Zeitschriftenartikel zum Thema „40~nm“
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Durkan, C., und I. V. Shvets. „40 nm resolution in reflection-mode SNOM with λ = 685 nm“. Ultramicroscopy 61, Nr. 1-4 (Dezember 1995): 227–31. http://dx.doi.org/10.1016/0304-3991(95)00114-x.
Der volle Inhalt der QuellePezeshki, B., M. Zelinski, H. Zhao und V. Agrawal. „40-mW 650-nm distributed feedback lasers“. IEEE Photonics Technology Letters 10, Nr. 1 (Januar 1998): 36–38. http://dx.doi.org/10.1109/68.651093.
Der volle Inhalt der QuelleOno, M., M. Saito, T. Yoshitomi, C. Fiegna, T. Ohguro und H. Iwai. „A 40 nm gate length n-MOSFET“. IEEE Transactions on Electron Devices 42, Nr. 10 (1995): 1822–30. http://dx.doi.org/10.1109/16.464413.
Der volle Inhalt der QuellePark, Chaeeun, und Munkyo Seo. „A 140 GHz Low-Noise Amplifier in 40 nm CMOS“. Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 33, Nr. 4 (April 2022): 312–17. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2022.33.4.312.
Der volle Inhalt der QuelleWandt, D., M. Laschek, K. Przyklenk, A. Tünnermann und H. Welling. „External cavity laser diode with 40 nm continuous tuning range around 825 nm“. Optics Communications 130, Nr. 1-3 (September 1996): 81–84. http://dx.doi.org/10.1016/0030-4018(96)00171-x.
Der volle Inhalt der QuelleZaghib, Karim, Alain Mauger, Monika Kopec, Francois Gendron und C. M. Julien. „Intrinsic Properties of 40 nm-sized LiFePO4 Particles“. ECS Transactions 16, Nr. 42 (18.12.2019): 31–41. http://dx.doi.org/10.1149/1.3112726.
Der volle Inhalt der QuelleAppenzeller, J., R. Martel, Ph Avouris, J. Knoch, J. Scholvin, J. A. del Alamo, P. Rice und P. Solomon. „Sub-40 nm SOI V-groove n-MOSFETs“. IEEE Electron Device Letters 23, Nr. 2 (Februar 2002): 100–102. http://dx.doi.org/10.1109/55.981319.
Der volle Inhalt der QuelleHomulle, Harald, Fabio Sebastiano und Edoardo Charbon. „Deep-Cryogenic Voltage References in 40-nm CMOS“. IEEE Solid-State Circuits Letters 1, Nr. 5 (Mai 2018): 110–13. http://dx.doi.org/10.1109/lssc.2018.2875821.
Der volle Inhalt der QuelleHofmann, W., M. Müller, P. Wolf, A. Mutig, T. Gründl, G. Böhm, D. Bimberg und M. C. Amann. „40 Gbit/s modulation of 1550 nm VCSEL“. Electronics Letters 47, Nr. 4 (2011): 270. http://dx.doi.org/10.1049/el.2010.3631.
Der volle Inhalt der QuelleTakeuchi, Issei, Yosuke Shimamura, Yuki Kakami, Tsunenori Kameda, Keitaro Hattori, Seiji Miura, Hiroyuki Shirai et al. „Transdermal delivery of 40-nm silk fibroin nanoparticles“. Colloids and Surfaces B: Biointerfaces 175 (März 2019): 564–68. http://dx.doi.org/10.1016/j.colsurfb.2018.12.012.
Der volle Inhalt der QuelleDurán, Vicente, Peter A. Andrekson und Víctor Torres-Company. „Electro-optic dual-comb interferometry over 40 nm bandwidth“. Optics Letters 41, Nr. 18 (07.09.2016): 4190. http://dx.doi.org/10.1364/ol.41.004190.
Der volle Inhalt der QuelleGutierrez, Eric, Carlos Perez, Luis Hernandez, Fernando Cardes, Violeta Petrescu, Sergio Walter und Ulrich Gaier. „A Pulse Frequency Modulation VCO-ADC in 40 nm“. IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 66, Nr. 1 (Januar 2019): 51–55. http://dx.doi.org/10.1109/tcsii.2018.2837757.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, Yibo, Luhong Mao und Baoyong Chi. „185–220 GHz wideband amplifier in 40 nm CMOS“. Electronics Letters 54, Nr. 13 (Juni 2018): 802–4. http://dx.doi.org/10.1049/el.2018.1135.
