembly“. Nanoscale Advances 1, Nr. 10 (2019): 3858–69. http://dx.doi.org/10.1039/c9na00476a.
Der volle Inhalt der QuelleDemirel, Gokhan, Hakan Usta, Mehmet Yilmaz, Merve Celik, Husniye Ardic Alidagi und Fatih Buyukserin. „Surface-enhanced Raman spectroscopy (SERS): an adventure from plasmonic metals to organic semiconductors as SERS platforms“. Journal of Materials Chemistry C 6, Nr. 20 (2018): 5314–35. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc01168k.
Der volle Inhalt der QuelleBalle, Salvador. „Analytical description of spectral hole-burning effects in active semiconductors“. Optics Letters 27, Nr. 21 (01.11.2002): 1923. http://dx.doi.org/10.1364/ol.27.001923.
Der volle Inhalt der QuelleAdams, M., H. Westlake, M. O'Mahony und I. Henning. „A comparison of active and passive optical bistability in semiconductors“. IEEE Journal of Quantum Electronics 21, Nr. 9 (September 1985): 1498–504. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.1985.1072818.
Der volle Inhalt der QuelleTua, Patrizio F., Marco Rossinelli und Felix Greuter. „Transient response of electrically active grain boundaries in polycrystalline semiconductors“. Physica Scripta 38, Nr. 3 (01.09.1988): 491–97. http://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/38/3/029.
Der volle Inhalt der QuelleBonnell, D. A. „Tunneling spectroscopic analysis of optically active wide band-gap semiconductors“. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 9, Nr. 2 (März 1991): 551. http://dx.doi.org/10.1116/1.585566.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Hyeon-Jun, Katsumi Abe, June-Seo Kim, Won Seok Yun und Myoung-Jae Lee. „Parasitic Current Induced by Gate Overlap in Thin-Film Transistors“. Materials 14, Nr. 9 (29.04.2021): 2299. http://dx.doi.org/10.3390/ma14092299.
Der volle Inhalt der QuelleJiang, Xin, Xiaodong Sun, Di Yin, Xiuling Li, Ming Yang, Xiaoxia Han, Libin Yang und Bing Zhao. „Recyclable Au–TiO2 nanocomposite SERS-active substrates contributed by synergistic charge-transfer effect“. Physical Chemistry Chemical Physics 19, Nr. 18 (2017): 11212–19. http://dx.doi.org/10.1039/c7cp01610g.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Huiru, Jiawei He, Yongye Xu, Nicolas André, Yun Zeng, Denis Flandre, Lei Liao und Guoli Li. „Impact of hydrogen dopant incorporation on InGaZnO, ZnO and In2O3 thin film transistors“. Physical Chemistry Chemical Physics 22, Nr. 3 (2020): 1591–97. http://dx.doi.org/10.1039/c9cp05050g.
Der volle Inhalt der QuelleMaeda, Akihiro, Aki Nakauchi, Yusuke Shimizu, Kengo Terai, Shuhei Sugii, Hironobu Hayashi, Naoki Aratani, Mitsuharu Suzuki und Hiroko Yamada. „A Windmill-Shaped Molecule with Anthryl Blades to Form Smooth Hole-Transport Layers via a Photoprecursor Approach“. Materials 13, Nr. 10 (18.05.2020): 2316. http://dx.doi.org/10.3390/ma13102316.
Der volle Inhalt der QuelleWu, Huaxin, Wenjie Liu, Wenjie Ma, Tianyuan Liang, Xiaoyu Liu und Jiyang Fan. „Special roles of two-dimensional octahedral frameworks in photodynamics of Cs3Bi2Br9 nanoplatelets: Electron and lattice-wave localization“. Applied Physics Letters 121, Nr. 18 (31.10.2022): 181902. http://dx.doi.org/10.1063/5.0120767.
Der volle Inhalt der QuelleGuzman Iturra, Rodrigo, und Peter Thiemann. „Asymmetrical Three-Level Inverter SiC-Based Topology for High Performance Shunt Active Power Filter“. Energies 13, Nr. 1 (27.12.2019): 141. http://dx.doi.org/10.3390/en13010141.
Der volle Inhalt der QuelleLee, Sangyun, Bonwon Koo, Jae-Geun Park, Hyunsik Moon, Jungseok Hahn und Jong Min Kim. „Development of High-Performance Organic Thin-Film Transistors for Large-Area Displays“. MRS Bulletin 31, Nr. 6 (Juni 2006): 455–59. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2006.118.
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