Der volle Inhalt der QuelleZhao, Dixian, Shailesh Kulkarni und Patrick Reynaert. „A 60-GHz Outphasing Transmitter in 40-nm CMOS“. IEEE Journal of Solid-State Circuits 47, Nr. 12 (Dezember 2012): 3172–83. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2012.2216692.
Der volle Inhalt der QuelleAtef, Mohamed, Andreas Polzer und Horst Zimmermann. „Avalanche Double Photodiode in 40-nm Standard CMOS Technology“. IEEE Journal of Quantum Electronics 49, Nr. 3 (März 2013): 350–56. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2013.2246546.
Der volle Inhalt der QuelleCong, Jia, Dong Yan, Jiling Tang, Weilian Guo und Xurui Mao. „Integrated Color Photodetectors in 40-nm Standard CMOS Technology“. IEEE Photonics Technology Letters 31, Nr. 24 (15.12.2019): 1979–82. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2019.2952204.
Der volle Inhalt der QuelleSuteewong, Teeraporn, Kai Ma, Jennifer E. Drews, Ulrike Werner-Zwanziger, Josef Zwanziger, Ulrich Wiesner und Michelle S. Bradbury. „Highly fluorescent sub 40-nm aminated mesoporous silica nanoparticles“. Journal of Sol-Gel Science and Technology 74, Nr. 1 (21.11.2014): 32–38. http://dx.doi.org/10.1007/s10971-014-3567-2.
Der volle Inhalt der QuelleKakami, Yuki, Issei Takeuchi und Kimiko Makino. „Percutaneous immunization with 40-nm antigen-encapsulated elastic liposomes“. Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 566 (April 2019): 128–33. http://dx.doi.org/10.1016/j.colsurfa.2019.01.023.
Der volle Inhalt der QuelleMansur, Dan. „A New 40-nm FPGA and ASIC Common Platform“. IEEE Micro 29, Nr. 2 (März 2009): 46–53. http://dx.doi.org/10.1109/mm.2009.22.
Der volle Inhalt der QuelleOchiai, Y., S. Manako, S. Samukawa, K. Takeuchi und T. Yamamoto. „Accurate nano-EB lithography for 40-nm gate MOSFETs“. Microelectronic Engineering 30, Nr. 1-4 (Januar 1996): 415–18. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(95)00276-6.
Der volle Inhalt der QuelleMartinez-Lopez, A. G., A. Cerdeira, J. C. Tinoco, J. Alvarado, W. Y. Padron, C. Mendoza und J. P. Raskin. „RF modeling of 40-nm SOI triple-gate FinFET“. International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields 28, Nr. 4 (16.10.2014): 465–78. http://dx.doi.org/10.1002/jnm.2028.
Der volle Inhalt der QuelleCoelho, M. F., M. A. Rivas, E. M. Nogueira und T. P. Iglesias. „Permittivity of (40 nm and 80 nm) alumina nanofluids in ethylene glycol at different temperatures“. Journal of Chemical Thermodynamics 158 (Juli 2021): 106423. http://dx.doi.org/10.1016/j.jct.2021.106423.
Der volle Inhalt der QuelleUsami, Yoshihisa, Tetsuya Watanabe, Yoshinori Kanazawa, Kazuaki Taga, Hiroshi Kawai und Kimio Ichikawa. „405 nm Laser Thermal Lithography of 40 nm Pattern Using Super Resolution Organic Resist Material“. Applied Physics Express 2, Nr. 12 (27.11.2009): 126502. http://dx.doi.org/10.1143/apex.2.126502.
Der volle Inhalt der QuelleGoldstein, John C., Brian D. McVey und C. James Elliott. „Conceptual designs of a 50 nm FEL oscillator and a 20–40 nm SASE amplifier“. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 272, Nr. 1-2 (Oktober 1988): 177–82. http://dx.doi.org/10.1016/0168-9002(88)90219-7.
Der volle Inhalt der QuelleTang, Ming, Xiaolong Tian, Xiaona Lu, Songnian Fu, Perry Ping Shum, Zhenrong Zhang, Ming Liu, Yuan Cheng und Jian Liu. „Single-frequency 1060 nm semiconductor-optical-amplifier-based fiber laser with 40 nm tuning range“. Optics Letters 34, Nr. 14 (13.07.2009): 2204. http://dx.doi.org/10.1364/ol.34.002204.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Jaegwan, Changjung Lee und Munkyo Seo. „A 130-GHz Low-Area Power Amplifier in 40-nm CMOS“. Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 34, Nr. 4 (April 2023): 310–16. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2022.34.4.310.
Der volle Inhalt der QuelleKim, Jaegwan, Changjung Lee und Munkyo Seo. „A 130-GHz Low-Area Power Amplifier in 40-nm CMOS“. Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science 34, Nr. 4 (April 2023): 310–16. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2023.34.4.310.
Der volle Inhalt der QuelleShuangyi Yan, 延双毅, 张建国 Jianguo Zhang und 赵卫 Wei Zhao. „40-GHz wavelength tunable mode-locked SOA-based fiber laser with 40-nm tuning range“. Chinese Optics Letters 6, Nr. 9 (2008): 676–78. http://dx.doi.org/10.3788/col20080609.0676.
Der volle Inhalt der QuelleTanaka, Hiroaki, Yasuyuki Miyamoto, Toshihiko Otake, Jiroo Yoshinaga und Kazuhito Furuya. „Electrical Properties of 100 nm Pitch Cr/Au Fine Electrodes with 40 nm Width on GaInAs“. Japanese Journal of Applied Physics 35, Part 2, No. 8A (01.08.1996): L964—L967. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.35.l964.
Der volle Inhalt der QuelleZhao Junfa, 赵军发, 杨秀峰 Yang Xiufeng, 刘卓琳 Liu Zhuolin, 童峥嵘 Tong Zhengrong, 刘艳格 Liu Yange und 赵启大 Zhao Qida. „Multiwavelength Brillouin/Erbium Fiber Source with 40 nm Tuning Range“. Chinese Journal of Lasers 37, Nr. 10 (2010): 2482–86. http://dx.doi.org/10.3788/cjl20103710.2482.
Der volle Inhalt der QuelleMelul, Franck, Vincenzo Della Marca, Marc Bocquet, Madjid Akbal, Pierre Laine, Frederique Trenteseaux, Marc Mantelli et al. „Morphology and reliability aspects of 40 nm eSTM™ architecture“. Microelectronics Reliability 126 (November 2021): 114266. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114266.
Der volle Inhalt der QuelleSialm, G., C. Kromer, T. Morf, F. Ellinger und H. Jäckel. „40 Gbit∕s limiting output buffer in 80 nm CMOS“. Electronics Letters 41, Nr. 19 (2005): 1051. http://dx.doi.org/10.1049/el:20052172.
Der volle Inhalt der QuelleLee, K. J., R. LaComb, B. Britton, M. Shokooh-Saremi, H. Silva, E. Donkor, Y. Ding und R. Magnusson. „Silicon-Layer Guided-Mode Resonance Polarizer With 40-nm Bandwidth“. IEEE Photonics Technology Letters 20, Nr. 22 (November 2008): 1857–59. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2008.2004777.
Der volle Inhalt der QuelleShin, Jinuk Luke, Dawei Huang, Bruce Petrick, Changku Hwang, Kenway W. Tam, Alan Smith, Ha Pham et al. „A 40 nm 16-Core 128-Thread SPARC SoC Processor“. IEEE Journal of Solid-State Circuits 46, Nr. 1 (Januar 2011): 131–44. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2010.2080491.
Der volle Inhalt der QuelleKo, Chun-Lin, Chun-Hsing Li, Chien-Nan Kuo, Ming-Ching Kuo und Da-Chiang Chang. „A 210-GHz Amplifier in 40-nm Digital CMOS Technology“. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 61, Nr. 6 (Juni 2013): 2438–46. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2013.2260767.
Der volle Inhalt der QuelleAiello, Orazio, Paolo Crovetti und Massimo Alioto. „Standard Cell-Based Ultra-Compact DACs in 40-nm CMOS“. IEEE Access 7 (2019): 126479–88. http://dx.doi.org/10.1109/access.2019.2938737.
Der volle Inhalt der QuelleMartín-González, M., A. L. Prieto, R. Gronsky, T. Sands und A. M. Stacy. „High-Density 40 nm Diameter Sb-Rich Bi2xSbxTe3 Nanowire Arrays“. Advanced Materials 15, Nr. 12 (17.06.2003): 1003–6. http://dx.doi.org/10.1002/adma.200304781.
Der volle Inhalt der QuelleZhang, Sheng, Ke Wei, Xiao-Hua Ma, Bin Hou, Guo-Guo Liu, Yi-chuan Zhang, Xin-Hua Wang et al. „Reduced reverse gate leakage current for GaN HEMTs with 3 nm Al/40 nm SiN passivation layer“. Applied Physics Letters 114, Nr. 1 (07.01.2019): 013503. http://dx.doi.org/10.1063/1.5077050.
Der volle Inhalt der QuelleWang, Weihuai, Hao Jin, Shurong Dong, Lei Zhong und Yan Han. „Study of drain-extended NMOS under electrostatic discharge stress in 28 nm and 40 nm CMOS process“. Solid-State Electronics 116 (Februar 2016): 80–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.033.
Der volle Inhalt der QuelleYoneda, Shinichi, Satoru Ito, Yukio Hayakawa, Zhiqiang Wei, Shunsaku Muraoka, Ryutaro Yasuhara, Koichi Kawashima, Atsushi Himeno und Takumi Mikawa. „Newly developed process integration technologies for highly reliable 40 nm ReRAM“. Japanese Journal of Applied Physics 58, SB (22.02.2019): SBBB06. http://dx.doi.org/10.7567/1347-4065/aafd8d.
Der volle Inhalt der QuelleZhou Hongjun, 周洪军, 王冠军 Wang Guanjun, 郑津津 Zheng Jinjin, 霍同林 Hou Tonglin und 邱克强 Qiu Keqiang. „Suppression of HigherOrder Harmonics by Different Filter in 5~40 nm“. Acta Optica Sinica 30, Nr. 9 (2010): 2753–56. http://dx.doi.org/10.3788/aos20103009.2753.
Der volle Inhalt der QuelleYoo, Seong Ho, Benjamin Y. H. Liu, James Sun, Natraj Narayanswami und Gregory P. Thomes. „Particle Removal Efficiency Evaluation at 40 nm Using Haze Particle Standard“. Solid State Phenomena 76-77 (Januar 2001): 259–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.259.
Der volle Inhalt der QuelleKmon, P., R. Szczygieł, R. Kłeczek, D. Górni, G. Węgrzyn, A. Niedzielska, K. Sitko und P. Drwal. „Spectrum1k — integrated circuit for medical imaging designed in CMOS 40 nm“. Journal of Instrumentation 17, Nr. 03 (01.03.2022): C03023. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/03/c03023.
Der volle Inhalt der QuelleXu, Lei-jun, Zhi-jian Xie, Xue Bai, Qin Li, Bai-kang Wang und Peng-cheng Yin. „Design of THz Monolithic Source and Detector in 40-nm CMOS“. Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 42, Nr. 9-10 (September 2021): 1040–60. http://dx.doi.org/10.1007/s10762-021-00787-6.
Der volle Inhalt der QuelleMoons, Bert, und Marian Verhelst. „An Energy-Efficient Precision-Scalable ConvNet Processor in 40-nm CMOS“. IEEE Journal of Solid-State Circuits 52, Nr. 4 (April 2017): 903–14. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2016.2636225.
Der volle Inhalt der QuelleWang, X., F. Gao, K. Huang, Z. s. Zhang, Y. Shi und Y. Xu. „Spectral Sensitivity Analysis of OCD Tool for Sub 40 Nm Process“. ECS Transactions 60, Nr. 1 (27.02.2014): 887–92. http://dx.doi.org/10.1149/06001.0887ecst.
Der volle Inhalt der QuelleKalyuzhnyy, N. A., S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, D. V. Rybalchenko und M. Z. Shvarts. „InGaAs metamorphic laser (1064 nm) power converters with over 40% efficiency“. Electronics Letters 53, Nr. 3 (Februar 2017): 173–75. http://dx.doi.org/10.1049/el.2016.4308.
Der volle Inhalt der QuelleTan, Chee Hing, Shiyu Xie und Jingjing Xie. „Low Noise Avalanche Photodiodes Incorporating a 40 nm AlAsSb Avalanche Region“. IEEE Journal of Quantum Electronics 48, Nr. 1 (Januar 2012): 36–41. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2011.2176105.
Der volle Inhalt der QuelleLiu, H. D., Y. P. Zhao, G. Ramanath, S. P. Murarka und G. C. Wang. „Thickness dependent electrical resistivity of ultrathin (<40 nm) Cu films“. Thin Solid Films 384, Nr. 1 (März 2001): 151–56. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01818-6.
Der volle Inhalt der QuelleMauricio, Joan, Francesc Moll und Sergio Gomez. „Measurements of Process Variability in 40-nm Regular and Nonregular Layouts“. IEEE Transactions on Electron Devices 61, Nr. 2 (Februar 2014): 365–71. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2294742.
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